GaN på Silicon HEMT Wafer
Ganwafer offers GaN (Gallium Nitride) on Silicon (Si) Epitaxy HEMT wafer and GaN template on Si substrate. According to different applications, GaN on Silicon HEMT wafer can be classified into GaN-on-Silicon wafer for D-mode, GaN on Silicon substrate for E-mode and GaN on Silicon wafer for RF application. GaN based power electronic devices are still very expensive compared with Si devices. One of the ways to solve the cost problem is to fabricate GaN based heterostructures by epitaxy on Si substrate, and then to fabricate GaN based devices by complementary metal oxide semiconductor (CMOS) technology, so that the cost performance of the devices is better than that of Si devices. However, it is much more difficult to grow GaN on Silicon substrates than on SiC and sapphire substrates. The lattice mismatch ratio of GaN (0001) and Silicon (111) is as high as 16.9%, and the thermal expansion coefficient mismatch (thermal mismatch) is as high as 56%. These are main epitaxial challenges of GaN on Silicon, which may be able to be solved by introducing a buffer layer to GaN on Silicon wafer substrate. As a leading GaN on Silicon HEMT wafer manufacturer, we continuously develop our existing GaN on Silicon technology to gain a better wafer to you. And now please see below GaN on Si wafer specification:
- Beskrivelse
- Forespørgsel
Beskrivelse
1. GaN på silicium HEMT wafer, D-MODE
1.1 Specifikation af GaN HEMT Wafer på silicium, D-MODE
Wafer størrelse | 2", 4", 6", 8" |
AlGaN / GaN HEMT-struktur | Se 1.2 |
Bærertæthed | >9E12 cm2 |
Hall mobilitet | / |
Ark modstand | / |
AFM RMS (nm) på 5x5um2 | <0,25nm |
Bue(um) | <=30 um |
Kantekskludering | <5 mm |
SiN passiveringslag | 0~5nm |
u-GaN dæklag | 2 nm |
Al sammensætning | 20-30 % |
AlGaN barrierelag | / |
GaN kanal | / |
AlGaN buffer | / |
AlN | / |
Underlagsmateriale | Silicium substrat |
Si wafer tykkelse (μm) | 675um(2″), 1000um(4″), 1300um(6″), 1500um(8″) |
1.2 Struktur af GaN HEMT wafer på silicium, D-MODE
2. GaN på silicium HEMT epitaksi, E-MODE
Wafer størrelse | 2", 4", 6", 8" |
AlGaN / GaN HEMT-struktur | Se 1.2 |
Resterende 2DEG tæthed (Vg=0 V) | <1e18/cm3 |
AFM RMS (nm) på 5x5um2 | <0,25nm |
Bue(um) | <=30 um |
Kantekskludering | <5 mm |
p-GaN | / |
u-GaN dæklag | / |
Al sammensætning | 20-30 % |
AlGaN barrierelag | / |
GaN kanal | / |
AlGaN buffer | / |
Underlagsmateriale | Silicium substrat |
Si wafer tykkelse (μm) | 675um(2″), 1000um(4″), 1300um(6″), 1500um(8″) |
3. Galliumnitrid HEMT-wafer på silicium til RF-anvendelse
Wafer størrelse | 2", 4", 6", 8" |
AlGaN / GaN HEMT-struktur | Se 1.2 |
Bærertæthed | >9E12 cm2 |
Hall mobilitet | / |
Ark modstand | / |
AFM RMS (nm) på 5x5um2 | <0,25nm |
Bue(um) | <=30 um |
Kantekskludering | <5 mm |
SiN passiveringslag | 0~5nm |
u-GaN dæklag | / |
Al sammensætning | 20-30 % |
AlGaN barrierelag | / |
GaN kanal | / |
AlGaN buffer | / |
AlN | / |
Underlagsmateriale | Silicium substrat |
Si-substratresistivitet (Ω cm) | > 3000 |
Si wafer tykkelse (μm) | 1000um(2″), 1000um(4″), 1300um(6″), 1500um(8″) |
Bemærkning:
Den kinesiske regering har annonceret nye grænser for eksport af galliummaterialer (såsom GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs og GaSb) og germaniummaterialer, der bruges til at fremstille halvlederchips. Fra den 1. august 2023 er eksport af disse materialer kun tilladt, hvis vi opnår en licens fra det kinesiske handelsministerium. Håber på din forståelse!