Ganwafer offers N-type, P-type, and semi-insulating gallium nitride substrate, template and gallium nitride epitaxial wafer for HEMT with low marco defect density and dislocation density.
Ganwafer is a leading gallium nitride semiconductor manufacturer that offers wafers in different thicknesses and orientations with polished or unpolished sides and can comprise dopants. Gallium nitride is a wideband gap material that provides higher efficiency and power density than conventional semiconductors at the device level. The benefits include converting into size reduction, less power consumption, and affordable cost.
Mit dem Aufkommen der Epitaxietechnologie ist Galliumnitrid auf Siliziumwafern, Saphirwafern oder SiC-Wafern eine komplexe Mehrschichtstruktur, die durch Epitaxie aufgewachsen wird. Galliumnitrid-Dünnfilme werden häufig zur Herstellung elektronischer Geräte verwendet, die eine überlegene Leistung aufweisen, einschließlich LED, LD oder andere Anwendungen. Unsere Produktpalette reicht von freistehenden GaN-Substraten, GaN-Schablonen auf Saphir/SiC/Silizium, GaN-HEMT auf Saphir/SiC/Silizium bis hin zu GaN-basierten LED-Epitaxie-Wafern.
Aus einem Flüssigphasen-Gleichgewichtssystem kristallisierter GaN-Wafer, der seine große Kristallinität mit wenigen Versetzungen zeigt. Die Leistung und Effizienz verschiedener Produkte, die mit diesen Galliumnitrid-Wafern hergestellt wurden.
Aufgrund ihres geringen Gehalts an Verunreinigungen bieten GaN-Wafer niedrige Lichtabsorptionsfaktoren und eine große Transparenz, die zur Verbesserung der Leistung beiträgt.
Für unseren Galliumnitrid-Wafermarkt kümmern wir uns um Kundenspezifikationen. Wir decken auch kundenspezifische Vereinbarungen für kommerzielle und Forschungsanwendungen und neue exklusive Technologien ab. Als zuverlässiger Lieferant von Galliumnitrid-Wafern liefern wir typische und kundenspezifische Verpackungen. Sie können uns für weitere Informationen kontaktieren.
