CdZnTe Wafer
Cadmium zinc telluride (short for CdZnTe or CZT) wafer is an important II-VI group semiconductor material, which can be offered by CdZnTe wafer manufacturer – Ganwafer mainly for infrared thin film epitaxial growth and radiation detection. The band gap of CdZnTe is large, and low-energy infrared light cannot excite the electron conduction band transition in the valence band, so it does not produce intrinsic absorption of infrared light. Moreover, the dielectric constant of cadmium zinc telluride ingot is small, and the extinction coefficient is small when infrared is transmitted, so the infrared transmittance of CZT wafer is high. More important, the CZT lattice constant can be adjusted with different Zn content to meet the growth requirements of HgCdTe (MCT) epitaxial films with different compositions. More info about CdZnTe wafer please see below:
- Descrição
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Descrição
1. Especificações da bolacha de telureto de zinco e cádmio (CZT)
1,1 CdZnTe para crescimento epitaxial de HgCdTe
| CdZnTe Para crescimento epitaxial, HgCdTe: | |
| Tamanho do substrato CZT | 20×20 +/-0,1 mm ou maior |
| Estrutura CZT | não dopado sem gêmeos |
| Espessura CZT | 1000 +/- 50 |
| Distribuição de zinco | 4,5% ou personalizado |
| “y” % wafer a wafer | <4% +/- 1% |
| "y" % dentro do wafer | <4% +/- 0,5% |
| Orientação | (211)B,(111)B |
| DCRC FWHM | <= 50 arco.seg |
| Concentração de portadores | - |
| % de transmissão IR (2-20)um | >60% |
| Tamanho do precipitado | <5um |
| Densidade de precipitado | <1E4 cm-2 |
| Densidade do poço de gravação | <=1E5 cm-2 |
| Superfície, face B | Pronto para EPI |
| Superfície, A-face | Aproximadamente polido |
| Rigidez da superfície | Ra<20A ou personalizado |
| O tamanho do precipitado | <5um |
| Identificação facial | Um rosto |
Quando a composição de Zn é 0,04, o wafer Cd0.96Zn0.04Te é perfeito para filme epitaxial de HgCdTe porque sua constante de rede e propriedades químicas são compatíveis com o HgCdTe – um material detector infravermelho.
1.2 CdZnTe Wafer para Detecção de Radiação
O substrato CdZnTe com composição Zn=0,1~0,2 pode ser fornecido com ou sem contatos. O substrato CZT é o material detector de radiação nuclear emergente nos últimos anos. Existem muitas propriedades excelentes de telureto de cádmio e zinco para esta aplicação: grande gap de banda, fácil de controlar a geração de corrente de calor; grande número atômico médio, forte capacidade de parar os raios, boa resistência mecânica, conveniente para a produção de dispositivos; alta resistividade, o detector fabricado ainda pode manter baixa corrente de fuga sob alta tensão de polarização. Portanto, o ruído do detector é reduzido. Comparado com o detector de radiação nuclear cintilador de iodeto de sódio tradicional, tem uma resolução de energia mais alta.
Além disso, os detectores de raios X e Y feitos de cristal de telureto de cádmio e zinco podem funcionar à temperatura ambiente, eliminando o problema de adicionar nitrogênio líquido. Além disso, o detector de raios X de telureto de zinco e cádmio pode ser facilmente processado em um detector de matriz de pixels e, com o circuito de leitura de sinal integrado de silício em ponte, pode ser transformado em um dispositivo de imagem radiográfica compacto, eficiente e de alta resolução, que pode ser amplamente utilizado em análise de fluorescência de raios X, monitoramento de resíduos nucleares, testes de segurança em aeroportos e portos, detecção de falhas industriais, diagnóstico médico, pesquisa astrofísica, etc.
1.3 Substrato de telureto de zinco e cádmio para dispositivos infravermelhos e fotoelétricos
Ao adicionar uma quantidade adequada de vanádio (V) ou índio (In) ao telureto de cádmio e zinco, o telureto de cádmio e zinco torna-se um excelente material fotorrefrativo semicondutor de infravermelho próximo. A forte demanda por processamento de informações ópticas na banda do infravermelho próximo impulsionou o desenvolvimento de novos tipos de materiais fotorrefrativos no infravermelho próximo. Dopado com uma quantidade adequada de vanádio ou índio durante o crescimento de CdZnTe, vanádio ou índio torna-se o centro de nível de energia profunda sensível à fotorrefração, de modo que o material de wafer de CdZnTe tem um grande coeficiente fotoelétrico na banda do infravermelho próximo, que pode ser usado para fazer memória holográfica óptica em tempo real de banda de onda de infravermelho próximo e dispositivo de compartilhamento de fase óptica.
Como o telureto de cádmio-zinco tem uma alta transmitância de infravermelho (~65%) na banda infravermelha, os wafers de telureto de cádmio-zinco podem ser usados para fazer lentes infravermelhas, prismas e outros componentes ópticos infravermelhos. Além disso, o excelente desempenho fotoelétrico do cristal CdZnTe o torna adequado para o desenvolvimento de dispositivos optoeletrônicos como moduladores fotoelétricos e células solares de película fina.
2. Aplicação de CdZnTe Wafer
Resumindo, o wafer CdZnTe pode ser usado para:
* crescimento de filmes epitaxiais de HgCdTe de alta qualidade;
* Materiais de janela de laser infravermelho com excelente desempenho;
* produção de detectores de raios X e raios γ;
* produção de wafer epitaxial de super-rede quântica de CdTe/ZnTe;
* células solares;
*moduladores fotoelétricos, etc.
