As a basic semiconductor substrate, monocrystalline silicon (Si) wafers provided by Ganwafer have high standards of purity, surface flatness, cleanliness, and impurity contamination in order to maintain the original designed functions of the chip. Specifically as follows:
1) Si wafer krystal renhed og fejlfri struktur: Renheden af vores halvleder enkeltkrystal Si wafer skal være over 99,999999999%, og den bare Si wafer er sammensat af silicium enkeltkrystaller. Siliciumstrukturen ligner diamanternes;
2) Overfladerenhed af ren siliciumwafer: overfladepartikelstørrelsen af siliciumwafersubstrat kan nå nanometerniveauet, og mikropartiklerne på den tynde siliciumwafer, der bruges i den avancerede proces, er mindre end 1 nm;
3) Overfladeplanhed af Si wafer-substrat: Overfladehøjdeforskellen er mindre end 1 nm;
4) Ingen urenhedsforurening: Overfladeindholdet af urenheder på siliciumwafere til salg er mindre end en ti milliarddel, og kravene til parameterkontrol er højere med fremskridt i fremstillingsprocesser.
Der er mange typer Si wafer. Fra perspektivet af produktionskapaciteten hos siliciumwaferleverandøren kan enkeltkrystal siliciumwafers opdeles i tre typer i henhold til deres diametre: 6 tommer og derunder (150 mm og derunder), 8 tommer (200 mm) og 12 tommer (300 mm).
Blandt dem bruges 12-tommer siliciumwafer normalt i avancerede fremstillingsprocesser til integrerede kredsløb under 90nm: involverer avancerede felter såsom logiske chips (CPU, GPU), hukommelseschips, FPGA'er og ASIC'er. Markedets efterspørgsel har nydt godt af efterspørgslen efter teknologisk opgradering af terminale halvlederprodukter såsom smartphones, computere, cloud computing og kunstig intelligens.
8 tommer siliciumwafer bruges normalt i specielle processer fra 90nm til mikrometer: involverer strømenheder, strømstyringsenheder, MEMS, skærmdrivere og fingeraftryksgenkendelseschips. I fremtiden vil markedsefterspørgslen i applikationer såsom tingenes internet og bilelektronik stige, hvilket vil fremme den fortsatte udvidelse af Si wafer-markedet.
6 tommer Si wafer bruges normalt i 0,35-1,2 mikron processen: involverer strømenheder, diskrete enheder og andre felter.
