Bolacha de Silicone FZ
O tamanho das pastilhas de silício (Si) de zona flutuante (FZ) para venda é principalmente de 8 polegadas e 6 polegadas. Comparado com os wafers de silício feitos pelo método Czochralski (CZ), a maior característica do wafer de zona flutuante é que a resistividade é relativamente alta, a pureza é maior e pode suportar alta tensão. No entanto, é difícil produzir wafers de silício FZ de tamanho grande e as propriedades mecânicas são pobres. Portanto, há poucos wafers de silício cultivados em zona flutuante usados em circuitos integrados. A FZ Wafer é preparada pelo processo de zona de flutuação. Por não haver cadinho durante o crescimento do cristal de silício da zona flutuante, a poluição do cadinho é evitada e a fusão da zona de suspensão pode ser usada para várias purificações, de modo que a pureza do lingote de silício FZ é alta e a condutividade do substrato FZ-Silicon pode atingir 1000 Ω-cm ou mais.
- Descrição
- Investigação
Descrição
As pastilhas FZ Si produzidas por fornecedores de pastilhas FZ são usadas para fabricar dispositivos eletrônicos de potência, fotodiodos, detectores de raios, detectores infravermelhos, etc. Como não há deposição formada por oxigênio, a resistência mecânica da pastilha de silício da zona flutuante não é tão boa quanto a da pastilha de silício CZ cultivada. Além disso, empenamento e defeitos são fáceis de gerar durante o processo de fabricação. A adição de nitrogênio é uma solução para melhorar a resistência do wafer durante o crescimento do cristal de silício da zona flutuante. Mais especificações de silício monocristalino FZ são as seguintes:
1. Bolacha de silício de zona flutuante de alta resistividade de 8 polegadas com SSP ou DSP
| Wafer de silício FZ de 8 polegadas com SSP ou DSP e alta resistividade | |||
| Item | Parâmetros | ||
| Material | Silício Monocristalino | ||
| Grau | Primeiro Grau | ||
| Método crescimento | FZ | ||
| Diâmetro | 8″(200,0±0,2mm) | ||
| Tipo de condutividade | Tipo N | Tipo N | Tipo P |
| dopante | Fósforo | Fósforo | Boro |
| Orientação | [100]±0,5° | ||
| Espessura | 625+/- 5µm | 725±25μm | 725±25μm |
| Resistividade | >8.000-14.000Ωcm | >10.000Ωcm | 5.000-10.000Ωcm |
| RRV | <40% (ASTM F81 Plano C) | ||
| Entalhe SEMI STD | Entalhe SEMI STD | ||
| Acabamento de superfície | 1SP, SSP Polido de um lado pronto para epi Parte de trás gravada |
||
| Borda arredondada | Por Padrão SEMI Exclusão de borda de metrologia (lpd's, parâmetros mecânicos) 3 mm |
||
| Partícula | LPDs >= 0,30 µm (incluindo COP's) <=25 LPDs >= 0,20 µm (incluindo COP's) <=30 LPDs >= 0,16 µm (incluindo COP's) <=60 |
||
| Rugosidade | <0,5 nm | ||
| TTV | <1,5um | <10um | <6um |
| Arco / Urdidura | <35um | Arco <40µm, Warp<60µm | <40um |
| TIR | <5µm | ||
| Conteúdo de oxigênio | 11-15 PPMA | ||
| Teor de Carbono | <2E16/cm3 | ||
| Planicidade do site | SFQD 20X20mm: 0,40um | ||
| Vida útil da MCC | >1.000μs | >1.000μs | >1.000μs |
| Contaminação de superfície metálica (Al,Ca,Cu,Fe,Ni,Zn,Cr,Na) |
≤5E10 átomos/cm2 (Al,Ca,Cu,Fe,Ni,Zn,Cr,Na) Max 5E10/cm2 | ||
| Densidade deslocamento | SEMI DST | SEMI DST | 500 máx./cm2 |
| Lascas, arranhões, solavancos, neblina, marcas de toque, casca de laranja, caroços, rachaduras, sujeira, contaminação | Todos Nenhum | ||
| Laser Mark | SEMI DST | Opção Laser serializada: Laser raso |
Ao longo do apartamento Na parte frontal |
2. bolacha de silício FZ de 6 polegadas
| Bolacha de silicone FZ de 6 polegadas | |||
| Item | Parâmetros | ||
| Material | Silício Monocristalino | ||
| Grau | Primeiro Grau | ||
| Método crescimento | FZ | ||
| Diâmetro | 6″(150 ± 0,5mm) | ||
| Tipo de condutividade | Intrínseco | Tipo N | Tipo P |
| dopante | low doped | Fósforo | Boro |
| Orientação | <100>±0,5° | [100]±0,5° | (111)±0,5° |
| Espessura | 625±15μm | 675±10μm 1.000±25µm |
875±25μm 1.000±25µm |
| Resistividade | >20.000Ωcm | 6,000-10,000 | 5.000-10.000Ωcm |
| RRV | <40% (ASTM F81 Plano C) | ||
| Flat Primário | Um SEMI Plano (57,5 mm) | SEMI DST | Entalhe SEMI @ 110 ± 1° |
| Plano secundário | N / D | SEMI DST | N / D |
| Acabamento de superfície | Polimento de espelho com acabamento frontal Acabamento do verso Espelho polonês |
Polimento de espelho com acabamento frontal Acabamento do verso Espelho polonês |
Um lado polido Parte de trás gravada com ácido |
| Borda arredondada | Por Padrão SEMI | ||
| Partícula | <20contas @ 0,3μm | ||
| Rugosidade | <0,5 nm | ||
| TTV | <10um | <10um | <12um |
| Arco / Urdidura | <30um | <40um | <60um |
| TIR | <5µm | ||
| Conteúdo de oxigênio | <2E16/cm3 | ||
| Teor de Carbono | <2E16/cm3 | ||
| OISF | <50/cm² | ||
| MEXER (15x15mm) | <1,5µm | ||
| Vida útil da MCC | >1.000μs | ||
| Contaminação de superfície metálica Na, Al, K, Fe, Ni, Cu, Zn |
≤5E10 átomos/cm2 | ||
| Densidade deslocamento | 500 máx./cm2 | ||
| Lascas, arranhões, solavancos, neblina, marcas de toque, casca de laranja, caroços, rachaduras, sujeira, contaminação | Mancha, casca de laranja, contaminação, neblina, micro arranhões, lascas, lascas de borda, rachadura, pés de galinha, furo de pino, caroços, amassado, ondulação, mancha e cicatriz na parte de trás: todos nenhum | ||
| Laser Mark | Ao longo do apartamento Na Frente, Opção Laser Serializada: Laser raso |
||
3. 6 polegadas FZ + NTD Silicon Wafer com vida útil do portador minoritário 300μs
| Wafer de silício FZ+NTD de 6 polegadas com vida útil do portador minoritário 300μs | |
| Descrição | Requisitos |
| Características gerais | |
| Método de crescimento | Grown by irradiating low doped Float Zone silicon with neutrons FZ+NTD |
| Orientação | <111> +/- 1 grau |
| Tipo de condutividade | N |
| Substância de impureza | P |
| Área do controle | 3 mm da borda de um wafer não são supervisionados |
| As características elétricas | |
| Constante de resistividade | 100 Ohm.cm ±8% |
| Dispersão radial de constante de resistividade |
Não mais de 4% |
| Portador de minoria Tempo de vida mínimo |
300 mcs |
| As características químicas | |
| Conteúdo de oxigênio | 0,2 ppma |
| Conteúdo de carbono | 0,2 ppma |
| Perfeição da estrutura | |
| Conteúdo de deslocamento | livre |
| Densidade de defeitos do pacote | Não mais do que 1*102 1/cm2 |
| Densidade de microdefeitos | Não mais do que 1*104 1/cm2 |
| Redemoinhos | livre |
| Característica da preparação de wafers | |
| parte de trás | Lapidado e gravura |
| Geometria | |
| Diâmetro | 152,4+1mm |
| Alongamento de corte primário | 30-35 milímetros |
| Largura da faceta | Produção de 0,1-0,25 mm em um «antigo» |
| Espessura | 625 um |
| Poliespessura (TTV) | não mais que 5 um |
| Empenamento | Não mais que 35 um |
| Variação de plano | Não mais que 5 um |
| Superfície da condição de trabalho | Polido |
| Riscos | Deficiência |
| Microrisco (risco) | Comprimento total não superior a 0,5 diâmetros de uma bolacha |
| Contaminação | Deficiência |
| Embotamento | NÉVOA ≤ 5 ppm |
| Escamas | Deficiência |
| casca de laranja | Deficiência |
| Defeito na lâmina de serra | Deficiência |
| Superfície de condição de não trabalho | Terreno, Gravado |
| Borda de crostas | Deficiência |
| Quebre essa “garra de corvo” | Deficiência |
| Contaminação | Deficiência |
| Defeito na lâmina de serra | Deficiência |
| Riscos | Comprimento total não superior a 0,5 diâmetros de uma bolacha |
| Mancha de gravura não uniforme | Deficiência |
4. 6 polegadas FZ + NTD Silicon Wafer com Orientação (111) e Espessura 625μm
| Bolacha de Silicone FZ+NTD de 6 polegadas com Orientação (111) e Espessura 625μm | |||
| Descrição | Unidade | Valor | Padrão de Método de Controle |
| Método | FZ + NTD | ||
| Tipo | N | ||
| dopante | P (Fósforo) | ||
| Orientação | - | <111> +/- 1 grau | ASTM F 26 |
| Diâmetro | milímetros | 152,4±1 | Calibre |
| Espessura, min | hum | 625 | - |
| Resistividade | Ohm * cm | 100 | Sonda de 4 pontos ASTM F 84 |
| Variação de resistividade radial, máx. | % | 8 | ASTM F 81 Plano C |
| Vida útil do portador minoritário, min | mcs | 300 | ASTM F1535-94 |
| Teor de Carbono, máx. | ppma | 0.2 | ASTM F 1391-93 |
| Conteúdo de oxigênio/ | ppma | 0.2 | ASTM F 1188-93a |
| parte da frente | Polido | ||
| parte de trás | Terreno, Gravado | ||
| Redemoinhos | - | nenhum | F47 |
| Deslocamentos | - | nenhum | F47 |
5. 6 polegadas FZ + NTD Silicon Wafer com Espessura 300μm
| Bolacha de silicone FZ+NTD de 6 polegadas com espessura de 300μm | |
| Descrição | Requisitos |
| Diâmetro | 150 mm ± 0,5 mm |
| Espessura | 300um |
| Método de crescimento | FZ + NTD |
| Orientação | (100) |
| Tipo: N | N |
| dopante | P |
| Resistividade | 85 Ohm*cm ±4% |
| Acabamento de superfície | Único lado polido |
| Flats | 1, SEMI-Std, comprimento 30-35mm |
| TTV | ≤5um |
| Urdidura | ≤35um |
| Arco | ≤5um |
| Conteúdo de oxigênio | ≤1,0*10^18cm-3 |
| Teor de carbono | ≤5,0*10^16cm-3 |
| Deslocamentos | Nenhum |
| Escorregar | Nenhum |
| Neblina | Nenhum |
| Arranhões | Nenhum |
| Edge Chips | Nenhum |
| Covinhas | Nenhum |
| Casca de laranja | Nenhum |
| Rachaduras/Fraturas | Nenhum |
6. Lingote de terra de silício FZ+NTD de 6 polegadas
| Lingote de aterramento de silício FZ + NTD de 6 polegadas | |||
| Parâmetro | Unidade | Valor | Padrão de Método de Controle |
| Método | FZ + NTD | ||
| Tipo | N | ||
| dopante | P (Fósforo) | ||
| Orientação | - | <111> +/- 1 grau | ASTM F 26 |
| Diâmetro | milímetros | 150.0+0.5 | Calibre |
| Resistividade | Ohm * cm | 170 | Sonda de 4 pontos ASTM F 84 |
| Variação de resistividade radial, máx. | % | 8 | ASTM F 81 Plano C |
| Vida útil do portador minoritário, min | mcs | 300 | ASTM F1535-94 |
| Teor de Carbono, máx. | ppma | 0.2 | ASTM F 1391-93 |
| Conteúdo de oxigênio | ppma | 22 | ASTM F 1188-93a |
| Redemoinhos | - | nenhum | F47 |
| Deslocamentos | - | nenhum | F47 |
7. 4 polegadas FZ bolacha de silício
| Bolacha de silicone FZ de 4 polegadas | |||
| Item | Parâmetros | ||
| Material | Silício Monocristalino | ||
| Grau | Primeiro Grau | ||
| Método crescimento | FZ | ||
| Diâmetro | 4″(100±0,4mm) | ||
| Tipo de condutividade | Intrínseco | Tipo N | Tipo P |
| dopante | low doped | Fósforo | Boro |
| Orientação | <111>±0,5° | [110]±0,5° | (100)±1° |
| Espessura | 500±25μm | ||
| Resistividade | >10.000Ωcm | >5.000Ωcm | 5.000-10.000Ωcm |
| RRV | <40% (ASTM F81 Plano C) | ||
| Flat Primário | Apartamentos SEMI DST | ||
| Plano secundário | Apartamentos SEMI DST | ||
| Acabamento de superfície | Polido de um lado pronto para epi, Parte de trás gravada |
||
| Borda arredondada | Por Padrão SEMI | ||
| Partícula | <20contas @ 0,3μm | ||
| Rugosidade | <0,5 nm | ||
| TTV | <10um | ||
| Arco / Urdidura | <40um | ||
| TIR | <5µm | ||
| Conteúdo de oxigênio | <2E16/cm3 | ||
| Teor de Carbono | <2E16/cm3 | ||
| OISF | <50/cm² | ||
| MEXER (15x15mm) | <1,5µm | ||
| Vida útil da MCC | >1.000μs | ||
| Contaminação de Superfície Metal Fe, Zn, Cu, Ni, K, Cr | ≤5E10 átomos/cm2 | ||
| Densidade deslocamento | 500 máx./cm2 | ||
| Lascas, arranhões, solavancos, neblina, marcas de toque, casca de laranja, caroços, rachaduras, sujeira, contaminação | Todos Nenhum | ||
| Laser Mark | Along The Flat
Na Frente, Opção Laser serializada: Laser raso |
||
