GaAs-Wafer

GaAs-Wafer

Single crystal Gallium Arsenide (GaAs) wafer is offered from Ganwafer – a leading GaAs substrate supplier for opto-electronics and micro-electronics industry for making LD, LED, microwave circuit and solar cell applications. The gallium arsenide substrates are in diameter range from 2″ to 6″ in various thicknesses and orientations. We offer single crystal GaAs substrates produced by VGF method, allowing us to provide customers the widest choice of GaAs material with high uniformity of electrical properties and excellent surface quality.

Beschreibung

1. Spezifikationen des GaAs-Wafers

1.1 Galliumarsenid-(GaAs)-Wafer für LED-Anwendungen

Artikel Technische Daten Bemerkungen
Conduction Typ SC / n-Typ SC / p-Typ mit Zn-Spinnlösung erhältlich
Growth-Methode VGF
Dotierstoff Silizium Zn verfügbar
Wafer-Durchmesser 2, 3 & 4 Zoll Ingot oder als geschnittene verfügbar
Kristallorientierung (100)2°/6°/15° aus (110) Andere Fehlorientierung verfügbar
VON EJ oder US
Ladungsträgerkonzentration (0,4 ~ 2,5) E18/cm3
Der spezifische Widerstand bei RT (1,5 ~ 9) E-3 Ohm.cm
Mobilität 1500 ~ 3000 cm2/V.sec
Ätzgrübchendichte <5000/cm2
Laserbeschriftung auf Anfrage
Oberflächenfinish P / E oder P / P
Dicke 220 ~ 450um
Epitaxy Bereit Ja
Paket Einzelner Waferbehälter oder Kassette

 

1.2 Einkristall-Galliumarsenid-Substrat für LD-Anwendungen

Artikel Technische Daten Bemerkungen
Conduction Typ SC / n-Typ
Growth-Methode VGF
Dotierstoff Silizium
Wafer-Durchmesser 2, 3 & 4 Zoll Ingot oder als geschnittene verfügbar
Kristallorientierung (100)2°/6°/15°aus (110) Andere Fehlorientierung verfügbar
VON EJ oder US
Ladungsträgerkonzentration (0,4 ~ 2,5) E18/cm3
Der spezifische Widerstand bei RT (1,5 ~ 9) E-3 Ohm.cm
Mobilität 1500 ~ 3000 cm2/V.sec
Ätzgrübchendichte <500/cm2
Laserbeschriftung auf Anfrage
Oberflächenfinish P / E oder P / P
Dicke 220 ~ 350um
Epitaxy Bereit Ja
Paket Einzelner Waferbehälter oder Kassette

 

1.3 Halbisolierender Galliumarsenid-Wafer für Mikroelektronik-Anwendungen

Artikel Technische Daten Bemerkungen
Conduction Typ isolierend
Growth-Methode VGF
Dotierstoff C doped
Wafer-Durchmesser 2, 3 & 4 Zoll Barren vorhanden
Kristallorientierung (100) +/- 0,5 °
VON EJ, USA oder Kerbe
Ladungsträgerkonzentration n / A
Der spezifische Widerstand bei RT > 1E7 Ohm.cm
Mobilität >5000cm2/V.sec
Ätzgrübchendichte <8000/cm2
Laserbeschriftung auf Anfrage
Oberflächenfinish P / P
Dicke 350 ~ 675um
Epitaxy Bereit Ja
Paket Einzelner Waferbehälter oder Kassette

 

1.4 150mm GaAs Wafer Substrate, Semi-insulated for Microelectronics Applications (including Fabrication of THz Photoconductive Antennas)

Artikel Technische Daten Bemerkungen
Conduction Typ Halbisolierendem -
wachsen Methode VGF -
Dotierstoff C doped -
Typ N. -
Durchmesser (mm) 150 ± 0,25 -
Orientierung (100) 0 ° ± 3,0 ° -
NOTCH Orientierung (010)±2° -
Kerbtiefe (mm) (1-1,25) mm 89 ° -95 ° -
Ladungsträgerkonzentration Bitte wenden Sie sich an unser Verkaufsteam -
Spezifischer Widerstand (ohm.cm) >1,0 × 107oder 0,8-9 x 10-3 -
Mobilität (cm2 / vs) Bitte wenden Sie sich an unser Verkaufsteam -
Luxation Bitte wenden Sie sich an unser Verkaufsteam -
Dicke (um) 675 ± 25 -
Kantenausschluss für Bogen und Kette (mm) Bitte wenden Sie sich an unser Verkaufsteam -
Bogen (um) Bitte wenden Sie sich an unser Verkaufsteam -
Warp (um) ≤20,0 -
TTV (um) ≤10,0 -
TIR (um) ≤10,0 -
LFPD (um) Bitte wenden Sie sich an unser Verkaufsteam -
Polieren P / P Epi-Ready -

 

1.5 2″ LT-GaAs (Low Temperature-Grown Gallium Arsenide) Waferspezifikationen

Artikel Technische Daten
Conduction Typ Halbisolierendem
wachsen Methode VGF
Dotierstoff C doped
Typ N.
Durchmesser (mm) 150 ± 0,25
Orientierung (100) 0 ° ± 3,0 °
NOTCH Orientierung (010)±2°
Kerbtiefe (mm) (1-1,25) mm 89 ° -95 °
Ladungsträgerkonzentration Bitte wenden Sie sich an unser Verkaufsteam
Spezifischer Widerstand (ohm.cm) >1,0 × 107oder 0,8-9 x 10-3
Mobilität (cm2/vs) Bitte wenden Sie sich an unser Verkaufsteam
Luxation Bitte wenden Sie sich an unser Verkaufsteam
Dicke (um) 675 ± 25
Kantenausschluss für Bogen und Kette (mm) Bitte wenden Sie sich an unser Verkaufsteam
Bogen (um) Bitte wenden Sie sich an unser Verkaufsteam
Warp (um) ≤20,0
TTV (um) ≤10,0
TIR (um) ≤10,0
LFPD (um) Bitte wenden Sie sich an unser Verkaufsteam
Polieren P / P Epi-Ready

 

Galliumarsenid-Substrat kann als Substratmaterial für das epitaxiale Wachstum anderer Halbleiter verwendet werden, wie beispielsweise Aluminiumgalliumarsenid (AlGaAs) und Indiumgalliumarsenid (InGaAs). Eine direkte Galliumarsenid-Bandlücke kann Licht effektiv emittieren und absorbieren. Galliumarsenid-Einkristallwafer hat eine extrem hohe Elektronenmobilität, die es GaAs-Transistoren ermöglicht, bei Frequenzen von über 250 GHz zu arbeiten und das Rauschen zu reduzieren. Hohe Frequenzen neigen dazu, elektrische Signalinterferenzen in elektronischen Schaltungen zu reduzieren.

2. Fragen und Antworten zum Galliumarsenid-Wafer

2.1 Was ist der GaAs-Prozess?

Vor der Herstellung von Bauelementen müssen GaAs-Wafer vollständig gereinigt werden, um alle Schäden zu beseitigen, die während des Zerteilungsprozesses aufgetreten sind. Nach der Reinigung werden die Galliumarsenid-Wafer chemisch-mechanisch poliert/poliert (CMP) für die abschließende Materialentfernungsstufe. Dieser CMP-Prozess ermöglicht die Erzielung von superflachen, spiegelähnlichen Oberflächen mit einer verbleibenden Rauhigkeit im atomaren Maßstab. Und dann ist der Galliumarsenid-Halbleiterwafer bereit für die Herstellung.

2.2 Was ist ein GaAs-Wafer?

Galliumarsenid (GaAs) ist eine Verbindung aus Gallium und Arsen, die ein III-V-Halbleiter mit direkter Bandlücke mit einer Zinkblende-Kristallstruktur ist.

Galliumarsenid-Wafer ist ein wichtiges Halbleitermaterial. Es gehört zu den Verbindungshalbleitern der Gruppe III-V. Es ist eine Gitterstruktur vom Sphalerit-Typ mit einer Gitterkonstante von 5,65 × 10-10 m, einem Schmelzpunkt von 1237 ℃ und einer Bandlücke von 1,4 EV. Ein GaAs-Einkristall kann zu halbisolierenden hochohmigen Materialien mit einem um mehr als drei Größenordnungen höheren spezifischen Widerstand als Silizium und Germanium verarbeitet werden, die zur Herstellung von Substraten für integrierte Schaltungen, Infrarotdetektoren, γ-Photonendetektoren usw. verwendet werden können. Aufgrund der Elektronenmobilität von Galliumarsenid-Substrat ist 5-6 mal größer als die von Silizium, Galliumarsenid-Wafer zum Verkauf ist weit verbreitet in Mikrowellengeräten und digitalen Hochgeschwindigkeitsschaltungen verwendet worden. Die aus GaAs hergestellte Halbleitervorrichtung hat die Vorteile einer hohen Frequenz, einer hohen Temperatur und einer niedrigen Temperatur, eines geringen Rauschens und eines starken Strahlungswiderstands. Aufgrund der hervorragenden Eigenschaften von Galliumarsenid kann es auch zur Herstellung von Masseneffektgeräten verwendet werden.

 

Anmerkung:
Die chinesische Regierung hat neue Beschränkungen für den Export von Galliummaterialien (wie GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs und GaSb) und Germaniummaterialien zur Herstellung von Halbleiterchips angekündigt. Ab dem 1. August 2023 ist der Export dieser Materialien nur noch erlaubt, wenn wir eine Lizenz des chinesischen Handelsministeriums erhalten. Hoffe auf ihr Verständnis!

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