Teknologi Pemendapan Wap Kimia Logam-organik (MOCVD).

Pemendapan wap kimia logam-organik (MOCVD) ialah teknologi pertumbuhan epitaksi fasa wap baharu yang dibangunkan berdasarkan epitaksi fasa wap (VPE). MOCVD menggunakan sebatian organik unsur kumpulan III dan kumpulan II dan hidrida kumpulan V dan unsur kumpulan VI sebagai sumber pertumbuhan kristal, dan menjalankan epitaksi fasa wap pada substrat melalui tindak balas penguraian terma untuk menumbuhkan pelbagai kumpulan utama III-V, subkumpulan II-VI semikonduktor sebatian dan bahan kristal tunggal lapisan nipis bagi larutan pepejal berbilang komponen mereka.Ganwafer can grow epiwafers, like III-V epiwafer, GaN epiwafer, SiC epi wafer and etc, by MOCVD technique.

1. Prinsip Kerja MOCVD

Biasanya proses pertumbuhan MOCVD adalah seperti berikut: bahan sumber tindak balas yang alirannya dikawal dengan tepat disalurkan ke dalam ruang tindak balas kuarza atau keluli tahan karat di bawah gas pembawa (biasanya H2, sesetengah sistem menggunakan N2), dan lapisan epitaxial ditanam selepas tindak balas permukaan berlaku pada substrat. Substrat diletakkan di atas pangkalan yang dipanaskan. Gas ekor yang tinggal selepas tindak balas disapu keluar dari ruang tindak balas dan dilepaskan daripada sistem selepas melalui peranti rawatan gas ekor yang menghilangkan zarah dan ketoksikan. Prinsip kerja MOCVD ditunjukkan dalam rajah:

Prinsip Kerja Sistem MOCVD

2. Keunggulan Teknologi MOCVD

Berbanding dengan teknik pertumbuhan epitaxial yang lain, teknologi MOCVD mempunyai kelebihan berikut:

1) Komponen dan dopan yang digunakan untuk pertumbuhan bahan semikonduktor sebatian dimasukkan ke dalam ruang tindak balas secara gas. Oleh itu, komposisi, kepekatan doping, ketebalan, dan lain-lain boleh dikawal dengan tepat mengawal aliran dan masa on-off sumber gas untuk mengembangkan bahan lapisan nipis dan ultra nipis.

2) Kadar aliran gas dalam ruang tindak balas adalah lebih cepat, sesuai untuk pertumbuhan heterostruktur dan bahan telaga super dan kuantum.

3) Pertumbuhan kristal dijalankan dalam bentuk tindak balas kimia pirolisis, iaitu pertumbuhan epitaxial dalam zon suhu tunggal. Selagi keseragaman aliran gas sumber tindak balas dan pengagihan suhu dikawal dengan baik, keseragaman bahan epitaxial boleh dijamin. Oleh itu, ia sesuai untuk pertumbuhan epitaxial beberapa helaian dan kepingan besar, dan sesuai untuk pengeluaran besar-besaran perindustrian.

4) Biasanya, kadar pertumbuhan kristal adalah berkadar dengan kadar aliran sumber III, jadi kadar pertumbuhan boleh diselaraskan dalam julat yang luas. Kadar pertumbuhan yang lebih cepat sesuai untuk pertumbuhan kelompok.

5) Struktur ruang tindak balas adalah agak mudah kerana keperluan rendah untuk tahap vakum.

Malah, bahagian paling menarik dalam teknologi MOCVD ialah kepelbagaiannya. Selagi sumber organik logam yang sesuai boleh dipilih, pertumbuhan epitaxial boleh dijalankan. Selain itu, selagi pengagihan seragam aliran udara dan suhu dipastikan, kawasan besar bahan seragam boleh diperolehi, yang sesuai untuk pengeluaran perindustrian berskala besar.

3. Aplikasi Khusus Pemendapan Wap Kimia Logam-Organik

Selepas hampir 20 tahun pembangunan pesat, MOCVD telah menjadi salah satu teknologi utama untuk penyediaan bahan kompaun semikonduktor. Untuk memenuhi keperluan pembangunan teknologi mikroelektronik dan optoelektronik, GaAlAs/GaAs, GaInP/GaAs, InAs/InSb, InGaN/GaN, AlGaN/GaN, GaInAsP/InP, AlGaInAs/GaAs dan filem nipis lain disediakan oleh MOCVD .

Perkembangan teknologi MOCVD berkait rapat dengan permintaan untuk penyelidikan bahan semikonduktor kompaun dan fabrikasi peranti, yang seterusnya menggalakkan pembangunan peranti baharu. Pada masa ini, teknologi MOCVD digunakan dalam fabrikasi pelbagai jenis utama peranti semikonduktor kompaun, termasuk: HEMT, PHEMT, HFET, HBT, laser telaga kuantum, laser permukaan rongga menegak, LED dan sebagainya.

Untuk maklumat lebih lanjut, sila hubungi kami melalui e-mel di sales@ganwafer.com dan tech@ganwafer.com.