Struktur Laser AlGaInP / GaAs 789nm
GaInAsP / GaInP / AlGaInP laser diode structure materials grown on GaAs substrate with a narrow waveguide is for fabricating laser diodes emitting wavelength at 789 nm. At present, the performance of infrared LD devices prepared by AlGaInP materials has surpassed other material systems. The semiconductor laser structure of AlGaInP / GaAs material system from Ganwafer is listed below for reference. Meanwhile, custom Struktur epi III-Vuntuk diod laser boleh diterima.
1. Struktur Laser AlGaInP pada substrat GaAs
GANW200426-789nmLD
| lapisan | d (nm) | Kedalaman(nm) | doping |
| n- Substrat GaAs (Si-doped) | - | - | n>1e18 |
| n- GaAs (Kepekatan) | - | - | - |
| n- GalnP (LM, Kepekatan) | - | - | - |
| n- ln0.50AlxGa0.5-xP (x: 0.00–>0.18; Kepekatan) |
- | - | - |
| n- ln0.50AlxGa0.5-xP (Kepekatan) | - | - | - |
| n- ln0.50AlxGa0.5-xP (x: 0.18->0.00; Kepekatan) |
- | - | ud |
| u – InGaP (LM, Concentratlon) | 150 | - | ud |
| u – lnGaAsP QW (CS+1%) (λPL= 789 nm) |
- | - | ud |
| u- InGaP (LM, Kepekatan) | - | - | ud |
| u- ln0.50AlxGa0.5-xP (x: 0.00 –>0.18; Kepekatan) |
- | 2216 | ud |
| p- ln0.50Al0.18Ga0.32P (Kepekatan) | - | - | - |
| p- ln0.50Al0.18Ga0.32P (Kepekatan) | - | - | - |
| n- ln0.50AlxGa0.5-xP (x:o.18–>0.00; Kepekatan) |
- | - | - |
| p+- GalnP (LM, Kepekatan) | - | - | - |
| p++- GaAs – Cap | - | - | - |
2. Pertumbuhan dan Ciri-ciri AlGaInP untuk Semikonduktor Laser
AlGaInP ialah bahan semikonduktor kompaun kumpulan III-V dengan jurang tenaga terbesar kecuali nitrida, dan tergolong dalam fasa metastabil. Oleh kerana ketidakupayaan untuk mendapatkan substratnya sendiri, GaAs harus dipilih sebagai bahan substrat. Untuk memenuhi padanan kekisi dengan GaAs, julat bahan AlGaInP boleh dilaras adalah sangat terhad.
Semasa proses pertumbuhan MOCVD struktur diod laser AIGalnP, terdapat terutamanya isu-isu berikut yang perlu diberi perhatian:
1) Masalah pesanan AlGaInP: Struktur pesanan AlGaInP terutamanya mempengaruhi kecekapan bercahaya, anjakan merah panjang gelombang dan kestabilan peranti bahan. Secara umum, penjanaan struktur tersusun harus dielakkan. Langkah-langkah utama ialah: memilih suhu pertumbuhan yang sesuai, nisbah II/V dan orientasi substrat yang betul. Secara amnya, substrat GaAs luar sudut digunakan untuk mengembangkan struktur laser telaga kuantum AlGaInP. Substrat luar sudut juga boleh meningkatkan kepekatan doping jenis-p dalam lapisan terkurung, dengan itu meningkatkan penghalang berkesan elektron di kawasan aktif, mengurangkan kebocoran pembawa, dan meningkatkan prestasi kerja pada suhu tinggi peranti.
2) Penggabungan oksigen boleh meningkatkan tahap tenaga dalam bahan, dan penggabungan oksigen di kawasan aktif meningkatkan penggabungan semula bukan sinaran. Penggabungan oksigen dalam lapisan kurungan boleh mengurangkan kepekatan lubang dan menyukarkan penyediaan bahan jenis P.
3) Masalah padanan antara AIGalnP dan GaAs adalah sangat penting, tetapi dalam proses pertumbuhan khusus, ketidakpadanan terma komponen yang berbeza harus dipertimbangkan untuk mencapai padanan dan ketidakpadanan, dan memastikan kebolehpercayaan dan kestabilan bahan dan peranti.
4) Untuk teknologi laser, pengesanan dalam talian memainkan peranan penting dalam meningkatkan kualiti dan kebolehulangan bahan AlGaInP.
Di samping itu, untuk menambah baik sifat pemancar cahaya bahan AlGaInP, struktur bahan baharu diguna pakai. Sebagai contoh, struktur terikan telaga kuantum, struktur telaga kuantum berganda dan kecerunan struktur doping modulasi dan struktur heterojunction sederhana, dan lain-lain, tujuannya adalah untuk meningkatkan kecekapan kuantum dan mengurangkan penyerapan diri dalam peranti struktur epitaxial diod laser.
Untuk maklumat lebih lanjut, sila hubungi kami melalui e-mel di sales@ganwafer.com dan tech@ganwafer.com.
