Substrato de GaN autônomo de face M

Substrato de GaN autônomo de face M

Ganwafer offers M Plane GaN Freestanding Substrate including Si doped, undoped and semi-insulating one. The detail specification of m-plane GaN single crystal substrate is as below:

Descrição

1. Substrato de GaN M-Plane a granel dopado com Si

Item GANW-FS-GAN M-N
Dimensão 5 x 10 milímetros2
Espessura 350 ±25 µm 430 ±25 µm
Orientação Plano M (1-100) fora do ângulo em direção ao eixo A 0 ± 0,5°
Plano M (1-100) fora do ângulo em direção ao eixo C -1 ±0,2°
Tipo de condução N-tipo
Resistividade (300K) < 0,05 Ω·cm
TTV ≤ 10 µm
ARCO -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
Rigidez da superfície Parte frontal: Ra<0,2 nm, pronto para epi;
Verso: Moído fino ou polido.
Densidade deslocamento De 1 x 105para 5 x 106cm-2
Densidade de Defeito Macro 0 cm-2
Área útil > 90% (exclusão de borda)
Pacote cada um em um único recipiente de wafer, sob atmosfera de nitrogênio, embalado em sala limpa classe 100

 

2. Substrato de GaN Independente de Face M não dopado

Item GANW-FS-GAN M-U
Dimensão 5 x 10 milímetros2
Espessura 350 ±25 µm 430 ±25 µm
Orientação Plano M (1-100) fora do ângulo em direção ao eixo A 0 ± 0,5°
Plano M (1-100) fora do ângulo em direção ao eixo C -1 ±0,2°
Tipo de condução N-tipo
Resistividade (300K) < 0,1 Ω·cm
TTV ≤ 10 µm
ARCO -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
Rigidez da superfície Parte frontal: Ra<0,2 nm, pronto para epi;
Verso: Moído fino ou polido.
Densidade deslocamento De 1 x 105para 5 x 106cm-2
Densidade de Defeito Macro 0 cm-2
Área útil > 90% (exclusão de borda)
Pacote cada um em um único recipiente de wafer, sob atmosfera de nitrogênio, embalado em sala limpa classe 100

 

3. Substrato de GaN autônomo de plano M semi-isolante

Item GANW-FS-GAN M-SI
Dimensão 5 x 10 milímetros2
Espessura 350 ±25 µm 430 ±25 µm
Orientação Plano M (1-100) fora do ângulo em direção ao eixo A 0 ± 0,5°
Plano M (1-100) fora do ângulo em direção ao eixo C -1 ±0,2°
Tipo de condução Semi-isolante
Resistividade (300K) >106 Ω·cm
TTV ≤ 10 µm
ARCO -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
Rigidez da superfície Parte frontal: Ra<0,2 nm, pronto para epi;
Verso: Moído fino ou polido.
Densidade deslocamento De 1 x 105 para 5 x 106cm-2
Densidade de Defeito Macro 0 cm-2
Área útil > 90% (exclusão de borda)
Pacote cada um em um único recipiente de wafer, sob atmosfera de nitrogênio, embalado em sala limpa classe 100

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