Ganwafer offers N-type, P-type, and semi-insulating gallium nitride substrate, template and gallium nitride epitaxial wafer for HEMT with low marco defect density and dislocation density.
Ganwafer is a leading gallium nitride semiconductor manufacturer that offers wafers in different thicknesses and orientations with polished or unpolished sides and can comprise dopants. Gallium nitride is a wideband gap material that provides higher efficiency and power density than conventional semiconductors at the device level. The benefits include converting into size reduction, less power consumption, and affordable cost.
S příchodem epitaxní technologie je nitrid galia na křemíkovém plátku, safírovém plátku nebo SiC plátku komplexní vícevrstvá struktura vyrostlá epitaxí. Tenký film z nitridu galia se široce používá k výrobě elektronických zařízení s vynikajícím výkonem, včetně LED, LD nebo jiných aplikací. Náš produkt sahá od volně stojícího substrátu GaN, šablony GaN na safír/SiC/křemík, GaN HEMT na safír/SiC/křemík až po epitaxní wafer LED na bázi GaN.
GaN plátek krystalizoval z rovnovážného systému v kapalné fázi, který vykazuje svou velkou krystalinitu s několika dislokacemi. Výstup a účinnost různých produktů vyrobených pomocí těchto plátků z nitridu galia.
Díky nízkému obsahu nečistot poskytují destičky GaN nízké faktory absorpce světla a velkou transparentnost, která pomáhá zlepšit výstup.
Na našem trhu s plátky z nitridu galia se zajímáme o specifikace klienta. Pokrýváme také zakázková ujednání pro komerční a výzkumné aplikace a nové exkluzivní technologie. Jako spolehlivý dodavatel plátků z nitridu galia dodáváme typická i zakázková balení. Pro více informací nás můžete kontaktovat.
