Wafer Epi GaAs oleh MBE untuk Edge Emitting Laser (EEL)

808nm, 980nm or 9XXnm GaAs (gallium arsenide) epi wafer is used in edge emitting laser (EEL) for industrial welding, photolithography, medical applications, distance measurement offered by Ganwafer, one of leading epitaxial wafer manufacturers.

1. Pembuatan EEL pada Wafer Epi GaAs

Wafer epitaxial EEL berasaskan GaA boleh menggunakan epitaksi rasuk molekul (MBE) untuk mengeluarkan laser diod pemancar tepi. Apabila lapisan penutup diendapkan secara menegak untuk membentuk struktur, filem GaAs epitaxial semikonduktor bercorak dan ketebalan dikawal dengan tepat.

Selepas mencorak lapisan epitaxial MBE berasaskan GaAs dan pemendapan MBE, sesentuh atas didepositkan untuk kedua-dua struktur. Langkah seterusnya ialah memotongwafer epi. Untuk diod pemancar tepi, laser boleh dijana sepenuhnya hanya selepas memotong wafer. Oleh itu, laser pemancar tepi tidak boleh diuji semasa proses pertumbuhan. Proses pemotongan epiwafer GaAs adalah sangat penting untuk laser pemancar tepi, dan ketidakteraturan wafer epitaxial GaAs EEL boleh mengurangkan hasil dan kebolehpercayaan. Secara amnya, heterostruktur berganda EEL GaAs akan mengehadkan pembawa yang terbentuk (elektron dan lubang) di kawasan sempit dan berfungsi sebagai pandu gelombang untuk medan optik. Struktur ini akan menjadikan kuasa pam ambang rendah dan kecekapan tinggi untuk laser.

2. Mengenai Edge Emitting Laser

Terdapat dua jenis utama EEL: a) Laser FP; b) Laser DFB:

Dalam laser FP, diod laser ialah laser, dan cermin reflektifnya hanyalah permukaan retak rata di hujung cip laser. Laser FP digunakan terutamanya untuk kadar data rendah dan penghantaran jarak pendek. Jarak penghantaran biasanya dalam 20km, dan kelajuan dalam 1.25G;

Diod laser DFB berdasarkan wafer GaAs epitaxial ialah laser dengan struktur parut dalam rongga, yang menjana pelbagai pantulan dalam keseluruhan rongga. Laser DFB pada wafer epi laser kristal fotonik digunakan terutamanya untuk penghantaran jarak jauh pada kadar data yang tinggi.

Laser pemancar tepi pada wafer epi GaAs telah mengubah sepenuhnya sistem laser dan memberikannya ciri khas baharu, seperti pengecilan, cahaya koheren yang stabil dan panjang gelombang pancaran sempit. Dalam amalan, EEL berasaskan GaAs boleh digunakan sebagai laser langsung, tetapi ia juga boleh digabungkan dengan gentian atau kristal untuk membuat laser gentian atau DPSSL. Teknologi laser canggih ini memberikan kelebihan khusus, seperti kualiti pancaran yang lebih baik, kestabilan hingar laser yang lebih baik dan output kuasa yang lebih tinggi.

Untuk maklumat lebih lanjut, sila hubungi kami melalui e-mel disales@ganwafer.comdantech@ganwafer.com.