GaAs photocathode Epitaxial Wafer
Tấm wafer biểu mô quang điện cực dựa trên sự phát triển biểu mô của bề mặt nền GaAs của AlGaAs / GaAs / AlGaAs, là vật liệu quan trọng của bộ tăng cường vi quang học thế hệ thứ ba. Bộ phận phát hiện được làm bằng wafer photocathode GaAs có thể phản ứng nhanh với ánh sáng cận hồng ngoại và được sử dụng rộng rãi trong lĩnh vực nhìn ban đêm ánh sáng yếu.III-V epi wafer for photocathode material provided by Ganwafer is grown on GaAs substrate with protective films.
1. Đặc điểm kỹ thuật của GaAs Epitaxial Wafer choPhotocathode
1.1 GaAs-Photocathode Structure with Buffer Layer AlxGa1-xAs
1.2 GaAs Photocathode Epitaxial Heterostructure
| 50mm GaAs photocathode Epi-Wafer với các lớp bảo vệ(GANW200311-GAAS) | |||
| Lớp Epi | Chất liệu | Carrier Nồng độ | Độ dày |
| 1 | lớp bảo vệ hòa tan trong nước | - | 1 ô |
| 2 | SiO | - | - |
| 3 | p-Al (0,6) Ga (0,4) Như: Zn | - | - |
| 4 | p + - GaAs: Zn | - | - |
| 5 | p-Al (0,6) Ga (0,4) Như: Zn | - | - |
| 6 | Wafer n-GaAs: Si | (1÷4)*1018 cm-3 | 500um |
| 7 | lớp bảo vệ hòa tan trong nước | 1 ô | |
| Note: a. Deviation of layer thickness is +/-10%;
b. Vật liệu của màng bảo vệ là lớp thụ động SiN. |
|||
2. Giới thiệu về GaAs Photocathode
Photocathode bán dẫn nhóm III-V sớm nhất và trưởng thành hơn là photocathode dựa trên chất nền GaAs, và dải phản ứng quang phổ photocathode GaAs nằm trong vùng ánh sáng nhìn thấy 400-1000 nm, được sử dụng chủ yếu trong lĩnh vực phát hiện ánh sáng yếu. Vì photocathode trục GaAs có các đặc điểm của dải tần đáp ứng rộng, nên có những vấn đề như nhiễu đáp ứng lớn và không có khả năng sử dụng trong mọi thời tiết trong ứng dụng các trường đáp ứng dải hẹp như phát hiện đại dương. Do những hạn chế của trường, một tế bào quang điện GaAlAs với thành phần Al có thể điều chỉnh được được đề xuất để làm cho nó nhạy cảm với ánh sáng xanh lam-lục.
Cho đến nay, photocathode được chế tạo trên tấm GaAs là photocathode được sử dụng rộng rãi nhất trong lĩnh vực nhìn ban đêm ánh sáng yếu. Hiệu suất lượng tử photocathode GaAs (QE) cao và phát xạ tối thấp. Ngoài ra, có rất nhiều lợi thế. Sự phân bố năng lượng và sự phân bố góc của các điện tử phát xạ được tập trung, van sóng dài có thể điều chỉnh được, và thế mở rộng đáp ứng sóng dài lớn.
3. Kích hoạt photocathode GaAs
Tấm wafer hình chóp photocathode dựa trên GaAs là lựa chọn chính để tạo ra chùm điện tử phân cực spin với độ sáng cao, độ phân cực cao và đảo phân cực nhanh. Nhưng do bề mặt phát xạ có tính phản ứng cao nên thời gian tồn tại rất ngắn, dẫn đến khó vận hành. Các nhà nghiên cứu sử dụng vật liệu, như Cs2Te, có độ cứng hơn để kích hoạt GaAs. Phương pháp này cho thấy sự phân cực có thể so sánh với sự hoạt hóa Cs-O và tăng thời gian tồn tại do độ cứng của lớp Cs2Te.
Theo báo cáo, photocathode QE dựa trên kích hoạt Cs-Te trên vật liệu GaAs thấp hơn kích hoạt trên Cs-O. Về kích hoạt Cs-Te, QE của photocathode là 6,6% ở bước sóng 532 nm, trong khi QE là khoảng 8,8% và 4,5% ở bước sóng 532 nm và 780 nm tương ứng thông qua kích hoạt Cs-O-Te. Rõ ràng là có thể thu được hiệu suất lượng tử cao hơn và thời gian tồn tại lâu hơn của photocathode có ái lực điện tử âm GaAs bằng dung dịch Cs-O-Te.
Để biết thêm thông tin, vui lòng liên hệ với chúng tôi qua email sales@ganwafer.com và tech@ganwafer.com.
