GaN LED wafer til salg er epitaksialt dyrket på safir og silicium. Desuden kan vi tilbyde LED-epitaksi på galliumarsenid (GaAs) substrat.
Ganwafer is one of leading LED Wafer Manufacturers that offers wafers that can be in different thicknesses and orientations with polished or unpolished sides and can comprise dopants. As a wide band gap semiconductor material, GaN provides higher efficiency and power density than conventional semiconductors at the device level. The LED epitaxial wafer based on GaN has benefits like size reduction, less power consumption, and affordable cost.
Med udviklingen af LED-wafer-fremstillingsproces er GaN LED-epitaksial-wafer en kompleks flerlagsstruktur vokset gennem epitaksi. LED epi wafer er meget brugt til at producere elektroniske enheder, der viser overlegen ydeevne, herunder blå, rød, grøn eller UV LED, LD eller andre applikationer. Bølgelængden af vores LED wafer produktion med grøn, blå eller rød emission varierer fra 365nm til 870nm. LED wafer ydelse forbedrer output og effektivitet af forskellige produkter.
Vi fokuserer på kundernes krav og tilbyder emballage på LED-waferniveau. Vores LED wafer-løsninger er til kommercielle og forskningsmæssige applikationer og ny teknologi, forskning og udvikling.
