GaAs Epi Wafer von MBE für Edge Emitting Laser (EEL)
808nm, 980nm or 9XXnm GaAs (gallium arsenide) epi wafer is used in edge emitting laser (EEL) for industrial welding, photolithography, medical applications, distance measurement offered by Ganwafer, one of leading epitaxial wafer manufacturers.
1. Herstellung von EEL auf GaAs-Epi-Wafer
GaAs-basierte EEL-Epitaxiewafer können Molekularstrahlepitaxie (MBE) verwenden, um kantenemittierende Diodenlaser herzustellen. Wenn die Deckschicht vertikal abgeschieden wird, um die Struktur zu bilden, werden die Halbleiter-Epitaxie-GaAs-Filme gemustert und die Dicke genau gesteuert.
Nach dem Strukturieren der GaAs-basierten MBE-Epitaxieschichten und der MBE-Abscheidung werden obere Kontakte für beide Strukturen abgeschieden. Der nächste Schritt ist das Schneiden derepi-Wafer. Bei kantenemittierenden Dioden kann der Laser erst nach dem Schneiden des Wafers vollständig erzeugt werden. Daher können kantenemittierende Laser nicht während des Wachstumsprozesses getestet werden. Der Schneidprozess von GaAs-Epiwafern ist sehr wichtig für kantenemittierende Laser, und Unregelmäßigkeiten von GaAs-EEL-Epitaxiewafern können Ausbeute und Zuverlässigkeit verringern. Im Allgemeinen begrenzt die EEL-GaAs-Doppelheterostruktur die gebildeten Ladungsträger (Elektronen und Löcher) auf einen schmalen Bereich und dient als Wellenleiter für das optische Feld. Diese Struktur ergibt eine Pumpleistung mit niedriger Schwelle und einen hohen Wirkungsgrad für den Laser.
2. Über kantenemittierenden Laser
Es gibt zwei Haupttypen von EEL: a) FP-Laser; b) DFB-Laser:
Beim FP-Laser ist die Laserdiode ein Laser, und sein reflektierender Spiegel ist nur eine flache, rissige Oberfläche am Ende des Laserchips. FP-Laser werden hauptsächlich für die Übertragung mit niedriger Datenrate und über kurze Entfernungen verwendet. Die Übertragungsentfernung liegt im Allgemeinen innerhalb von 20 km und die Geschwindigkeit innerhalb von 1,25 G;
Die auf epitaktischem GaAs-Wafer basierende DFB-Laserdiode ist ein Laser mit einer Gitterstruktur in der Kavität, die Mehrfachreflexionen in der gesamten Kavität erzeugt. DFB-Laser auf photonischen Kristalllaser-Epi-Wafern werden hauptsächlich für Langstreckenübertragungen mit hohen Datenraten verwendet.
Kantenemittierende Laser auf GaAs-Epi-Wafern haben das Lasersystem komplett verändert und mit neuen besonderen Eigenschaften wie Miniaturisierung, stabilem kohärentem Licht und schmalen Emissionswellenlängen ausgestattet. In der Praxis kann ein GaAs-basierter EEL als Direktlaser verwendet werden, aber er kann auch mit einer Faser oder einem Kristall gekoppelt werden, um einen Faserlaser oder DPSSL herzustellen. Diese fortschrittliche Lasertechnologie bietet spezifische Vorteile, wie z. B. bessere Strahlqualität, verbesserte Stabilität des Laserrauschens und höhere Ausgangsleistung.
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