Ganwafer offers semiconductor silicon carbide (SiC) substrate and silicon carbide wafer epitaxy with polytype of 6H and 4H. We have different quality grades to meet the demands of researchers and industry manufacturers.
Chúng tôi đã phát triển công nghệ tăng trưởng tinh thể cacbua silicon tiên tiến và quy trình sản xuất tấm wafer silicon cacbua giúp sản xuất chất nền cacbua silic và biểu mô cacbua silicon. Chất nền SiC được sử dụng trong quang điện tử, thiết bị nguồn, thiết bị nhiệt độ cao cũng như thiết bị kết hợp GaN. Trong khi tấm wafer hình trục SiC dùng để chế tạo bóng bán dẫn tiếp giáp lưỡng cực (BJT), Thyristor tắt cổng (GTO), bóng bán dẫn lưỡng cực cổng cách điện (IGBT), bóng bán dẫn hiệu ứng trường bán dẫn oxit kim loại (MOSFET), bóng bán dẫn hiệu ứng trường tiếp giáp (JFET) và điốt Schottky.
SiC Wafer là gì?
Tấm wafer silicon cacbua là vật liệu bán dẫn thế hệ tiếp theo thường và nó có đặc tính điện và đặc tính nhiệt vượt trội. Quan trọng nhất, tấm wafer silicon cacbua trần thích hợp cho các ứng dụng thiết bị nhiệt độ cao và công suất lớn. Vì cacbua silic có thể pha tạp với loại n hoặc loại p trong phạm vi bậc trên 5 độ lớn mà không cần nỗ lực, nên nó là vật liệu tốt nhất trong các chất bán dẫn dải tần rộng.
Nó là chất bán dẫn hợp chất duy nhất do các đặc tính vật lý và điện tử của nó giúp tăng trưởng wafer silicon cacbua thích hợp cho quang điện tử bước sóng ngắn, nhiệt độ cao, chống bức xạ và các thiết bị điện tử công suất cao / tần số cao. Là một chất cách điện, có thể chế tạo thiết bị điện tử hoàn chỉnh dựa trên nhóm chất bán dẫn ôxít kim loại với chất nền cacbua silic.
Độ cứng của sản xuất wafer silicon cacbua là một yếu tố khác mang lại cho vật liệu một số lợi ích, trong các ứng dụng tốc độ cao, nhiệt độ cao và / hoặc điện áp cao.
Là một trong những nhà sản xuất tấm wafer silicon cacbua hàng đầu từ các lĩnh vực nghiên cứu vật liệu tiên tiến và công nghệ cao và các viện nhà nước và Phòng thí nghiệm bán dẫn của Trung Quốc, chúng tôi cam kết không ngừng nâng cao chất lượng của chất nền hiện tại và phát triển chất nền SiC kích thước lớn.
