GAN Wafer

Ganwafer offers N-type, P-type, and semi-insulating gallium nitride substrate, template and gallium nitride epitaxial wafer for HEMT with low marco defect density and dislocation density.

Ganwafer is a leading gallium nitride semiconductor manufacturer that offers wafers in different thicknesses and orientations with polished or unpolished sides and can comprise dopants. Gallium nitride is a wideband gap material that provides higher efficiency and power density than conventional semiconductors at the device level. The benefits include converting into size reduction, less power consumption, and affordable cost.

Med fremkomsten af ​​epitaksial teknologi er galliumnitrid på siliciumwafer, safirwafer eller SiC wafer en kompleks flerlagsstruktur dyrket gennem epitaksi. Galliumnitrid tyndfilm bruges i vid udstrækning til at producere elektroniske enheder, der viser overlegen ydeevne, herunder LED, LD eller anden anvendelse. Vores produkt spænder fra fritstående GaN-substrat, GaN-skabelon på safir/SiC/silicium, GaN HEMT på safir/SiC/silicium, til GaN-baseret LED epitaksial wafer.

GaN wafer krystalliseret fra et væskefase ligevægtssystem, der viser sin store krystallinitet med få dislokationer. Udbyttet og effektiviteten af ​​forskellige produkter fremstillet ved hjælp af disse galliumnitridskiver.

På grund af dets lave indhold af urenheder giver GaN wafers lave lysabsorptionsfaktorer og stor gennemsigtighed, der hjælper med at forbedre outputtet.

For vores galliumnitrid wafermarked bekymrer vi os om kundens specifikationer. Vi dækker også tilpassede arrangementer til kommercielle og forskningsmæssige applikationer og nye eksklusive teknologier. Som en pålidelig leverandør af galliumnitrid wafer leverer vi typiske og tilpassede emballager. Du kan kontakte os for mere information.

er blevet tilføjet til din indkøbskurv:
Checkout