Wafer Epitaxial Fotokatod GaAs
Wafer epitaxial photocathode adalah berdasarkan pertumbuhan epitaxial substrat GaAs bagi AlGaAs/GaAs/AlGaAs, yang merupakan bahan penting bagi penguat mikro-optik generasi ketiga. Unit pengesan yang diperbuat daripada wafer fotokatod GaAs boleh bertindak balas dengan cepat kepada cahaya inframerah dekat, dan digunakan secara meluas dalam bidang penglihatan malam cahaya rendah.wafer epi III-V for photocathode material provided by Ganwafer is grown on GaAs substrate with protective films.
1. Spesifikasi Wafer Epitaxial GaAs untukFotokatod
1.1 GaAs-Photocathode Structure with Buffer Layer AlxGa1-xAs
1.2 GaAs Photocathode Epitaxial Heterostructure
| 50mm GaAs Photocathode Epi-Wafer dengan Lapisan Pelindung(GANW200311-GAAS) | |||
| Lapisan Epi | Bahan | Konsentrasi Pembawa | ketebalan |
| 1 | lapisan pelindung larut air | - | 1 um |
| 2 | SiO | - | - |
| 3 | p-Al(0.6)Ga(0.4)Sebagai:Zn | - | - |
| 4 | p+ – GaAs:Zn | - | - |
| 5 | p-Al(0.6)Ga(0.4)Sebagai:Zn | - | - |
| 6 | Wafer n-GaAs:Si | (1÷4)*1018 cm-3 | 500um |
| 7 | lapisan pelindung larut air | 1 um | |
| Note: a. Deviation of layer thickness is +/-10%;
b. Bahan filem pelindung ialah lapisan pempasifan SiN. |
|||
2. Mengenai GaAs Photocathode
Fotokatod semikonduktor kumpulan III-V yang paling awal dan lebih matang ialah fotokatod berdasarkan substrat GaAs, dan julat tindak balas spektrum fotokatod GaAs berada dalam kawasan cahaya yang boleh dilihat 400-1000 nm, yang digunakan terutamanya dalam bidang pengesanan cahaya rendah. Memandangkan fotokatod epitaxial GaAs mempunyai ciri jalur tindak balas yang luas, terdapat masalah seperti bunyi tindak balas yang besar dan ketidakupayaan penggunaan semua cuaca dalam aplikasi medan tindak balas jalur sempit seperti pengesanan lautan. Disebabkan oleh keterbatasan medan, fotokatod GaAlAs dengan komposisi Al boleh melaras dicadangkan untuk menjadikannya sensitif kepada cahaya biru-hijau.
Photocathode yang direka pada wafer GaAs adalah fotokatod yang paling banyak digunakan dalam bidang penglihatan malam cahaya malap. Kecekapan kuantum fotokatod GaAs (QE) adalah tinggi, dan pelepasan gelap adalah rendah. Selain itu, terdapat banyak kelebihan. Pengagihan tenaga dan pengagihan sudut elektron yang dipancarkan tertumpu, injap gelombang panjang boleh laras, dan potensi pengembangan tindak balas gelombang panjang adalah besar.
3. Pengaktifan Fotokatod GaAs
Wafer epitaxial fotokatod berasaskan GaAs ialah pilihan utama untuk menghasilkan pancaran elektron terpolarisasi spin dengan kecerahan tinggi, polarisasi tinggi dan penyongsangan polarisasi pantas. Tetapi disebabkan oleh kereaktifan tinggi permukaan pemancar, ia mempunyai jangka hayat yang sangat singkat, yang membawa kepada kesukaran dalam operasi. Penyelidik menggunakan bahan, seperti Cs2Te, dengan lebih kekerasan untuk mengaktifkan GaA. Kaedah ini menunjukkan polarisasi yang setanding dengan pengaktifan Cs-O dan meningkatkan jangka hayat kerana ketegasan lapisan Cs2Te.
Dilaporkan bahawa QE fotokatod berdasarkan pengaktifan Cs-Te pada bahan GaAs adalah lebih rendah daripada yang diaktifkan pada Cs-O. Dari segi pengaktifan Cs-Te, QE fotokatod ialah 6.6% pada panjang gelombang 532 nm, manakala QE adalah kira-kira 8.8% dan 4.5% masing-masing pada 532 nm dan 780 nm melalui pengaktifan Cs-O-Te. Jelas kelihatan bahawa kecekapan kuantum yang lebih tinggi dan jangka hayat yang lebih lama bagi fotokatod GaAs afiniti elektron negatif boleh diperolehi dengan larutan Cs-O-Te.
Untuk maklumat lebih lanjut, sila hubungi kami melalui e-mel di sales@ganwafer.com dan tech@ganwafer.com.
