FZシリコンウェーハ
販売されているフロートゾーン（FZ）シリコン（Si）ウェーハのサイズは、主に8インチと6インチです。 チョクラルスキー法（CZ）法で製造されたシリコンウェーハと比較して、フロートゾーンウェーハの最大の特徴は、抵抗率が比較的高く、純度が高く、高電圧に耐えることができることです。 しかし、大型のFZシリコンウェーハを製造することは困難であり、機械的特性は劣っています。 したがって、集積回路で使用されるフローティングゾーン成長シリコンウェーハはほとんどありません。 FZウェーハはフロートゾーンプロセスで作成されます。 フロートゾーンのシリコン結晶成長中にるつぼがないため、るつぼによる汚染が回避され、サスペンションゾーンメルト法を複数の精製に使用できるため、FZシリコンインゴットの純度が高く、FZ-シリコン基板の導電性が1000Ω-cm以上に達する。
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説明
FZウェーハサプライヤーが製造したFZSiウェーハは、パワーエレクトロニクスデバイス、フォトダイオード、光線検出器、赤外線検出器などの製造に使用されます。FZシリコンウェーハの酸素含有量は、CZシリコンの酸素含有量よりも2〜3桁低くなります。 酸素による堆積がないため、フロートゾーンシリコンウェーハの機械的強度は、シリコンウェーハCZの成長ほど良くありません。 さらに、反りや欠陥は、製造プロセス中に簡単に発生します。 窒素の添加は、フロートゾーンのシリコン結晶成長中のウェーハ強度を改善するための1つの解決策です。 その他のFZ単結晶シリコンの仕様は次のとおりです。
1.SSPまたはDSPを備えた8インチの高抵抗フロートゾーンシリコンウェーハ
| SSPまたはDSPおよび高抵抗率を備えた8インチFZシリコンウェーハ | |||
| アイテム | パラメータ | ||
| 材料 | 単結晶シリコン | ||
| グレード | プライムグレード | ||
| 成長方法 | FZ | ||
| 直径 | 8インチ（200.0±0.2mm） | ||
| 導電型 | Nタイプ | Nタイプ | Pタイプ |
| ドーパント | リン | リン | ボロン |
| 方向付け | [100]±0.5° | ||
| 厚さ | 625 +/- 5µm | 725±25μm | 725±25μm |
| 抵抗率 | >8,000-14,000Ωcm | >10,000Ωcm | 5,000〜10,000Ωcm |
| RRV | <40％（ASTM F81プランC） | ||
| SEMISTDノッチ | SEMISTDノッチ | ||
| 表面仕上げ | 1SP、SSP One-Side-Epi-Ready-Polished 裏面エッチング |
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| エッジが丸みを帯びている | SEMI規格ごと 計測エッジ除外（lpd、機械的パラメータ）3 mm |
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| 粒子 | LPD> = 0,30 µm（COPを含む）<= 25 LPD> = 0,20 µm（COPを含む）<= 30 LPD> = 0,16 µm（COPを含む）<= 60 |
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| 粗さ | <0.5nm | ||
| TTV | <1.5um | <10um | <6um |
| ボウ/ワープ | <35um | ボウ<40µm、ワープ<60µm | <40um |
| TIR | <5µm | ||
| 酸素含有量 | 11-15 PPMA | ||
| 炭素含有量 | <2E16 / cm3 | ||
| サイトの平坦度 | SFQD 20X20mm：0.40um | ||
| MCCライフタイム | >1,000μs | >1,000μs | >1,000μs |
| 表面の金属汚染 （Al、Ca、Cu、Fe、Ni、Zn、Cr、Na） |
≤5E10原子/ cm2（Al、Ca、Cu、Fe、Ni、Zn、Cr、Na）最大5E10 / cm2 | ||
| 転位密度 | SEMI STD | SEMI STD | 500 max / cm2 |
| 欠け、引っかき傷、でこぼこ、かすみ、タッチマーク、オレンジピール、ピット、ひび、汚れ、汚れ | すべてなし | ||
| レーザマーク | SEMI STD | シリアル化されたオプションレーザー： 浅いレーザー |
フラットに沿って フロントサイド |
2.6インチFZシリコンウェーハ
| 6インチFZシリコンウェーハ | |||
| アイテム | パラメータ | ||
| 材料 | 単結晶シリコン | ||
| グレード | プライムグレード | ||
| 成長方法 | FZ | ||
| 直径 | 6インチ（150±0.5mm） | ||
| 導電型 | 本質的 | Nタイプ | Pタイプ |
| ドーパント | 低ドープ | リン | ボロン |
| 方向付け | <100>±0.5° | [100]±0.5° | （111）±0.5° |
| 厚さ | 625±15μm | 675±10μm 1,000±25µm |
875±25μm 1,000±25µm |
| 抵抗率 | >20,000Ωcm | 6,000-10,000 | 5,000〜10,000Ωcm |
| RRV | <40％（ASTM F81プランC） | ||
| プライマリフラット | 1つのSEMIフラット（57.5mm） | SEMI STD | SEMIノッチ@ 110±1° |
| セカンダリフラット | N / A | SEMI STD | N / A |
| 表面仕上げ | フロントサイドフィニッシュミラーポリッシュ 裏面仕上げミラーポリッシュ |
フロントサイドフィニッシュミラーポリッシュ 裏面仕上げミラーポリッシュ |
片面研磨 裏面酸エッチング |
| エッジが丸みを帯びている | SEMI規格ごと | ||
| 粒子 | <20カウント@0.3μm | ||
| 粗さ | <0.5nm | ||
| TTV | <10um | <10um | <12um |
| ボウ/ワープ | <30um | <40um | <60um |
| TIR | <5µm | ||
| 酸素含有量 | <2E16 / cm3 | ||
| 炭素含有量 | <2E16 / cm3 | ||
| OISF | <50 /cm² | ||
| 攪拌（15x15mm） | <1.5µm | ||
| MCCライフタイム | >1,000μs | ||
| 表面の金属汚染 Na、Al、K、Fe、Ni、Cu、Zn |
≤5E10原子/ cm2 | ||
| 転位密度 | 500 max / cm2 | ||
| 欠け、引っかき傷、でこぼこ、かすみ、タッチマーク、オレンジピール、ピット、ひび、汚れ、汚れ | 変色、オレンジピール、汚れ、かすみ、マイクロスクラッチ、チップ、エッジチップ、クラック、カラスの足、ピンホール、ピット、へこみ、うねり、汚れ、裏側の傷跡：すべてなし | ||
| レーザマーク | フラットに沿って 前面には、オプションのレーザーシリアル化： 浅いレーザー |
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3.マイノリティキャリア寿命300μsの6インチFZ + NTDシリコンウェーハ
| マイノリティキャリア寿命300μsの6インチFZ + NTDシリコンウェーハ | |
| 説明 | 要件 |
| 一般的な特性 | |
| 成長の方法 | Grown by irradiating low doped Float Zone silicon with neutrons FZ+NTD |
| 方向付け | <111> +/- 1度 |
| 導電率のタイプ | N |
| 不純物物質 | P |
| コントロールの領域 | ウェーハの境界から3mmは監視されていません |
| 電気的特性 | |
| 抵抗率定数 | 100オーム.cm±8％ |
| の放射状分散 抵抗率定数 |
4％以下 |
| マイノリティキャリア 生涯分 |
300 mcs |
| 化学的性質 | |
| 酸素含有量 | 0.2 ppma |
| 炭素含有量 | 0.2 ppma |
| 構造の完璧さ | |
| 転位の内容 | フリー |
| パッケージの欠陥密度 | 1 * 102 1 / cm2以下 |
| 微小欠陥密度 | 1 * 104 1 / cm2以下 |
| 渦巻き | フリー |
| ウェーハ準備の特徴 | |
| 裏側 | ラッピングとエッチング |
| 幾何学 | |
| 直径 | 152,4 + 1 mm |
| 一次カットのストレッチ | 30〜35 mm |
| ファセットの幅 | «旧»での0,1-0,25mmの生産 |
| 厚さ | 625 um |
| ポリシックネス（TTV） | 5um以下 |
| 反り | 35um以下 |
| 平面の変化 | 5um以下 |
| 作業状態の表面 | ポリッシュ |
| スクラッチ | 欠乏 |
| マイクロスクラッチ（リスク） | ウェーハの全長は直径0.5以下 |
| 汚染 | 欠乏 |
| 鈍い | HAZE≤5ppm |
| かさぶた | 欠乏 |
| オレンジの皮 | 欠乏 |
| 鋸刃の欠陥 | 欠乏 |
| 動作しない状態の表面 | 地面、エッチング |
| スキャビングボーダー | 欠乏 |
| そんな「カラスの爪」を割る | 欠乏 |
| 汚染 | 欠乏 |
| 鋸刃の欠陥 | 欠乏 |
| スクラッチ | ウェーハの全長は直径0.5以下 |
| 不均一なエッチングからの斑点 | 欠乏 |
4.方向（111）および厚さ625μmの6インチFZ + NTDシリコンウェーハ
| 配向（111）および厚さ625μmの6インチFZ + NTDシリコンウェーハ | |||
| 説明 | ユニット | 値 | 制御方法の基準 |
| 方法 | FZ + NTD | ||
| タイプ | N | ||
| ドーパント | P（リン） | ||
| 方向付け | — | <111> +/- 1度 | ASTM F 26 |
| 直径 | ミリ | 152.4±1 | 口径 |
| 厚さ、最小 | ええと | 625 | — |
| 抵抗率 | オーム* cm | 100 | 4点プローブASTMF 84 |
| 半径方向の抵抗率の変動、最大 | ％ | 8 | ASTM F81プランC |
| マイノリティキャリアの寿命、分 | mcs | 300 | ASTMF1535-94 |
| 炭素含有量、最大 | ppma | 0.2 | ASTM F 1391-93 |
| 酸素含有量/ | ppma | 0.2 | ASTM F 1188-93a |
| 表側 | ポリッシュ | ||
| 裏側 | 地面、エッチング | ||
| 渦巻き | — | なし | F47 |
| 転位 | — | なし | F47 |
5.厚さ300μmの6インチFZ + NTDシリコンウェーハ
| 厚さ300μmの6インチFZ + NTDシリコンウェーハ | |
| 説明 | 要件 |
| 直径 | 150mm±0.5mm |
| 厚さ | 300um |
| 成長方法 | FZ + NTD |
| 方向付け | （100） |
| タイプ：N | N |
| ドーパント | P |
| 抵抗率 | 85オーム* cm±4％ |
| 表面仕上げ | 片面研磨 |
| フラッツ | 1、SEMI-Std、長さ30-35mm |
| TTV | ≤5um |
| ワープ | ≤35um |
| 弓 | ≤5um |
| 酸素含有量 | ≤1.0* 10 ^ 18cm-3 |
| 炭素含有量 | ≤5.0* 10 ^ 16cm-3 |
| 転位 | なし |
| スリップ | なし |
| ヘイズ | なし |
| 傷 | なし |
| エッジチップ | なし |
| ディンプル | なし |
| オレンジの皮 | なし |
| ひび割れ/破損 | なし |
6.6インチFZ + NTDシリコン地金
| 6インチFZ + NTDシリコン地金 | |||
| パラメーター | ユニット | 値 | 制御方法の基準 |
| 方法 | FZ + NTD | ||
| タイプ | N | ||
| ドーパント | P（リン） | ||
| 方向付け | — | <111> +/- 1度 | ASTM F 26 |
| 直径 | ミリ | 150.0+0.5 | 口径 |
| 抵抗率 | オーム* cm | 170 | 4点プローブASTMF 84 |
| 半径方向の抵抗率の変動、最大 | ％ | 8 | ASTM F81プランC |
| マイノリティキャリアの寿命、分 | mcs | 300 | ASTMF1535-94 |
| 炭素含有量、最大 | ppma | 0.2 | ASTM F 1391-93 |
| 酸素含有量 | ppma | 22 | ASTM F 1188-93a |
| 渦巻き | — | なし | F47 |
| 転位 | — | なし | F47 |
7.4インチFZシリコンウェーハ
| 4インチFZシリコンウェーハ | |||
| アイテム | パラメータ | ||
| 材料 | 単結晶シリコン | ||
| グレード | プライムグレード | ||
| 成長方法 | FZ | ||
| 直径 | 4インチ（100±0.4mm） | ||
| 導電型 | 本質的 | Nタイプ | Pタイプ |
| ドーパント | 低ドープ | リン | ボロン |
| 方向付け | <111>±0.5° | [110]±0.5° | （100）±1° |
| 厚さ | 500±25μm | ||
| 抵抗率 | >10,000Ωcm | >5,000Ωcm | 5,000〜10,000Ωcm |
| RRV | <40％（ASTM F81プランC） | ||
| プライマリフラット | SEMISTDフラット | ||
| セカンダリフラット | SEMISTDフラット | ||
| 表面仕上げ | One-Side-Epi-Ready-Polished、 裏面エッチング |
||
| エッジが丸みを帯びている | SEMI規格ごと | ||
| 粒子 | <20カウント@0.3μm | ||
| 粗さ | <0.5nm | ||
| TTV | <10um | ||
| ボウ/ワープ | <40um | ||
| TIR | <5µm | ||
| 酸素含有量 | <2E16 / cm3 | ||
| 炭素含有量 | <2E16 / cm3 | ||
| OISF | <50 /cm² | ||
| 攪拌（15x15mm） | <1.5µm | ||
| MCCライフタイム | >1,000μs | ||
| 表面金属汚染Fe、Zn、Cu、Ni、K、Cr | ≤5E10原子/ cm2 | ||
| 転位密度 | 500 max / cm2 | ||
| 欠け、引っかき傷、でこぼこ、かすみ、タッチマーク、オレンジピール、ピット、ひび、汚れ、汚れ | すべてなし | ||
| レーザマーク | Along The Flat
フロントサイドでは、 シリアル化されたオプションレーザー： 浅いレーザー |
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