Ganwafer a leading epitaxy foundry of epi wafer and material solutions focuses on epitaxial growth services for semiconductor manufacturing. We design structures for epitaxial growth and manufacture of compound semiconductor epitaxial wafers. Our epi services are used in electronic and photonic device. As for epitaxial process, we provide III-V Epi service (such as RF epitaxial wafer and Photonics epitaxial wafer) based on GaAs Substrate, InP substrate, GaSb Substrate, InAs Substrate, InSb substrate, or in different types of epi on bare substrates with buried layers by MBE or MOCVD. Our excellent epitaxial technologies deliver low to a high concentration for both n-type and p-type, superior specification epi for R&D, and epi specified for mass production.
Chất bán dẫn biểu mô III-V của chúng tôi với đồng nhất và dị sáp bằng các công nghệ lắng đọng biểu mô MOCVD, MBE hoặc CVD, bao gồm SiC trên SiC, GaN trên silicon / SiC / sapphire và III-V epitaxy trên GaAs / InP / InAs / GaSb / Silicon. Và các kích thước wafer III-V dựa trên các dịch vụ xử lý bằng giấy dán tường của chúng tôi có thể đạt tới 50,8mm, 76,2mm, 100mm, 150mm và 200mm.
