GaAs fotokatodowy wafel epitaksjalny
Wafel fotokatodowy epitaksjalny oparty jest na podłożu GaAs epitaksjalnego wzrostu AlGaAs/GaAs/AlGaAs, który jest ważnym materiałem wzmacniacza mikrooptycznego trzeciej generacji. Jednostka detektora wykonana z płytki fotokatodowej GaAs może szybko reagować na światło bliskiej podczerwieni i jest szeroko stosowana w dziedzinie nocnego widzenia przy słabym oświetleniu.III-V epi wafel for photocathode material provided by Ganwafer is grown on GaAs substrate with protective films.
1. Specyfikacja płytki epitaksjalnej GaAs dlaFotokatoda
1.1 GaAs-Photocathode Structure with Buffer Layer AlxGa1-xAs
1.2 GaAs Photocathode Epitaxial Heterostructure
| 50mm GaAs Fotokatoda Epi-Wafel z warstwami ochronnymi(GANW200311-GAAS) | |||
| Warstwa Epi | Materialny | Carrier Concentration | Grubość |
| 1 | rozpuszczalna w wodzie warstwa ochronna | - | 1 um |
| 2 | SiO | - | - |
| 3 | p-Al(0,6)Ga(0,4)As:Zn | - | - |
| 4 | p+ – GaAs:Zn | - | - |
| 5 | p-Al(0,6)Ga(0,4)As:Zn | - | - |
| 6 | Wafel n-GaAs:Si | (1÷4)*1018 cm-3 | 500um |
| 7 | rozpuszczalna w wodzie warstwa ochronna | 1 um | |
| Note: a. Deviation of layer thickness is +/-10%;
b. Materiałem folii ochronnej jest warstwa pasywacyjna SiN. |
|||
2. O fotokatodzie GaAs
Najwcześniejszą i bardziej dojrzałą fotokatodą półprzewodnikową grupy III-V jest fotokatoda oparta na podłożu GaAs, a zakres odpowiedzi spektralnej fotokatody GaAs znajduje się w zakresie światła widzialnego 400-1000 nm, który jest używany głównie w dziedzinie wykrywania słabego światła. Ponieważ fotokatoda epitaksjalna GaAs ma charakterystykę szerokiego pasma odpowiedzi, występują problemy, takie jak duży szum odpowiedzi i niemożność wykorzystania w każdych warunkach pogodowych w zastosowaniach wąskopasmowych pól odpowiedzi, takich jak wykrywanie oceanów. Ze względu na ograniczenia tej dziedziny proponuje się fotokatodę GaAlAs z przestrajalnym składem Al, aby uczynić ją wrażliwą na światło niebiesko-zielone.
Fotokatoda wytworzona na płytce GaAs jest zdecydowanie najszerzej stosowaną fotokatodą w dziedzinie nocnego widzenia przy słabym oświetleniu. Wydajność kwantowa fotokatody GaAs (QE) jest wysoka, a ciemna emisja jest niska. Ponadto istnieje wiele zalet. Rozkład energii i rozkład kątowy emitowanych elektronów są skoncentrowane, zawór długofalowy jest regulowany, a potencjał ekspansji odpowiedzi długofalowej jest duży.
3. Aktywacja fotokatody GaAs
Oparta na GaAs fotokatodowa płytka epitaksjalna jest podstawowym wyborem do wytwarzania spolaryzowanej spinowo wiązki elektronów o wysokiej jasności, wysokiej polaryzacji i szybkiej inwersji polaryzacji. Jednak ze względu na dużą reaktywność powierzchni emitującej ma bardzo krótki czas życia, co prowadzi do trudności w eksploatacji. Naukowcy używają materiału, takiego jak Cs2Te, o większej twardości do aktywacji GaAs. Metoda ta wykazuje polaryzację porównywalną z aktywacją Cs-O i zwiększa żywotność ze względu na twardość warstwy Cs2Te.
Poinformowano, że fotokatoda QE oparta na aktywacji Cs-Te na materiale GaAs jest niższa niż aktywowana na Cs-O. Pod względem aktywacji Cs-Te, QE fotokatody wynosi 6,6% przy długości fali 532 nm, podczas gdy QE wynosi około 8,8% i 4,5% odpowiednio przy 532 nm i 780 nm poprzez aktywację Cs-O-Te. Widać oczywiście, że wyższą wydajność kwantową i dłuższy czas życia fotokatody GaAs o ujemnym powinowactwie elektronowym można uzyskać stosując roztwór Cs-O-Te.
Aby uzyskać więcej informacji, prosimy o kontakt mailowy pod adresem sales@ganwafer.com i tech@ganwafer.com.
