Struktur Diod Laser InP 1240nm
Sistem bahan InP (Indium Phosphide) termasuk ternary dan quaternaryBahan semikonduktor III-V, such as InGaAs, InGaAsP, InAlGaAs and InAlAsP, which are lattice matched to InP substrate. Among them, quaternary alloy of InAlGaAs lattice matched to InP is an important material for optoelectronic devices. Ganwafer can provide InP laser wafer of Grinsch (GRIN) structure with InAlGaAs epilayers as follows:
1. InGaAlAs / InP Laser Epi Structures
Laser Epi No.1 pada Substrat InP
GANW200729-1240nmLD
1 | InP Substrate
(No. bahan:M01*) |
S-Dopded
2~8 x 1018 |
cm-3 |
2 | N-InP Buffer Layer
(Kepekatan) |
- | um
(cm-3) |
3 | N-InAlAs Layer
(Kepekatan) |
- | um
(cm-3) |
4 | U-GRIN AlQ (AlT hingga 0.96) | 0.1 um | um |
5 | 5 x QW / 6 x Barrier
(λPL=1248.5 nm) |
- | nm
(nm) |
6 | U-GRIN AlQ (0.96 kepada AlT) | - | um |
7 | Lapisan U-InAlAs | - | um |
8 | P-InP Layer
(Kepekatan) |
- | um
(cm-3) |
9 | P-1.1um InGaAsP
(Kepekatan) |
- | um
(cm-3) |
10 | P-InP Layer
(Kepekatan) |
- | um
(cm-3) |
11 | P-InGaAsP Layer
(Kepekatan) |
- | um
(cm-3) |
12 | P-InGaAs Layer
(Kepekatan) |
0.2 um
(>1 x 1019) |
um
(cm-3) |
13 | Kesilapan kekisi | <±500 | ppm |
Struktur Laser No.2 dengan InAlGaAs QW
GANW200730-1240nmLD
Lapisan No. | Bahan | d (nm) | Kedalaman (nm) | Doping (cm) |
1 | n – InP 3″ Substrat (S-doped) | n=2-8e18 | ||
2 | n – lnP | - | - | - |
3 | n – InAlAs | - | - | - |
4 | u-GRIN AIQ (0.96 kepada AIT) | - | - | N / A |
5 | 6 x u-InAlGaAs QW (+1% CS)/
5 x Penghalang u-InAlGaAs (-0.5% TS) |
- | - | N / A |
6 | u-GRIN AIQ (AIT hingga 0.96) | - | - | N / A |
7 | u- InAlAs | - | 962.5 | N / A |
8 | p-InP | - | - | - |
9 | p+-1.3 um InGaAsP (LM) | - | - | - |
10 | p+-1.5 um InGaAsP (LM) | - | - | - |
11 | p++- InGaAs- Cap | 100 | - | p>1e19 |
Catatan:GRIN AlQ (AlT hingga 0.96): Lapisan No.4 dan No.6 ialah lapisan pandu gelombang berperingkat, dan komposisi berubah daripada InAlAs kepada InAlGaAs dengan panjang gelombang 0.96um.
Telah dilaporkan bahawa struktur laser berdasarkan GRIN-SCH mempunyai pelbagai kelebihan berbanding struktur nano berasaskan STEP-SCH, seperti kecekapan suntikan yang lebih tinggi, kecekapan perangkap yang lebih tinggi, masa doping yang jauh lebih singkat dan kekangan pembawa yang dipertingkatkan.
2. Bahan InAlGaAs untuk Diod Laser InP
Dari segi heterostruktur InAlGaAs / InAlAs pada InP, tenaga celah jalur boleh disemak antara tenaga In0.53Ga0.47Sebagai dan Dalam0.52Al0.48Sebagai. Selain itu, InAlGaAs lebih mudah berkembang oleh MBE. Terdapat hanya satu elemen kumpulan V. Oleh itu, komposisi aloi boleh diubah dengan mudah dengan melaraskan nisbah tekanan setara rasuk Kumpulan III, mengawal nisbah As/P dengan lebih baik semasa pertumbuhan InGaAsP.
Nisbah indeks biasan antara pandu gelombang dan pelapisan heterostruktur InAlGaAs / InP adalah lebih tinggi daripada InGaAsP / InP dengan celah jalur yang sama, menjadikan InAlGaAs lebih menarik daripada InGaAsP dalam pelbagai aplikasi. Di samping itu, celah jalur InAlGaAs boleh diubah dengan mudah, tetapi kekisi masih sepadan dengan wafer InP semasa pertumbuhan epitaxial. Sistem bahan AlGaInAs / InP telah diperkenalkan ke kawasan aktif kerana optik yang lebih tinggi boleh diperolehi. Oleh itu, bahan InAlGaAs memainkan peranan yang semakin penting dalam pembuatan peranti pandu gelombang semikonduktor panjang gelombang panjang (cth fabrikasi laser InP).
Untuk maklumat lebih lanjut, sila hubungi kami melalui e-mel di sales@ganwafer.com dan tech@ganwafer.com.