1.5um InGaAsP / InP Struktur Laser Telaga Kuantum

Menggunakan bahan pukal dan telaga kuantum sebagai kawasan aktif, sistem bahan berasaskan InP boleh merangkumi semua panjang gelombang komunikasi gentian optik. Pada masa ini, bahan yang digunakan dalam komunikasi optik tertumpu terutamanya dalam sistem InGaAsP dan GaAlInAs berdasarkan InP. Antaranya, bahan telaga kuantum InGaAsP / InP mempunyai simetri kristal yang tinggi dan kadar hanyutan elektron tepu yang besar. Sifat elektriknya boleh diubah dengan menggunakan medan elektrik. Ia mempunyai kelebihan besar dalam penggunaan peranti optoelektronik semikonduktor. Laser semikonduktor telaga kuantum berkuasa tinggi 1.5um boleh digunakan dalam komunikasi laser angkasa, radar laser, bimbingan laser, dsb.Ganwafer mampu mengeluarkan wafer diod laser untuk memenuhi permintaan peranti anda, maklumat wafer tambahan sila layarihttps://www.ganwafer.com/product/iii-v-epi-wafer/.Di sini kita mengambil heterostruktur laser telaga kuantum 1.5um InGaAsP sebagai contoh:

1. Struktur Laser Telaga Kuantum InGaAsP / InP

PAMP18047 – 1500LD

Panjang gelombang PL: ~1.50um

Bahan kuaternari InGaAsP digunakan sebagai bahan penghalang untuk mengurangkan ketinggian halangan dan membentuk had pembawa dengan ketinggian halangan yang sesuai. Pada masa yang sama, lapisan pandu gelombang pasif simetri bahan kuaternari ditanam di bahagian atas dan bawah kawasan aktif telaga kuantum untuk meningkatkan faktor pengehad optik, dan pengehadan optik dibentuk oleh InP atas dan bawah dengan biasan rendah. indeks. Ketumpatan arus ambang boleh dikurangkan dengan banyaknya oleh struktur laser telaga kuantum lapisan terkurung berasingan.

2. Bagaimana untuk Meningkatkan Kuasa Output Cahaya Diod Laser berasaskan Telaga Kuantum?

Setakat ini, dua faktor utama yang mempengaruhi peningkatan kuasa keluaran ialah kecekapan penukaran elektro-optik (cerun kecekapan) dan kerosakan optik bencana (COC). Kecekapan cerun laser ditentukan oleh kecekapan kuantum dalamannya, kehilangan dalaman dan panjang rongga. Untuk mendapatkan laser berasaskan telaga kuantum dengan kuasa keluaran yang tinggi, kami memberi anda beberapa cadangan daripada mengurangkan kerugian dalaman.

Untuk kehilangan dalaman laser telaga kuantum berganda, mekanisme utamanya disebabkan oleh penyerapan pembawa di dalam bahan, kehilangan penyerakan pandu gelombang, kualiti epitaxial yang tidak sekata atau penyerakan optik yang disebabkan oleh kecacatan bahan. Kualiti wafer laser epitaxial secara langsung mempengaruhi saiz kehilangan dalaman. Untuk peranti, penyerapan pembawa percuma dari kawasan aktif dan lapisan had terdop tinggi, serta sebahagian kecil kehilangan taburan daripada struktur pandu gelombang. Oleh itu, atas premis untuk memastikan kualiti epitaxial bahan, kehilangan dalaman pandu gelombang boleh dikurangkan dengan mereka bentuk secara munasabah taburan medan optik dalam rongga optik dan morfologi doping bahan laser telaga kuantum.

Jumlah kerugian yang disebabkan oleh penyerapan pembawa bebas ditentukan oleh faktor pengehad setiap lapisan, kepekatan elektron dan lubang, dan keratan rentas serakan. Oleh itu, kita boleh mengambil cara berikut untuk mengurangkan jumlah kerugian dalaman:

1) Kurangkan kepekatan doping lapisan pandu gelombang dan lapisan pengehad epitaksi laser untuk mengurangkan kepekatan pembawa;

2) Kurangkan faktor pengehad optik lapisan telaga kuantum;

3) Oleh kerana keratan rentas serakan lubang adalah lebih besar daripada elektron, ia perlu mengurangkan faktor pengehad pelapisan jenis-p dengan memperkenalkan pandu gelombang asimetri untuk memindahkan medan cahaya ke kawasan-n.

Untuk maklumat lebih lanjut, sila hubungi kami melalui e-mel di sales@ganwafer.com dan tech@ganwafer.com.