Cienkowarstwowy fosforek indowo-galowo-arsenkowy (InGaAsP)
Czwartorzędowy materiał półprzewodnikowy ze stopu fosforku indowo-galowo-arsenkowego (GalnAsP) w połączeniu z jednokrystalicznym podłożem z fosforku indu (InP) ma regulowany zakres przerwy energetycznej 0,75 ~ 1,35 eV. Ponieważ szczelina energetyczna fosforku indu galu i arsenku obejmuje pasma o niskiej stratności 1,33um i 1,55um dla transmisji sygnału z włókna kwarcowego w obecnej komunikacji optycznej, jest często stosowana w strukturze tranzystora bipolarnego z heterogenicznym złączem fosforku indu, lasera emisyjnego z wnęką pionową i inne urządzenia optoelektroniczne. Ganwafer jest w stanie zapewnićWafel epitaksjalny III-VInP/InGaAsP i rozwijaj niestandardową strukturę. Konkretne struktury są następujące:
1. Specyfikacje wafla z fosforku indowo-galowo-arsenkowego
Nr 1 wafel InGaAsP na bazie InP
GANW190513-INGAASP
Epi-warstwa | Materialny | domieszka | Grubość | |
Epi-warstwa 7 | W p | niedomieszkowany | - | |
Epi-warstwa 6g | InGaAsP | - | 75nm | - |
Epi-warstwa 6f | InGaAsP | - | - | - |
Epi-warstwa 6e | InGaAsP | - | - | - |
Epi-warstwa 6d | InGaAsP | - | - | dopasowana do sieci, emitująca przy 1275 nm |
Epi-warstwa 6c | InGaAsP | - | - | - |
Epi-warstwa 6b | InGaAsP | - | - | - |
Epi-warstwa 6a | InGaAsP | - | - | - |
Epi-warstwa 5 | W p | - | - | |
Epi-warstwa 4g | InGaAsP | - | 75nm | - |
Epi-warstwa 4f | InGaAsP | niedomieszkowany | - | - |
Epi-warstwa 4e | InGaAsP | - | - | - |
Epi-warstwa 4d | InGaAsP | - | - | - |
Epi-warstwa 4c | InGaAsP | - | - | - |
Epi-warstwa 4b | InGaAsP | - | - | - |
Epi-warstwa 4a | InGaAsP | - | - | dopasowany do sieci, emitujący przy 1000 nm |
Epi-warstwa 3 | W p | - | - | |
Epi-warstwa 2g | InGaAsP | - | - | - |
Epi-warstwa 2f | InGaAsP | - | - | - |
Epi-warstwa 2e | InGaAsP | - | - | - |
Epi-warstwa 2d | InGaAsP | - | - | - |
Epi-warstwa 2c | InGaAsP | - | 10 nm | - |
Epi-warstwa 2b | InGaAsP | - | - | |
Epi-warstwa 2a | InGaAsP | niedomieszkowany | - | dopasowany do sieci, emitujący przy 1000 nm |
Epi-warstwa 1 | W p | niedomieszkowany | 300nm | |
podłoże | InP:S[100], Nc = (3-8)E18/cc, EPD < 5000/cm2 |
No.2 InGaAsP / InP Epiwafery
GANW190709-InGAASP
Epi-warstwa | Materialny | domieszka | Grubość | |
Epi-warstwa 7 | W p | niedomieszkowany | - | |
Epi-warstwa 6g | InGaAsP | - | - | - |
Epi-warstwa 6f | InGaAsP | - | 5nm | - |
Epi-warstwa 6e | InGaAsP | - | - | - |
Epi-warstwa 6d | InGaAsP | - | - | - |
Epi-warstwa 6c | InGaAsP | - | - | dopasowana do sieci, emitująca przy 1040 nm |
Epi-warstwa 6b | InGaAsP | - | - | - |
Epi-warstwa 6a | InGaAsP | - | - | - |
Epi-warstwa 5 | InAlAs | - | - | |
Epi-warstwa 4g | InGaAsP | - | - | - |
Epi-warstwa 4f | InGaAsP | niedomieszkowany | 5nm | - |
Epi-warstwa 4e | InGaAsP | - | - | - |
Epi-warstwa 4d | InGaAsP | - | - | - |
Epi-warstwa 4c | InGaAsP | - | - | - |
Epi-warstwa 4b | InGaAsP | - | - | dopasowana do sieci, emitująca przy 1350 nm |
Epi-warstwa 4a | InGaAsP | - | 75nm | - |
Epi-warstwa 3 | InAlAs | - | - | |
Epi-warstwa 2g | InGaAsP | - | - | - |
Epi-warstwa 2f | InGaAsP | - | 5nm | - |
Epi-warstwa 2e | InGaAsP | - | - | - |
Epi-warstwa 2d | InGaAsP | - | - | - |
Epi-warstwa 2c | InGaAsP | - | - | - |
Epi-warstwa 2b | InGaAsP | - | - | |
Epi-warstwa 2a | InGaAsP | niedomieszkowany | - | dopasowana do sieci, emitująca przy 1040 nm |
Epi-warstwa 1 | W p | niedomieszkowany | 300nm | |
podłoże | InP:S[100], Nc = (3-8)E18/cc, EPD < 5000/cm2 |
Nr 3 Struktura studni kwantowej InGaAsP
GANW190527-INGAASP
Epi-warstwa | Materialny | domieszka | Grubość | |
Epi-warstwa 11 | Warstwa przykrywająca n-InP | Si | - | |
Epi-warstwa 10 | n-1.24Q InGaAsP, domieszkowanie delta | - | - | |
Epi-warstwa 9 | i-1.24Q InGaAsP | - | - | |
Epi-warstwa 8 | 1,30Q (-0,5%) Bariera InGaAsP | - | - | λc=1,55um |
Epi-warstwa 7 | 1,65Q (+0,8%) odwiert InGaAsP | - | - | |
Epi-warstwa 6 | 1,30Q (-0,5%) Bariera InGaAsP | - | - | |
Epi-warstwa 5 | i-1.24Q InGaAsP | - | 300A | |
Epi-warstwa 4 | p-1.24Q InGaAsP | Zn | - | |
Epi-warstwa 3 | warstwa protektorowa p-InP | - | - | |
Epi-layer 2 | warstwa zatrzymująca trawienie p-InGaAs | - | 0,4um | |
Epi-warstwa 1 | p-bufor InP | - | - | |
podłoże | p-InP |
2. Często zadawane pytania dotyczące wafla InGaAsP
P1:Mam pytanie techniczne:
Czy wiesz, czy InGaAsP z pasmem wzbronionym przy 950 nm jest odporny na stężony HCl (kwas solny)?
: Korozji płytki kryształu fosforku indu galu i arsenku może być nie do odparcia, ale szybkość korozji powinna być wolniejsza.
P2:Otrzymałem wasz wafel InGaAsP z FWHM 54,5 nm (patrz załącznik). Czy można dostarczyć wafel InGaAsP o węższym FWHM (poniżej 54,5 nm)? Możliwe do 30nm? Lub 20nm?
: Nie ma problemu przy produkcji wafla GaInAsP epi z FWHM<54,5nm, a to, co możemy zagwarantować, to blisko 30nm.
P3:Wykorzystałem twoją heterostrukturę InGaAsP, a także inne wafle, aby stworzyć nanomateriałowe źródło emitujące światło. W porównaniu z urządzeniem wykonanym wafelkiem InGaAsP innej firmy, urządzenie oparte na twoim wafelku wykazało, że średnie napięcie było niskie, mimo że włożyło większą moc (35 vs 350 μW).
Czy mógłbyś przekazać nam wyjaśnienie/opinię na temat wyniku testu porównawczego?
: Różnica w epitaksji GaInAsP na InP typu P może wynikać z różnicy stężenia domieszkowania pomiędzy typem P i N. Jesteśmy zgodni z koncentracją Twoich wymagań. Oczywiste jest, że stężenie domieszkowania jest zbyt wysokie, strata absorpcji optycznej jest bardzo duża, a nie problem strukturalny. PL może być znacznie silniejszy, jeśli punkt dopingu jest niższy. Zjawisko to jest oczywiście związane z dopingiem.
Aby uzyskać więcej informacji, prosimy o kontakt mailowy pod adresem sales@ganwafer.com i tech@ganwafer.com.