GaN auf Silizium-HEMT-Wafer

GaN auf Silizium-HEMT-Wafer

Ganwafer bietet GaN (Galliumnitrid) auf Silizium (Si)-Epitaxie-HEMT-Wafern und GaN-Vorlagen auf Si-Substrat an. Je nach Anwendung können GaN-auf-Silizium-HEMT-Wafer in GaN-auf-Silizium-Wafer für D-Modus, GaN-auf-Silizium-Substrat für E-Modus und GaN-auf-Silizium-Wafer für HF-Anwendungen eingeteilt werden. Leistungselektronische Geräte auf GaN-Basis sind im Vergleich zu Si-Geräten immer noch sehr teuer. Eine Möglichkeit, das Kostenproblem zu lösen, besteht darin, GaN-basierte Heterostrukturen durch Epitaxie auf einem Si-Substrat herzustellen und dann GaN-basierte Bauelemente mithilfe der CMOS-Technologie (Complementary Metal Oxide Semiconductor) herzustellen, sodass die Kostenleistung der Bauelemente besser ist von Si-Geräten. Allerdings ist es viel schwieriger, GaN auf Siliziumsubstraten zu züchten als auf SiC- und Saphirsubstraten. Das Gitterfehlanpassungsverhältnis von GaN (0001) und Silizium (111) beträgt bis zu 16,9 %, und die Fehlanpassung des thermischen Ausdehnungskoeffizienten (thermische Fehlanpassung) beträgt bis zu 56 %. Dies sind die größten epitaktischen Herausforderungen von GaN auf Silizium, die möglicherweise durch die Einführung einer Pufferschicht in GaN auf einem Silizium-Wafer-Substrat gelöst werden können. Als führender Hersteller von GaN-auf-Silizium-HEMT-Wafern entwickeln wir unsere bestehende GaN-auf-Silizium-Technologie kontinuierlich weiter, um Ihnen einen besseren Wafer zu bieten. Und jetzt sehen Sie sich bitte die GaN-auf-Si-Wafer-Spezifikation unten an:

Beschreibung

1. GaN auf Silizium-HEMT-Wafer, D-MODUS

1.1 Spezifikation des GaN-HEMT-Wafers auf Silizium, D-MODE

Wafergröße 2″, 4″, 6″,8″
AlGaN / GaN HEMT-Struktur siehe 1.2
Trägerdichte >9E12 cm2
Hallenmobilität /.
Blattwiderstand /.
AFM RMS (nm) von 5x5um2 <0,25 nm
Schleife (ähm) <=30um
Randausschluss <5mm
SiN-Passivierungsschicht 0~5nm
u-GaN-Deckschicht 2 nm
Al-Zusammensetzung 20-30%
AlGaN-Sperrschicht /.
GaN-Kanal /.
AlGaN-Puffer /.
AlN /.
Substratmaterial Siliziumsubstrat
Si-Waferdicke (μm) 675 um (2″), 1000 um (4″), 1300 um (6″), 1500 um (8″)

 

1.2 Struktur eines GaN-HEMT-Wafers auf Silizium, D-MODE

2. GaN-auf-Silizium-HEMT-Epitaxie, E-MODUS

Wafergröße 2″, 4″, 6″,8″
AlGaN / GaN HEMT-Struktur siehe 1.2
2DEG-Restdichte (Vg=0 V) <1e18/cm3
AFM RMS (nm) von 5x5um2 <0,25 nm
Schleife (ähm) <=30um
Randausschluss <5mm
p-GaN /.
u-GaN-Deckschicht /.
Al-Zusammensetzung 20-30%
AlGaN-Sperrschicht /.
GaN-Kanal /.
AlGaN-Puffer /.
Substratmaterial Siliziumsubstrat
Si-Waferdicke (μm) 675 um (2″), 1000 um (4″), 1300 um (6″), 1500 um (8″)

 

3. Galliumnitrid-HEMT-Wafer auf Silizium für HF-Anwendung

Wafergröße 2″, 4″, 6″,8″
AlGaN / GaN HEMT-Struktur siehe 1.2
Trägerdichte >9E12 cm2
Hallenmobilität /.
Blattwiderstand /.
AFM RMS (nm) von 5x5um2 <0,25 nm
Schleife (ähm) <=30um
Randausschluss <5mm
SiN-Passivierungsschicht 0~5nm
u-GaN-Deckschicht /.
Al-Zusammensetzung 20-30%
AlGaN-Sperrschicht /.
GaN-Kanal /.
AlGaN-Puffer /.
AlN /.
Substratmaterial Siliziumsubstrat
Widerstand des Si-Substrats (Ω cm) > 3000
Si-Waferdicke (μm) 1000 um (2″), 1000 um (4″), 1300 um (6″), 1500 um (8″)

 

Anmerkung:
Die chinesische Regierung hat neue Beschränkungen für den Export von Galliummaterialien (wie GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs und GaSb) und Germaniummaterialien zur Herstellung von Halbleiterchips angekündigt. Ab dem 1. August 2023 ist der Export dieser Materialien nur noch erlaubt, wenn wir eine Lizenz des chinesischen Handelsministeriums erhalten. Hoffe auf ihr Verständnis!

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