GaN em Safira HEMT Wafer

GaN em Safira HEMT Wafer

Ganwafer offers GaN on Sapphire wafers with HEMT structure and GaN template on Sapphire substrate for power or RF devices. The epitaxial layers of GaN based materials and devices are mainly grown on sapphire substrates. Why epitaxial GaN growth on Sapphire? Reasons are that sapphire substrate has many advantages: firstly, sapphire substrate has mature production technology and good device quality; secondly, sapphire has good stability and can be used in high temperature growth process; finally, sapphire has high mechanical strength and is easy to handle and clean. Therefore, most of the GaN HEMT wafer processes are based on sapphire. However, using sapphire as substrate also has some problems, such as lattice mismatch and thermal stress mismatch, which will produce a large number of defects in the GaN / Sapphire epitaxial layer and cause difficulties in the subsequent device processing.

E agora, veja abaixo as especificações do wafer GaN-on-Sapphire HEMT:

Descrição

1. GaN em bolacha de safira com estrutura HEMT para aplicação de energia

Tamanho da bolacha 2”, 3”, 4”, 6”
Estrutura AlGaN/GaN HEMT Consulte 1.2
Densidade da portadora 6E12~2E13cm2
Mobilidade do salão /
XRD(102)FWHM ~arc.sec
XRD(002)FWHM ~arc.sec
Resistividade da folha /
AFM RMS (nm) de 5x5um2 <0,25nm
Arco (um) <=35um
exclusão de borda <2mm
Camada de passivação SiN 0~30nm
Al composição 20-30%
Em composição 17% para InAlN
Limite de GaN /
Barreira AlGaN/(In)AlN /
AlN intercalar /
canal GaN /
Tampão GaN dopado com C /
Nudez /
Material do substrato Substrato de safira

 

2. Estrutura GaN HEMT em substrato de safira para aplicação de RF

Tamanho da bolacha 2”, 3”, 4”, 6”
Estrutura AlGaN/GaN HEMT Consulte 1.2
Densidade da portadora 6E12~2E13cm2
Mobilidade do salão /
XRD(102)FWHM /
XRD(002)FWHM /
Resistividade da folha /
AFM RMS (nm) de 5x5um2 <0,25nm
Arco (um) <=35um
exclusão de borda <2mm
camada de passivação sin 0~30nm
camada de cobertura u-GaN /
Al composição 20-30%
Em composição 17% para InAlN
camada de barreira AlGaN 20~30nm
Espaçador AlN /
Camada de buffer GaN (um) /
canal GaN /
Tampão GaN dopado com Fe /
Nudez /
Material do substrato Substrato de safira

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