Substrato de GaN autônomo de face M
Ganwafer offers M Plane GaN Freestanding Substrate including Si doped, low doped and semi-insulating one. The detail specification of m-plane GaN single crystal substrate is as below:
- Descrição
- Investigação
Descrição
1. Substrato de GaN M-Plane a granel dopado com Si
| Item | GANW-FS-GAN M-N |
| Dimensão | 5 x 10 milímetros2 |
| Espessura | 350 ±25 µm 430 ±25 µm |
| Orientação | Plano M (1-100) fora do ângulo em direção ao eixo A 0 ± 0,5° |
| Plano M (1-100) fora do ângulo em direção ao eixo C -1 ±0,2° | |
| Tipo de condução | N-tipo |
| Resistividade (300K) | < 0,05 Ω·cm |
| TTV | ≤ 10 µm |
| ARCO | -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm |
| Rigidez da superfície | Parte frontal: Ra<0,2 nm, pronto para epi; |
| Verso: Moído fino ou polido. | |
| Densidade deslocamento | De 1 x 105para 5 x 106cm-2 |
| Densidade de Defeito Macro | 0 cm-2 |
| Área útil | > 90% (exclusão de borda) |
| Pacote | cada um em um único recipiente de wafer, sob atmosfera de nitrogênio, embalado em sala limpa classe 100 |
2. Substrato de GaN Independente de Face M não dopado
| Item | GANW-FS-GAN M-U |
| Dimensão | 5 x 10 milímetros2 |
| Espessura | 350 ±25 µm 430 ±25 µm |
| Orientação | Plano M (1-100) fora do ângulo em direção ao eixo A 0 ± 0,5° |
| Plano M (1-100) fora do ângulo em direção ao eixo C -1 ±0,2° | |
| Tipo de condução | N-tipo |
| Resistividade (300K) | < 0,1 Ω·cm |
| TTV | ≤ 10 µm |
| ARCO | -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm |
| Rigidez da superfície | Parte frontal: Ra<0,2 nm, pronto para epi; |
| Verso: Moído fino ou polido. | |
| Densidade deslocamento | De 1 x 105para 5 x 106cm-2 |
| Densidade de Defeito Macro | 0 cm-2 |
| Área útil | > 90% (exclusão de borda) |
| Pacote | cada um em um único recipiente de wafer, sob atmosfera de nitrogênio, embalado em sala limpa classe 100 |
3. Substrato de GaN autônomo de plano M semi-isolante
| Item | GANW-FS-GAN M-SI |
| Dimensão | 5 x 10 milímetros2 |
| Espessura | 350 ±25 µm 430 ±25 µm |
| Orientação | Plano M (1-100) fora do ângulo em direção ao eixo A 0 ± 0,5° |
| Plano M (1-100) fora do ângulo em direção ao eixo C -1 ±0,2° | |
| Tipo de condução | Semi-isolante |
| Resistividade (300K) | >106 Ω·cm |
| TTV | ≤ 10 µm |
| ARCO | -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm |
| Rigidez da superfície | Parte frontal: Ra<0,2 nm, pronto para epi; |
| Verso: Moído fino ou polido. | |
| Densidade deslocamento | De 1 x 105 para 5 x 106cm-2 |
| Densidade de Defeito Macro | 0 cm-2 |
| Área útil | > 90% (exclusão de borda) |
| Pacote | cada um em um único recipiente de wafer, sob atmosfera de nitrogênio, embalado em sala limpa classe 100 |
Observação:
O governo chinês anunciou novos limites à exportação de materiais de gálio (como GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs e GaSb) e materiais de germânio usados para fabricar chips semicondutores. A partir de 1º de agosto de 2023, a exportação desses materiais só será permitida se obtivermos uma licença do Ministério do Comércio chinês. Espero sua compreensão!
