BYG DIN EGEN HALVLEDERE WAFER
Ganwafer possesses a strong technical R&D team, constantly improving the quality of existing wafers, like SiC, GaN and III-V compound, and developing latest material and devices as per the market.
Semiconductor Wafer Technology At Ganwafer
As a condensed matter physics research center and a leading manufacturer of compound semiconductor material in China, Ganwafer, we specialize in creating cutting-edge crystal growth and epitaxy technologies.
En wafer står for en tynd skive af en halvleder, såsom SiC eller GaN Wafer, som især bruges til fremstilling af integrerede kredsløb til fremstilling af højeffektenheder eller RF-enheder.
Vores wafer-kategori
Som en førende forsknings- og produktionsvirksomhed er vi dedikeret til at forske og skabe CZ silicium wafer og ingot siden 1990, og derefter udvikle anden generation GaAs og InP wafer og tredje generation SiC og GaN wafer siden 2004. Derfor spænder vores wafer fra SiC/GaN wafer, III-V wafer og silicium wafer, inklusive substrat og epitaksi.
Seneste nyheder
Hvorfor vælge os
In order to get the most efficient services, you need to hire a professional and highly skilled compound semiconductor material manufacturing company. This is where Ganwafer plays a significant role that concentrates on superior systems, unconventional engineering design, and practical research.
Du skal være opmærksom på, at halvlederwafere er den vigtigste del af fremstillingsproceduren for vores mest almindeligt anvendte elektroniske enheder. Det hjælper kredsløbene af forskellige elektroniske enheder til at køre glat og påvirke udbyttehastigheden. Som en viden- og teknologiintensiv virksomhed er vi specialiseret i forskning og produktion af sammensatte halvlederwafere. Vi tilbyder sammensat halvledermateriale, der integrerer halvlederkrystalvækst, procesudvikling og epitaksi. Hvis du søger højkvalitets, dygtigt fremstillede waferprodukter, så er vi kun et telefonopkald væk fra dit hjem. Ring til os i dag uden tøven.
Kontakt os
Ganwafer is a top-class enterprise for compound semiconductor material integrating semiconductor crystal growth, process development, and epitaxy.