GaN på Sapphire HEMT Wafer
Ganwafer offers GaN on Sapphire wafers with HEMT structure and GaN template on Sapphire substrate for power or RF devices. The epitaxial layers of GaN based materials and devices are mainly grown on sapphire substrates. Why epitaxial GaN growth on Sapphire? Reasons are that sapphire substrate has many advantages: firstly, sapphire substrate has mature production technology and good device quality; secondly, sapphire has good stability and can be used in high temperature growth process; finally, sapphire has high mechanical strength and is easy to handle and clean. Therefore, most of the GaN HEMT wafer processes are based on sapphire. However, using sapphire as substrate also has some problems, such as lattice mismatch and thermal stress mismatch, which will produce a large number of defects in the GaN / Sapphire epitaxial layer and cause difficulties in the subsequent device processing.
Og se venligst nedenfor GaN-on-Sapphire HEMT wafer specifikationer:
- Beskrivelse
- Forespørgsel
Beskrivelse
1. GaN på Sapphire Wafer med HEMT-struktur til strømapplikation
| Wafer størrelse | 2", 3", 4", 6" |
| AlGaN / GaN HEMT-struktur | Se 1.2 |
| Bærertæthed | 6E12~2E13 cm2 |
| Hall mobilitet | / |
| XRD(102)FWHM | ~bue.sek |
| XRD(002)FWHM | ~bue.sek |
| Ark modstand | / |
| AFM RMS (nm) på 5x5um2 | <0,25nm |
| Bue(um) | <=35um |
| Kantekskludering | <2 mm |
| SiN passiveringslag | 0~30nm |
| Al sammensætning | 20-30 % |
| I komposition | 17 % for InAlN |
| GaN hætte | / |
| AlGaN/(In)AlN barriere | / |
| AlN mellemlag | / |
| GaN kanal | / |
| C-doteret GaN-buffer | / |
| Nøgenhed | / |
| Underlagsmateriale | Safirunderlag |
2. GaN HEMT-struktur på safirsubstrat til RF-anvendelse
| Wafer størrelse | 2", 3", 4", 6" |
| AlGaN / GaN HEMT-struktur | Se 1.2 |
| Bærertæthed | 6E12~2E13 cm2 |
| Hall mobilitet | / |
| XRD(102)FWHM | / |
| XRD(002)FWHM | / |
| Ark modstand | / |
| AFM RMS (nm) på 5x5um2 | <0,25nm |
| Bue(um) | <=35um |
| Kantekskludering | <2 mm |
| siN passiveringslag | 0~30nm |
| u-GaN dæklag | / |
| Al sammensætning | 20-30 % |
| I komposition | 17 % for InAlN |
| AlGaN barrierelag | 20~30nm |
| AlN afstandsstykke | / |
| GaN bufferlag(um) | / |
| GaN kanal | / |
| Fe-doteret GaN-buffer | / |
| Nøgenhed | / |
| Underlagsmateriale | Safirunderlag |
Bemærkning:
Den kinesiske regering har annonceret nye grænser for eksport af galliummaterialer (såsom GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs og GaSb) og germaniummaterialer, der bruges til at fremstille halvlederchips. Fra den 1. august 2023 er eksport af disse materialer kun tilladt, hvis vi opnår en licens fra det kinesiske handelsministerium. Håber på din forståelse!
