GaN epi on sapphire or silicon template is available with N-type, P-type, and semi-insulating type. Our gallium nitride (GaN) template is available in diameters from 2” up to 6”, and consists of a thin layer of crystalline GaN grown on a sapphire/silicon substrate. GaN films on sapphire and silicon from Ganwafer have extremely high breakdown voltage and industry-leading low defect control, which is used in power and electronic devices. Moreover, GaN on silicon wafer will be perfect for the outbreak of the 5G market and lead the future trend of the RF industry.
Em estudos anteriores para GaN em substrato de safira, foi encontrada evidência de formação de microfissuras no substrato de safira durante o crescimento de GaN. Mas pensava-se que a formação de macrofissuras que se estendem até a superfície do GaN se originava apenas da incompatibilidade térmica. Mais tarde, quando as camadas de GaN na safira cresceram além de 100 mm, descobriu-se que havia um processo de relaxamento eficiente para o modelo de GaN na safira. O crescimento do molde GaN-on-safira livre de rachaduras, aproximando-se de 2 polegadas de diâmetro, foi demonstrado. Verificou-se que as rachaduras geralmente já são formadas durante o crescimento do molde GaN/safira devido à tensão de tração formada durante a nucleação precoce. Esta formação precoce de rachaduras no GaN no molde de safira pode ter efeitos adversos; microfissuras no substrato de safira podem atuar como pontos de fratura inicial subsequentes para aliviar a tensão aumentada devido aos diferentes coeficientes de expansão térmica das camadas e do substrato durante o resfriamento. Mesmo que possam ser encontradas condições de crescimento que levem à cicatrização de rachaduras durante o crescimento, isso é verdade. A difusividade dos filmes de GaN crescidos na superfície da safira é considerada um parâmetro importante para a cicatrização de tais trincas.
