CZ-Siliziumwafer
CZ silicon (Si) wafer produced by Ganwafer is grown by Czochralski (CZ) method, which is the mainstream technology for monocrystalline silicon growth with low cost established in the 1950s. In Czochralski method, the raw poly-silicon block is put into a quartz crucible, heated and melted in a single crystal furnace, and then a rod-shaped seed (seed crystal) with a diameter of only 10 mm is immersed in the melt. At a suitable temperature, the silicon atoms in the melt will be arranged along the silicon atoms of the seed and form regular crystals at the solid-liquid interface to become single crystals. Czochralski method can be used to manufacture 2 “, 4”, 8”, 12“ semiconductor polished wafers, epitaxial wafers, SOI and other semiconductor silicon wafers, mainly used in logic, memory chips and low-power integrated circuit components.
- Beschreibung
- Anfrage
Beschreibung
1. Spezifikationen des CZ-Siliziumwafers
1.1 12-Zoll-CZ-Siliziumwafer
| 12-Zoll-CZ-Siliziumwafer | |||
| Artikel | Parameter | ||
| Material | Monokristallines Silizium | ||
| Klasse | Prime-Klasse | ||
| Growth-Methode | CZ | ||
| Durchmesser | 300,0 ± 0,3 mm, 12″ | 300,0 ± 0,3 mm, 12″ | 300,0 ± 0,3 mm, 12″ |
| Leitfähigkeitstyp | Intrinsisch | N-Typ | P-Typ |
| Dotierstoff | niedrig dotiert | Phosphor | Bor |
| Orientierung | [111]±0,5° | [100]±0,5° | (100) ± 0,5 ° |
| Dicke | 500 ± 15 μm | 500 ± 25 μm | 775 ± 25 μm |
| Der spezifische Widerstand | >10.000 Ωcm | 0-10Ωcm | 1-10Ωcm |
| RRV | <40 % (ASTM F81 Plan C) | ||
| SEMI-STD-Kerbe | SEMI-STD-Kerbe | SEMI-STD-Kerbe | SEMI-STD-Kerbe |
| Oberflächenfinish | 1SP, SSP Einseitig-Epi-fertig-poliert, Rückseite geätzt |
1SP, SSP Eine Seite poliert Rückseite säuregeätzt |
1SP, SSP Eine Seite poliert Rückseite säuregeätzt |
| Rand abgerundet | Abgerundete Kanten nach SEMI-Standard | Abgerundete Kanten nach SEMI-Standard | Abgerundete Kanten nach SEMI-Standard |
| Partikel | <20 Zählungen bei 0,3 μm | ||
| Rauheit | <1nm | ||
| TTV | <10um | <10um | <10um |
| Bow / Warp | <30 um | <40 um | <40 um |
| TIR | <5µm | ||
| Sauerstoffgehalt | <2E16/cm3 | ||
| Kohlenstoffgehalt | <2E16/cm3 | ||
| OISF | <50/cm² | ||
| RÜHREN (15x15mm) | <1,5 µm | ||
| Oberflächenmetallkontamination Fe,Zn, Cu,Ni, K,Cr |
≤5E10 Atome/cm2 | ||
| Versetzungsdichte | SEMI STD | SEMI STD | 500 max/cm2 |
| Chips, Kratzer, Beulen, Dunst, Berührungsspuren, Orangenhaut, Löcher, Risse, Schmutz, Verunreinigungen | Alle keine | ||
| Laser-Markierung | SEMI STD | Option Laser serialisiert: Flacher Laser |
Entlang der Wohnung Auf der Vorderseite |
1,2 8-Zoll-CZ-Siliziumwafer mit TTV <6 μm
| 8-Zoll-CZ-Siliziumwafer mit TTV<6μm | |||
| Artikel | Parameter | ||
| Material | Monokristallines Silizium | ||
| Klasse | Prime-Klasse | ||
| Growth-Methode | CZ | ||
| Durchmesser | 200,0 ± 0,5 mm, 8″ | 200,0 ± 0,5 mm, 8″ | 200,0 ± 0,2 mm, 8″ |
| Leitfähigkeitstyp | P-Typ | P-Typ | P-Typ |
| Dotierstoff | Bor | Bor | Bor |
| Orientierung | [111]±0,5° | [100]±0,5° | (111) ±0,5° |
| Dicke | 1.000 ± 15 μm | 725 ± 50 μm | 1.000 ± 25 μm |
| Der spezifische Widerstand | <1Ωcm | 10-40Ωcm | <100 Ωcm |
| RRV | <40 % (ASTM F81 Plan C) | ||
| SEMI-STD-Kerbe | SEMI-STD-Kerbe | SEMI-STD-Kerbe | SEMI-STD-Kerbe |
| Oberflächenfinish | 1SP, SSP Einseitig-Epi-fertig-poliert, Rückseite geätzt |
1SP, SSP Eine Seite poliert Rückseite säuregeätzt |
1SP, SSP Eine Seite poliert Rückseite säuregeätzt |
| Rand abgerundet | Abgerundete Kanten nach SEMI-Standard | Fasenbreite 250-350μm | Abgerundete Kanten nach SEMI-Standard |
| Partikel | <10 Zählungen bei 0,3 μm | <20 Zählungen bei 0,3 μm | <10 Zählungen bei 0,3 μm |
| Rauheit | <1nm | ||
| TTV | <6um | <10um | <6um |
| Bow / Warp | <60 um | <40 um | <60 um |
| TIR | <5µm | ||
| Sauerstoffgehalt | <2E16/cm3 | ||
| Kohlenstoffgehalt | <2E16/cm3 | ||
| OISF | <50/cm² | ||
| RÜHREN (15x15mm) | <1,5 µm | ||
| Oberflächenmetallkontamination Fe,Zn, Cu,Ni, K,Cr |
≤5E10 Atome/cm2 | ||
| Versetzungsdichte | SEMI STD | SEMI STD | < 10-2 cm-2 |
| Chips, Kratzer, Beulen, Dunst, Berührungsspuren, Orangenhaut, Löcher, Risse, Schmutz, Verunreinigungen | Alle keine | ||
| Laser-Markierung | SEMI STD | Option Laser serialisiert: Flacher Laser |
Entlang der Wohnung Auf der Vorderseite |
1,3 6-Zoll-CZ-Siliziumwafer mit Partikel < 20 Zählern bei 0,3 μm
| 6-Zoll-CZ-Siliziumwafer mit Partikelzahl <20 bei 0,3 μm | |||
| Artikel | Parameter | ||
| Material | Monokristallines Silizium | ||
| Klasse | Prime-Klasse | ||
| Growth-Methode | CZ | ||
| Durchmesser | 6″(150.0±0.5mm) | ||
| Leitfähigkeitstyp | P-Typ | P-Typ | P-Typ |
| Dotierstoff | Bor | Bor | Bor |
| Orientierung | <111>±0,5° | [111]±1° | (100) ± 0,5 ° |
| Dicke | 675 ± 25 μm | 675 ± 10 μm 1.000 ± 25 µm |
675 ± 25 μm |
| Der spezifische Widerstand | 0,1-13Ωcm | 0,01-0,02 Ωcm | 1-100Ωcm |
| RRV | <40 % (ASTM F81 Plan C) | ||
| Primäre Wohnung | SEMI STD | SEMI STD | SEMI STD |
| sekundäre Wohnung | SEMI STD | SEMI STD | SEMI STD |
| Oberflächenfinish | 1SP, SSP Eine Seite poliert, Epi-ready Rückseite säuregeätzt |
1SP, SSP Eine Seite poliert Rückseite säuregeätzt |
1SP, SSP Eine Seite poliert Rückseite säuregeätzt |
| Rand abgerundet | Abgerundete Kanten nach SEMI-Standard | Abgerundete Kanten nach SEMI-Standard | Abgerundete Kanten nach SEMI-Standard |
| Partikel | <20 Zählungen bei 0,3 μm | ≤10@≥0,3μm | |
| Rauheit | <0,5nm | <1nm | <0,5nm |
| TTV | <10um | <10um | <12um |
| Bow / Warp | <30 um | <40 um | <60 um |
| TIR | <5µm | ||
| Sauerstoffgehalt | <2E16/cm3 | ||
| Kohlenstoffgehalt | <2E16/cm3 | ||
| OISF | <50/cm² | ||
| RÜHREN (15x15mm) | <1,5 µm | ||
| Oberflächenmetallkontamination Na, Al, K, Fe, Ni, Cu, Zn |
≤5E10 Atome/cm2 | ||
| Versetzungsdichte | SEMI STD | SEMI STD | 500 max/cm2 |
| Chips, Kratzer, Beulen, Dunst, Berührungsspuren, Orangenhaut, Löcher, Risse, Schmutz, Verunreinigungen | Alle keine | Alle keine | Anlaufen, Orangenhaut, Verunreinigung, Dunst, Mikrokratzer, Absplitterungen, Kantenabsplitterungen, Risse, Krähenfüße, Nadellöcher, Grübchen, Dellen, Welligkeit, Flecken und Narben auf der Rückseite: alles keine |
| Laser-Markierung | SEMI STD | SEMI STD | SEMI STD |
1,4 4 Zoll CZ Siliziumwafer
| 4-Zoll-CZ-Siliziumwafer | |||
| Artikel | Parameter | ||
| Material | Monokristallines Silizium | ||
| Klasse | Prime-Klasse | ||
| Growth-Methode | CZ | ||
| Durchmesser | 4″(100.0±0.5mm) | ||
| Leitfähigkeitstyp | P- oder N-Typ | P-Typ | - - |
| Dotierstoff | Bor oder Phosphor | Bor | - - |
| Orientierung | <100> ±0,5° | - - | (100) oder (111) ± 0,5° |
| Dicke | 525 ± 25 μm | 525 ± 25 μm | 300 ± 25 μm |
| Der spezifische Widerstand | 1-20Ωcm | 0,002 – 0,003 Ωcm | 5-10 Ohmcm |
| RRV | <40 % (ASTM F81 Plan C) | ||
| Primäre Wohnung | SEMI STD Wohnungen | SEMI STD Wohnungen | 32,5 +/- 2,5 mm, bei 110 ± 1 ° |
| sekundäre Wohnung | SEMI STD Wohnungen | SEMI STD Wohnungen | 18 ± 2 mm, bei 90 ° ± 5 ° zur primären Ebene |
| Oberflächenfinish | Einseitig-Epi-fertig-poliert, Rückseite geätzt |
||
| Rand abgerundet | Abgerundete Kanten nach SEMI-Standard | ||
| Partikel | <20 Zählungen bei 0,3 μm | ||
| Rauheit | <0,5nm | ||
| TTV | <10um | ||
| Bow / Warp | <40 um | ||
| TIR | <5µm | ||
| Sauerstoffgehalt | <2E16/cm3 | ||
| Kohlenstoffgehalt | <2E16/cm3 | ||
| OISF | <50/cm² | ||
| RÜHREN (15x15mm) | <1,5 µm | ||
| Oberflächenmetallkontamination Fe,Zn, Cu,Ni, K,Cr |
≤5E10 Atome/cm2 | ||
| Versetzungsdichte | 500 max/cm2 | ||
| Chips, Kratzer, Beulen, Dunst, Berührungsspuren, Orangenhaut, Löcher, Risse, Schmutz, Verunreinigungen | Alle keine | ||
| Laser-Markierung | Entlang der Wohnung Auf der Vorderseite Option Laser serialisiert: Flacher Laser |
||
1,5 2-Zoll-CZ-Si-Wafer
| 2-Zoll-CZ-Siliziumwafer | |||
| Artikel | Parameter | ||
| Material | Monokristallines Silizium | ||
| Klasse | Prime-Klasse | ||
| Growth-Methode | CZ | ||
| Durchmesser | 2 "(50,8 ± 0,5 mm) | ||
| Leitfähigkeitstyp | P- oder N-Typ | - - | P-Typ |
| Dotierstoff | Bor oder Phosphor | - - | Bor |
| Orientierung | <100> | (100) oder (111) ± 0,5° | - - |
| Dicke | 150 ± 25 μm | 275 ± 25 μm | - - |
| Der spezifische Widerstand | 1-200Ωcm | - - | 0,01-0,02 Ωcm |
| RRV | <40 % (ASTM F81 Plan C) | ||
| Primäre Wohnung | SEMI STD Wohnungen | ||
| sekundäre Wohnung | SEMI STD Wohnungen | ||
| Oberflächenfinish | Eine Seite poliert Rückseite säuregeätzt |
||
| Partikel | <20 Zählungen bei 0,3 μm | ||
| Rauheit | <0,5nm | <0,5nm | - - |
| TTV | <10um | - - | <10um |
| Bow / Warp | <30 um | <20um | - - |
| TIR | <5µm | ||
| Sauerstoffgehalt | <2E16/cm3 | ||
| Kohlenstoffgehalt | <2E16/cm3 | ||
| OISF | <50/cm² | ||
| RÜHREN (15x15mm) | <1,5 µm | ||
| Oberflächenmetallkontamination Fe,Zn, Cu,Ni, K,Cr |
≤5E10 Atome/cm² | ||
| Versetzungen | Keiner | ||
| Chips, Kratzer, Beulen, Dunst, Berührungsspuren, Orangenhaut, Löcher, Risse, Schmutz, Verunreinigungen | Alle keine | ||
2. Stickstoff im Czochralski-Prozess von Siliziumwafern
Stickstoff spielt eine sehr wichtige Rolle in CZ-Siliziumblöcken, und eine kleine Menge an Stickstoffdotierung wirkt sich positiv auf die Leistung von Einkristallsilizium aus. Es gibt viele Methoden, Stickstoff aktiv hinzuzufügen: Verwendung von Stickstoffschutz während des CZ-Siliziumkristallzüchtungsprozesses oder Zugabe von Siliziumnitridpulver zum geschmolzenen Silizium; und Stickstoffionenimplantation. Bei einer Temperatur von etwa 1415 Grad beträgt die Sättigungslöslichkeit von Stickstoff in Siliziumschmelze und einkristallinem Silizium 6 × 1018cm-3und 4,5 × 1015cm-3, bzw. Da der Gleichgewichtsseigerungskoeffizient von Stickstoff in Silizium 7 × 10 beträgt-4ist die Stickstoffkonzentration während des Wachstums von Silikon CZ im Allgemeinen kleiner als 5 × 1015 cm-3.
Die Wechselwirkung von Stickstoff und Sauerstoff in einkristallinem Czochralski-Silizium kann einen Stickstoff-Sauerstoff-Komplex bilden, der mehrere Absorptionspeaks in den mittleren und fernen Infrarot-Absorptionsspektren aufweist. Der Stickstoff-Sauerstoff-Komplex ist eine Art flacher Donator und hat elektrische Aktivität. Durch Kombinieren von Infrarotabsorptions- und Widerstandstests kann festgestellt werden, dass sich mit dem Verschwinden des Infrarotabsorptionspeaks des Stickstoff-Sauerstoff-Komplexes während des Glühprozesses der spezifische Widerstand oder die Ladungsträgerkonzentration des Einkristall-Siliciumwafer-Halbleiters entsprechend ändern wird. Die elektrische Aktivität des Stickstoff-Sauerstoff-Komplexes kann durch Hochtemperaturglühen eliminiert werden. Das Dotieren von Stickstoff in CZ-Einkristall-Si-Wafer hat eine hemmende Wirkung auf die Bildung von thermischen Donatoren und neuen Donatoren.
Das Dotieren von Stickstoff in großformatiges Czochralski-Silizium kann die Größe und Dichte von Defekten vom Hohlraumtyp verändern, so dass die Defekte vom Hohlraumtyp leicht durch Hochtemperaturglühen beseitigt werden können. Außerdem kann der Stickstoff die Verzugsbeständigkeit des CZ-Si-Substrats verbessern und die Ausbeute an integrierten Schaltungen verbessern, die auf Siliziumwafern nach dem Czochralski-Verfahren hergestellt werden.
