GaN em Safira HEMT Wafer
Ganwafer offers GaN on Sapphire wafers with HEMT structure and GaN template on Sapphire substrate for power or RF devices. The epitaxial layers of GaN based materials and devices are mainly grown on sapphire substrates. Why epitaxial GaN growth on Sapphire? Reasons are that sapphire substrate has many advantages: firstly, sapphire substrate has mature production technology and good device quality; secondly, sapphire has good stability and can be used in high temperature growth process; finally, sapphire has high mechanical strength and is easy to handle and clean. Therefore, most of the GaN HEMT wafer processes are based on sapphire. However, using sapphire as substrate also has some problems, such as lattice mismatch and thermal stress mismatch, which will produce a large number of defects in the GaN / Sapphire epitaxial layer and cause difficulties in the subsequent device processing.
E agora, veja abaixo as especificações do wafer GaN-on-Sapphire HEMT:
- Descrição
- Investigação
Descrição
1. GaN em bolacha de safira com estrutura HEMT para aplicação de energia
Tamanho da bolacha | 2”, 3”, 4”, 6” |
Estrutura AlGaN/GaN HEMT | Consulte 1.2 |
Densidade da portadora | 6E12~2E13cm2 |
Mobilidade do salão | / |
XRD(102)FWHM | ~arc.sec |
XRD(002)FWHM | ~arc.sec |
Resistividade da folha | / |
AFM RMS (nm) de 5x5um2 | <0,25nm |
Arco (um) | <=35um |
exclusão de borda | <2mm |
Camada de passivação SiN | 0~30nm |
Al composição | 20-30% |
Em composição | 17% para InAlN |
Limite de GaN | / |
Barreira AlGaN/(In)AlN | / |
AlN intercalar | / |
canal GaN | / |
Tampão GaN dopado com C | / |
Nudez | / |
Material do substrato | Substrato de safira |
2. Estrutura GaN HEMT em substrato de safira para aplicação de RF
Tamanho da bolacha | 2”, 3”, 4”, 6” |
Estrutura AlGaN/GaN HEMT | Consulte 1.2 |
Densidade da portadora | 6E12~2E13cm2 |
Mobilidade do salão | / |
XRD(102)FWHM | / |
XRD(002)FWHM | / |
Resistividade da folha | / |
AFM RMS (nm) de 5x5um2 | <0,25nm |
Arco (um) | <=35um |
exclusão de borda | <2mm |
camada de passivação sin | 0~30nm |
camada de cobertura u-GaN | / |
Al composição | 20-30% |
Em composição | 17% para InAlN |
camada de barreira AlGaN | 20~30nm |
Espaçador AlN | / |
Camada de buffer GaN (um) | / |
canal GaN | / |
Tampão GaN dopado com Fe | / |
Nudez | / |
Material do substrato | Substrato de safira |
Observação:
O governo chinês anunciou novos limites à exportação de materiais de gálio (como GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs e GaSb) e materiais de germânio usados para fabricar chips semicondutores. A partir de 1º de agosto de 2023, a exportação desses materiais só será permitida se obtivermos uma licença do Ministério do Comércio chinês. Espero sua compreensão!