1240-nm-InP-Laserdiodenstrukturen
Das InP (Indiumphosphid)-Materialsystem umfasst ternäre und quaternäreIII-V-Halbleitermaterialien, such as InGaAs, InGaAsP, InAlGaAs and InAlAsP, which are lattice matched to InP substrate. Among them, quaternary alloy of InAlGaAs lattice matched to InP is an important material for optoelectronic devices. Ganwafer can provide InP laser wafer of Grinsch (GRIN) structure with InAlGaAs epilayers as follows:
1. InGaAlAs/InP-Laser-Epi-Strukturen
No.1 Epi-Laser auf InP-Substrat
GANW200729-1240nmLD
1 | InP Substrate
(Material-Nr.:M01*) |
S-Dopded
2~8 x 1018 |
cm-3 |
2 | N-InP Buffer Layer
(Konzentration) |
- - | um
(cm-3) |
3 | N-InAlAs Layer
(Konzentration) |
- - | um
(cm-3) |
4 | U-GRIN AlQ (AlT bis 0,96) | 0,1 um | Äh |
5 | 5 x QW / 6 x Barrier
(λPL=1248,5 Nanometer) |
- - | nm
(Nm) |
6 | U-GRIN AlQ (0,96 bis AlT) | - - | Äh |
7 | U-InAlAs-Schicht | - - | Äh |
8 | P-InP Layer
(Konzentration) |
- - | um
(cm-3) |
9 | P-1.1um InGaAsP
(Konzentration) |
- - | um
(cm-3) |
10 | P-InP Layer
(Konzentration) |
- - | um
(cm-3) |
11 | P-InGaAsP Layer
(Konzentration) |
- - | um
(cm-3) |
12 | P-InGaAs Layer
(Konzentration) |
0.2 um
(>1 x 1019) |
um
(cm-3) |
13 | Lattice Mismatch | <±500 | ppm |
Nr. 2 Laserstruktur mit InAlGaAs QW
GANW200730-1240nmLD
Schicht Nr. | Material | d (nm) | Tiefe (nm) | Doping (cm) |
1 | n – InP 3″ Substrat (S-dotiert) | n=2-8e18 | ||
2 | n – lnP | - - | - - | - - |
3 | n – InAlAs | - - | - - | - - |
4 | u-GRIN AIQ (0,96 bis AIT) | - - | - - | N / A |
5 | 6 x u-InAlGaAs QW (+1% CS)/
5 x u-InAlGaAs-Barriere (-0,5 % TS) |
- - | - - | N / A |
6 | u-GRIN AIQ (AIT bis 0,96) | - - | - - | N / A |
7 | u-InAlAs | - - | 962.5 | N / A |
8 | p-InP | - - | - - | - - |
9 | p+-1,3 um InGaAsP (LM) | - - | - - | - - |
10 | p+-1,5 um InGaAsP (LM) | - - | - - | - - |
11 | p++- InGaAs- Kap | 100 | - - | p>1e19 |
Bemerkung:GRIN AlQ (AlT bis 0,96): Die Schichten Nr. 4 und Nr. 6 sind abgestufte Wellenleiterschichten, und die Zusammensetzung ändert sich von InAlAs zu InAlGaAs mit einer Wellenlänge von 0,96 um.
Es wurde berichtet, dass die auf GRIN-SCH basierende Laserstruktur verschiedene Vorteile gegenüber Nanostrukturen auf STEP-SCH-Basis aufweist, wie z.
2. InAlGaAs-Material für InP-Laserdiode
Hinsichtlich der InAlGaAs/InAlAs-Heterostruktur auf InP kann die Bandlückenenergie zwischen der von In revidiert werden0.53Ga0.47Als und In0.52Al0.48Als. Darüber hinaus lässt sich InAlGaAs durch MBE leichter züchten. Es gibt nur ein V-Gruppenelement. Daher kann die Legierungszusammensetzung leicht geändert werden, indem das Strahläquivalentdruckverhältnis der Gruppe III eingestellt wird, wodurch das Verhältnis von As/P während des Wachstums von InGaAsP besser gesteuert wird.
Das Brechungsindexverhältnis zwischen Wellenleiter und Mantel der InAlGaAs/InP-Heterostruktur ist höher als das von InGaAsP/InP mit identischer Bandlücke, was InAlGaAs in verschiedenen Anwendungen attraktiver macht als InGaAsP. Außerdem kann die Bandlücke von InAlGaAs leicht variiert werden, aber das Gitter passt während des epitaxialen Wachstums immer noch zum InP-Wafer. Das AlGaInAs/InP-Materialsystem wurde in den aktiven Bereich eingeführt, da eine höhere optische Wirkung erzielt werden kann. Daher spielt InAlGaAs-Material eine immer wichtigere Rolle bei der Herstellung langwelliger Halbleiter-Wellenleitervorrichtungen (z. B. Herstellung von InP-Lasern).
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