GaAs Fotokatot Epitaksiyel Gofret
Fotokatod epitaksiyel gofret, üçüncü nesil mikro-optik yoğunlaştırıcının önemli bir malzemesi olan AlGaAs/GaAs/AlGaAs'ın GaAs substrat epitaksiyel büyümesine dayanır. GaAs fotokatot gofretinden yapılan dedektör ünitesi, yakın kızılötesi ışığa hızla tepki verebilir ve düşük ışıklı gece görüşü alanında yaygın olarak kullanılır.III-V epi gofret for photocathode material provided by Ganwafer is grown on GaAs substrate with protective films.
1. GaAs Epitaksiyel Gofret Özelliklerifotokatot
1.1 GaAs-Photocathode Structure with Buffer Layer AlxGa1-xAs
1.2 GaAs Photocathode Epitaxial Heterostructure
| Koruyucu Katmanlı 50mm GaAs Fotokatot Epi-Wafer(GANW200311-GAAS) | |||
| Epi Katmanı | Malzeme | Taşıyıcı Konsantrasyon | Kalınlığı |
| 1 | suda çözünür koruyucu tabaka | - | 1 um |
| 2 | SiO | - | - |
| 3 | p-Al(0.6)Ga(0.4)As:Zn | - | - |
| 4 | p+ – GaAs:Zn | - | - |
| 5 | p-Al(0.6)Ga(0.4)As:Zn | - | - |
| 6 | Gofret n-GaAs:Si | (1÷4)*1018 santimetre-3 | 500um |
| 7 | suda çözünür koruyucu tabaka | 1 um | |
| Note: a. Deviation of layer thickness is +/-10%;
b. Koruyucu filmin malzemesi SiN pasivasyon tabakasıdır. |
|||
2. GaAs Fotokatot Hakkında
En erken ve daha olgun grup III-V yarı iletken fotokatod, GaAs substratına dayalı fotokatottur ve GaAs fotokatod spektral tepki aralığı, çoğunlukla düşük ışık algılama alanında kullanılan 400-1000 nm'lik görünür ışık bölgesindedir. GaAs epitaksiyel fotokatodun geniş tepki bandı özelliklerine sahip olması nedeniyle, okyanus tespiti gibi dar bantlı tepki alanlarının uygulanmasında büyük tepki gürültüsü ve tüm hava koşullarında kullanılamaması gibi sorunlar vardır. Alanın sınırlamaları nedeniyle, onu mavi-yeşil ışığa duyarlı hale getirmek için ayarlanabilir Al bileşimine sahip bir GaAlAs fotokatod önerilmiştir.
GaAs levhası üzerinde üretilen fotokatot, düşük ışıklı gece görüşü alanında açık ara en yaygın kullanılan foto katottur. GaAs fotokatot kuantum verimliliği (QE) yüksektir ve karanlık emisyon düşüktür. Ayrıca, birçok avantajı vardır. Yayılan elektronların enerji dağılımı ve açısal dağılımı konsantredir, uzun dalga valfi ayarlanabilir ve uzun dalga tepki genişleme potansiyeli büyüktür.
3. GaAs Fotokatot Aktivasyonu
GaAs bazlı fotokatot epitaksiyel gofret, yüksek parlaklık, yüksek polarizasyon ve hızlı polarizasyon inversiyonu ile spin-polarize elektron ışını üretmek için birincil seçimdir. Ancak yayan yüzeyin yüksek reaktivitesi nedeniyle kullanım ömrü çok kısadır ve bu da kullanımda zorluklara yol açar. Araştırmacılar, GaAs'ı etkinleştirmek için Cs2Te gibi daha sert malzemeler kullanıyor. Bu yöntem, Cs-O aktivasyonu ile karşılaştırılabilir bir polarizasyon gösterir ve Cs2Te katman sertliği nedeniyle kullanım ömrünü uzatır.
GaAs malzemesi üzerinde Cs-Te aktivasyonuna dayalı fotokatot QE'nin, Cs-O üzerinde aktive olandan daha düşük olduğu bildirilmektedir. Cs-Te aktivasyonu açısından, fotokatodun QE'si 532 nm dalga boyunda %6,6 iken, QE, Cs-O-Te aktivasyonu ile sırasıyla 532 nm ve 780 nm'de yaklaşık %8,8 ve %4,5'tir. Cs-O-Te çözümü ile daha yüksek kuantum verimi ve daha uzun ömürlü negatif elektron afiniteli GaAs fotokatodunun elde edilebileceği açıkça görülmektedir.
Daha fazla bilgi için lütfen adresinden bize e-posta gönderin sales@ganwafer.com ve tech@ganwafer.com.
