Nass- oder trockenthermische Oxid-Siliziumwafer

Nass- oder trockenthermische Oxid-Siliziumwafer

Nasses oder trockenes thermisches Oxid (SiO2) auf Siliziumwafern ist in den Größen 4“, 6“ und 12“ erhältlich. Thermischer Oxid-Siliziumwafer ist ein blanker Siliziumwafer mit einer Siliziumoxidschicht, die durch einen trockenen oder nassen thermischen Oxidationsprozess gewachsen ist. Die Oxidation in der Industrie wird hauptsächlich in trockenen Sauerstoff (Oxidation mit reinem Sauerstoff) und feuchten Sauerstoff (unter Verwendung von Wasserdampf als Oxidationsmittel) unterteilt. Diese beiden Oxidationen sind in Struktur und Leistung sehr ähnlich. Eine qualitativ hochwertige Oxidschicht auf der Oberfläche des Siliziumwafers ist sehr wichtig für den gesamten Herstellungsprozess von integrierten Halbleiterschaltungen. Das thermische Aufwachsen von Siliziumoxid wird nicht nur als Maskierungsschicht für Ionenimplantation oder thermische Diffusion verwendet, sondern auch als Passivierungsschicht, um sicherzustellen, dass die Oberfläche des Bauelements nicht von der umgebenden Atmosphäre beeinflusst wird.

Beschreibung

Der thermische Oxidationsprozess von Silizium wird in zwei Stufen unterteilt: vom linearen Wachstum zum parabolischen Wachstum. In der Phase des linearen Wachstums können Sauerstoffatome direkt mit Silizium in Kontakt treten, um eine Dicke des linearen Wachstums von 0,01 um sicherzustellen. Wenn Siliziumdioxid (SiO2) an der Siliziumoberfläche haftet, erfordert der verbleibende Teil der Oxidation eine Diffusion, um den Kontakt zwischen Siliziumatomen und Sauerstoffatomen sicherzustellen, um Kohlendioxid zu bilden. Zu diesem Zeitpunkt tritt es in ein parabolisches Wachstum ein. Parabolisches Wachstum verringert die Produktionsrate der Oxidschicht, weil manchmal die Rate des thermischen Wachstums von Siliziumoxid durch zunehmenden Wasserdampf beschleunigt wird.

Mehr über unsere Siliziumwafer mit thermischer Oxidation siehe unten:

1. 12-Zoll-Prime-Si-Wafer mit thermischem Oxidfilm

12-Zoll-Prime-Si-Wafer mit thermischem Oxidfilm
Artikel Parameter
Material Monokristallines Silizium
Klasse Prime-Klasse
Growth-Methode CZ
Durchmesser 12″ (300,0 ± 0,3 mm)
Leitfähigkeitstyp P-Typ
Dotierstoff Bor
Orientierung <100> ±0,5°
Dicke 775 ± 25 μm 775 ± 25 um 650 ± 25 μm
Der spezifische Widerstand 1-100Ωcm 1-100Ωcm >10Ωcm
RRV N / A
SEMI-STD-Kerbe SEMI-STD-Kerbe
Oberflächenfinish Vorderseite Finish Hochglanzpoliert
Rückseitenfinish Hochglanzpoliert
Rand abgerundet Rand abgerundet
Gemäß SEMI-Standard
Die Dicke des isolierenden thermischen Oxidationsfilms Oxidschichtdicke 5000 Å auf beiden Seiten
Partikel ≤100 Zählungen bei 0,2 μm
Rauheit <5Å
TTV <15um
Bow / Warp Bow≤20μm, Warp≤40μm
TIR <5µm
Sauerstoffgehalt <2E16/cm3
Kohlenstoffgehalt <2E16/cm3
OISF <50/cm²
RÜHREN (15x15mm) <1,5 µm
MCC-Lebensdauer N / A
Oberflächenmetallkontamination
Fe,Zn, Cu,Ni, K,Cr
2E10 Atome/cm2
Versetzungsdichte SEMI STD
Chips, Kratzer, Beulen, Dunst, Berührungsspuren, Orangenhaut, Löcher, Risse, Schmutz, Verunreinigungen Alle keine
Laser-Markierung Lasermarkierung Rückseite T7. M12

 

2. 6-Zoll-Prime Thermal Oxide Si-Wafer

6-Zoll-Prime-Si-Wafer mit thermischem Oxidfilm
Artikel Parameter
Material Monokristallines Silizium
Klasse Prime-Klasse
Growth-Methode CZ
Durchmesser 6 "(150 ± 0,3 mm)
Leitfähigkeitstyp P-Typ P-Typ N-Typ N-Typ
Dotierstoff Bor Bor Phosphor Phosphor
oder Antimon
Orientierung <100> ±0,5°
Dicke 1.500 ± 25 μm 530 ± 15 um 700 ± 25 μm
1.000 ± 25 μm
525 ± 25 μm
675 ± 25 μm
Der spezifische Widerstand 1-100Ωcm 0-100Ωcm 0,01–0,2 Ωcm 0,01–0,2 Ωcm
RRV N / A
Primäre Wohnung SEMI STD
sekundäre Wohnung SEMI STD
Oberflächenfinish 1SP, SSP
Einseitig-Epi-fertig-poliert,
Rückseite geätzt
Rand abgerundet Rand abgerundet
Gemäß SEMI-Standard
Die Dicke des isolierenden thermischen Oxidationsfilms 200 A thermisches Oxid und 1200 A LPCVD-Nitrid – stöchiometrisch
Partikel SEMI STD
Rauheit SEMI STD
TTV <15um
Bow / Warp <40 um
TIR <5µm
Sauerstoffgehalt <2E16/cm3
Kohlenstoffgehalt <2E16/cm3
OISF <50/cm²
RÜHREN (15x15mm) <1,5 µm
MCC-Lebensdauer N / A
Oberflächenmetallkontamination
Fe,Zn, Cu,Ni, K,Cr
SEMI STD
Versetzungsdichte SEMI STD
Chips, Kratzer, Beulen, Dunst, Berührungsspuren, Orangenhaut, Löcher, Risse, Schmutz, Verunreinigungen Alle keine
Laser-Markierung SEMI STD

 

3. 4-Zoll-Thermaloxid-Siliziumwafer

4-Zoll-Prime-Si-Wafer mit thermischer Oxidschicht
Artikel Parameter
Material Monokristallines Silizium
Klasse Prime-Klasse
Growth-Methode CZ
Durchmesser 50,8 ± 0,3 mm, 2″ 100 ±0,3 mm, 4″ 76,2 ± 0,3 mm, 3″
Leitfähigkeitstyp P-Typ N-Typ N-Typ
Dotierstoff Bor Phosphor Phosphor
Orientierung <100> ±0,5° [100]±0,5° (100)±1°
Dicke 675±20μm 675±20μm 380±20μm
Der spezifische Widerstand ≥10Ωcm ≥10Ωcm 1-20Ωcm
RRV N / A
Primäre Wohnung SEMI STD SEMI STD 22.5±2.5mm, (110)±1°
sekundäre Wohnung SEMI STD SEMI STD SEMI STD
Oberflächenfinish 1SP, SSP
Einseitig-Epi-fertig-poliert,
Rückseite geätzt
1SP, SSP
One Side Polished
Back Side Acid Etched
1SP, SSP
One Side Polished
Back Side Acid Etched
Rand abgerundet Edge Rounded Per SEMI Standard Edge Rounded Per SEMI Standard Edge Rounded Per SEMI Standard
Die Dicke des isolierenden thermischen Oxidationsfilms 100nm or 300nm
Partikel SEMI STD
Rauheit <5A
TTV <15um
Bow / Warp <40 um
TIR <5µm
Sauerstoffgehalt <2E16/cm3
Kohlenstoffgehalt <2E16/cm3
OISF <50/cm²
RÜHREN (15x15mm) <1,5 µm
MCC-Lebensdauer N / A
Oberflächenmetallkontamination
Fe,Zn, Cu,Ni, K,Cr
≤5E10 atoms/cm2
Versetzungsdichte 500 max/ cm2
Chips, Kratzer, Beulen, Dunst, Berührungsspuren, Orangenhaut, Löcher, Risse, Schmutz, Verunreinigungen Alle keine
Laser-Markierung SEMI STD Option Laser Serialized:
Shallow laser
Along The Flat
On The Front Side

 

The thickness of the silicon dioxide layer used in silicon-based devices varies widely, and the main application of thermal oxide growth silicon wafers is according to the SiO2 thickness. For example:

The thermal oxide wafer is used for tunnel gate, when silica thickness on thermal oxide silicon interface is 60~100Å;

When the SiO2 thickness at 150~500Å, thermal oxide (100) wafer is used as gate oxide layer or capacitor dielectric layer;

For the thickness of 200~500Å, silicon oxide wafer is used as LOCOS oxide layer;

Wenn die Dicke 2000–5000 Å erreicht, wird der thermische Oxid-Si-Wafer als Maskenoxidschicht und Oberflächenpassivierungsschicht verwendet;

Nass-/Trocken-Thermooxid-Siliziumwafer werden als Feldoxid verwendet, da die Oxidschicht 3000 bis 10000 Å erreicht.

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