Ganwafer offers semiconductor silicon carbide (SiC) substrate and silicon carbide wafer epitaxy with polytype of 6H and 4H. We have different quality grades to meet the demands of researchers and industry manufacturers.
Wir haben die fortschrittliche Siliziumkarbid-Kristallzüchtungstechnologie und den Siliziumkarbid-Wafer-Herstellungsprozess entwickelt, der zur Herstellung von Siliziumkarbid-Substraten und Siliziumkarbid-Epitaxie beiträgt. Das SiC-Substrat wird in Optoelektronik, Leistungsbauelementen, Hochtemperaturbauelementen sowie GaN-Epitaxiebauelementen verwendet. Während SiC-Epitaxiewafer für die Herstellung von Bipolartransistoren (BJT), Gate-Turn-Off-Thyristoren (GTO), Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBT), Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFET), Sperrschicht-Feldeffekttransistoren (JFETs) und Schottky-Dioden.
Was ist ein SiC-Wafer?
Siliziumkarbid-Wafer ist typischerweise ein Halbleitermaterial der nächsten Generation und zeichnet sich durch elektrische Eigenschaften und hervorragende thermische Eigenschaften aus. Am wichtigsten ist, dass blanke Siliziumkarbid-Wafer für Hochtemperatur- und Hochleistungsgeräteanwendungen geeignet sind. Da Siliziumkarbid im Bereich von über 5 Größenordnungen ohne Aufwand mit n- oder p-Typ dotiert werden kann, ist es das beste Material unter den Halbleitern mit breiter Bandlücke.
Aufgrund seiner physikalischen und elektronischen Eigenschaften ist es der einzige Verbindungshalbleiter, der das Wachstum von Siliziumkarbid-Wafern für kurzwellige optoelektronische, hochtemperaturbeständige, strahlungsbeständige und elektronische Hochleistungs-/Hochfrequenzgeräte geeignet macht. Als Isolator ist es möglich, die komplette elektronische Vorrichtung auf der Basis einer Metalloxid-Halbleitergruppe mit Siliziumkarbid-Substrat herzustellen.
Die Härte der Siliziumkarbid-Waferproduktion ist ein weiterer Faktor, der dem Material mehrere Vorteile bei Hochgeschwindigkeits-, Hochtemperatur- und/oder Hochspannungsanwendungen bietet.
Als einer der führenden Hersteller von Siliziumkarbid-Wafern aus den Bereichen fortschrittliche und High-Tech-Materialforschung, staatliche Institute und Chinas Semiconductor Lab sind wir bestrebt, die Qualität aktueller Substrate unaufhörlich zu verbessern und großformatige SiC-Substrate zu entwickeln.
