GaN trên Sapphire HEMT Wafer
Ganwafer offers GaN on Sapphire wafers with HEMT structure and GaN template on Sapphire substrate for power or RF devices. The epitaxial layers of GaN based materials and devices are mainly grown on sapphire substrates. Why epitaxial GaN growth on Sapphire? Reasons are that sapphire substrate has many advantages: firstly, sapphire substrate has mature production technology and good device quality; secondly, sapphire has good stability and can be used in high temperature growth process; finally, sapphire has high mechanical strength and is easy to handle and clean. Therefore, most of the GaN HEMT wafer processes are based on sapphire. However, using sapphire as substrate also has some problems, such as lattice mismatch and thermal stress mismatch, which will produce a large number of defects in the GaN / Sapphire epitaxial layer and cause difficulties in the subsequent device processing.
Và bây giờ vui lòng xem thông số kỹ thuật tấm wafer GaN-on-Sapphire HEMT dưới đây:
- Sự miêu tả
- Cuộc điều tra
Miêu tả
1. GaN trên Sapphire Wafer với cấu trúc HEMT cho ứng dụng nguồn
Kích thước Wafer | 2 ”, 3”, 4 ”, 6” |
cấu trúc AlGaN / GaN HEMT | Tham khảo 1.2 |
Mật độ tàu sân bay | 6E12 ~ 2E13 cm2 |
Hội trường di động | / |
XRD (102) FWHM | ~ arc.sec |
XRD (002) FWHM | ~ arc.sec |
Điện trở suất tấm | / |
AFM RMS (nm) 5x5um2 | <0,25nm |
Cúi chào (ừm) | <= 35um |
loại trừ cạnh | <2mm |
Lớp thụ động SiN | 0 ~ 30nm |
Thành phần Al | 20-30% |
Trong sáng tác | 17% cho InAlN |
GaN cap | / |
Rào cản AlGaN / (Trong) AlN | / |
Lớp xen kẽ AlN | / |
Kênh GaN | / |
Bộ đệm GaN pha tạp C | / |
Khỏa thân | / |
Vật liệu nền | Sapphire bề mặt |
2. Cấu trúc GaN HEMT trên nền Sapphire cho ứng dụng RF
Kích thước Wafer | 2 ”, 3”, 4 ”, 6” |
cấu trúc AlGaN / GaN HEMT | Tham khảo 1.2 |
Mật độ tàu sân bay | 6E12 ~ 2E13 cm2 |
Hội trường di động | / |
XRD (102) FWHM | / |
XRD (002) FWHM | / |
Điện trở suất tấm | / |
AFM RMS (nm) 5x5um2 | <0,25nm |
Cúi chào (ừm) | <= 35um |
loại trừ cạnh | <2mm |
lớp thụ động siN | 0 ~ 30nm |
lớp mũ u-GaN | / |
Thành phần Al | 20-30% |
Trong sáng tác | 17% cho InAlN |
Lớp rào cản AlGaN | 20 ~ 30nm |
Bộ đệm AlN | / |
Lớp đệm GaN (um) | / |
Kênh GaN | / |
Bộ đệm GaN pha tạp Fe | / |
Khỏa thân | / |
Vật liệu nền | Sapphire bề mặt |
Nhận xét:
Chính phủ Trung Quốc đã công bố các giới hạn mới đối với việc xuất khẩu vật liệu Gallium (chẳng hạn như GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs và GaSb) và vật liệu Germanium được sử dụng để sản xuất chip bán dẫn. Từ ngày 1 tháng 8 năm 2023 trở đi, chúng tôi chỉ được phép xuất khẩu những nguyên liệu này nếu chúng tôi nhận được giấy phép từ Bộ Thương mại Trung Quốc. Hi vọng bạn hiểu!