Indium-Gallium-Arsenid-Phosphid (InGaAsP)-Dünnfilm
Das Indium-Gallium-Arsenid-Phosphid (GalnAsP)-Halbleitermaterial aus einer quaternären Legierung, das mit einem Einkristall-Substratgitter aus Indiumphosphid (InP) abgestimmt ist, hat einen einstellbaren Bandlückenbereich von 0,75 bis 1,35 eV. Da die Indium-Gallium-Arsenid-Phosphid-Energielücke die verlustarmen Bänder von 1,33 um und 1,55 um für die Quarzfaser-Signalübertragung in der aktuellen optischen Kommunikation abdeckt, wird sie häufig in der Struktur von Indiumphosphid-Bipolartransistoren mit heterogenem Übergang, Oberflächenemissionslasern mit vertikalem Hohlraum und verwendet andere optoelektronische Geräte. Ganwafer kann liefernIII-V-Epitaxialwafervon InP/InGaAsP und wachsen kundenspezifische Struktur. Spezifische Strukturen sind wie folgt:
1. Spezifikationen des Indium-Gallium-Arsenid-Phosphid-Wafers
Nr. 1 InP-basierter InGaAsP-Wafer
GANW190513-INGAASP
| Epi-Schicht | Material | Dotierstoff | Dicke | |
| Epischicht 7 | InP | undotiert | - - | |
| Epi-Schicht 6g | InGaAsP | - - | 75nm | - - |
| Epi-Schicht 6f | InGaAsP | - - | - - | - - |
| Epi-Schicht 6e | InGaAsP | - - | - - | - - |
| Epi-Schicht 6d | InGaAsP | - - | - - | gitterangepasst, emittiert bei 1275 nm |
| Epi-Schicht 6c | InGaAsP | - - | - - | - - |
| Epi-Schicht 6b | InGaAsP | - - | - - | - - |
| Epi-Schicht 6a | InGaAsP | - - | - - | - - |
| Epischicht 5 | InP | - - | - - | |
| Epi-Schicht 4g | InGaAsP | - - | 75nm | - - |
| Epi-Schicht 4f | InGaAsP | undotiert | - - | - - |
| Epi-Schicht 4e | InGaAsP | - - | - - | - - |
| Epi-Schicht 4d | InGaAsP | - - | - - | - - |
| Epi-Schicht 4c | InGaAsP | - - | - - | - - |
| Epi-Schicht 4b | InGaAsP | - - | - - | - - |
| Epi-Schicht 4a | InGaAsP | - - | - - | gitterangepasst, emittiert bei 1000 nm |
| Epi-Schicht 3 | InP | - - | - - | |
| Epi-Schicht 2g | InGaAsP | - - | - - | - - |
| Epi-Schicht 2f | InGaAsP | - - | - - | - - |
| Epi-Schicht 2e | InGaAsP | - - | - - | - - |
| Epi-Schicht 2d | InGaAsP | - - | - - | - - |
| Epi-Schicht 2c | InGaAsP | - - | 10nm | - - |
| Epi-Schicht 2b | InGaAsP | - - | - - | |
| Epi-Schicht 2a | InGaAsP | undotiert | - - | gitterangepasst, emittiert bei 1000 nm |
| Epi-Schicht 1 | InP | undotiert | 300nm | |
| Substrat | InP:S[100], Nc = (3-8)E18/cc, EPD < 5000/cm2 |
Nr. 2 InGaAsP / InP-Epiwafer
GANW190709-InGAASP
| Epi-Schicht | Material | Dotierstoff | Dicke | |
| Epischicht 7 | InP | undotiert | - - | |
| Epi-Schicht 6g | InGaAsP | - - | - - | - - |
| Epi-Schicht 6f | InGaAsP | - - | 5 nm | - - |
| Epi-Schicht 6e | InGaAsP | - - | - - | - - |
| Epi-Schicht 6d | InGaAsP | - - | - - | - - |
| Epi-Schicht 6c | InGaAsP | - - | - - | gitterangepasst, emittiert bei 1040 nm |
| Epi-Schicht 6b | InGaAsP | - - | - - | - - |
| Epi-Schicht 6a | InGaAsP | - - | - - | - - |
| Epischicht 5 | InAlAs | - - | - - | |
| Epi-Schicht 4g | InGaAsP | - - | - - | - - |
| Epi-Schicht 4f | InGaAsP | undotiert | 5 nm | - - |
| Epi-Schicht 4e | InGaAsP | - - | - - | - - |
| Epi-Schicht 4d | InGaAsP | - - | - - | - - |
| Epi-Schicht 4c | InGaAsP | - - | - - | - - |
| Epi-Schicht 4b | InGaAsP | - - | - - | gitterangepasst, emittiert bei 1350 nm |
| Epi-Schicht 4a | InGaAsP | - - | 75nm | - - |
| Epi-Schicht 3 | InAlAs | - - | - - | |
| Epi-Schicht 2g | InGaAsP | - - | - - | - - |
| Epi-Schicht 2f | InGaAsP | - - | 5 nm | - - |
| Epi-Schicht 2e | InGaAsP | - - | - - | - - |
| Epi-Schicht 2d | InGaAsP | - - | - - | - - |
| Epi-Schicht 2c | InGaAsP | - - | - - | - - |
| Epi-Schicht 2b | InGaAsP | - - | - - | |
| Epi-Schicht 2a | InGaAsP | undotiert | - - | gitterangepasst, emittiert bei 1040 nm |
| Epi-Schicht 1 | InP | undotiert | 300nm | |
| Substrat | InP:S[100], Nc = (3-8)E18/cc, EPD < 5000/cm2 |
Nr. 3 InGaAsP-Quantentopfstruktur
GANW190527-INGAASP
| Epi-Schicht | Material | Dotierstoff | Dicke | |
| Epischicht 11 | n-InP-Deckschicht | Si | - - | |
| Epischicht 10 | n-1,24Q InGaAsP, Delta-Dotierung | - - | - - | |
| Epischicht 9 | i-1.24Q InGaAsP | - - | - - | |
| Epi-Schicht 8 | 1,30 Q (-0,5 %) InGaAsP-Barriere | - - | - - | λc = 1,55 um |
| Epischicht 7 | 1,65 Q (+0,8 %) InGaAsP gut | - - | - - | |
| Epi-Schicht 6 | 1,30 Q (-0,5 %) InGaAsP-Barriere | - - | - - | |
| Epischicht 5 | i-1.24Q InGaAsP | - - | 300A | |
| Epi-Schicht 4 | p-1,24Q InGaAsP | Zn | - - | |
| Epi-Schicht 3 | p-InP-Opferschicht | - - | - - | |
| Epi-layer 2 | p-InGaAs-Ätzstoppschicht | - - | 0,4 um | |
| Epi-Schicht 1 | p-Puffer InP | - - | - - | |
| Substrat | p-InP |
2. FAQ von InGaAsP-Wafern
F1:Ich habe eine technische Frage:
Wissen Sie, ob InGaAsP mit einer Bandlücke von 950 nm gegen konzentrierte HCl (Salzsäure) beständig ist?
A: Die Korrosion für Indium-Gallium-Arsenid-Phosphid-Kristallwafer kann unwiderstehlich sein, aber die Korrosionsrate sollte langsamer sein.
F2:Ich habe Ihren InGaAsP-Wafer mit FWHM 54,5 nm erhalten (siehe Anhang). Ist es möglich, InGaAsP-Wafer mit schmalerer FWHM (weniger als 54,5 nm) bereitzustellen? Möglich bis 30nm? Oder 20nm?
A: Es ist kein Problem für die Herstellung von GaInAsP-Epi-Wafern mit FWHM <54,5 nm, und was wir garantieren können, ist nahe 30 nm.
Q3:Ich habe Ihre InGaAsP-Heterostruktur sowie andere Wafer verwendet, um eine lichtemittierende Quelle aus Nanomaterial herzustellen. Verglichen mit dem Gerät, das aus einem InGaAsP-Wafer eines anderen Unternehmens hergestellt wurde, zeigte sich bei dem auf Ihrem Wafer basierenden Gerät, dass die durchschnittliche Spannung niedrig war, obwohl es mehr Leistung brachte (35 vs. 350 μW).
Könnten Sie uns bitte eine Erklärung/Meinung zum Ergebnis des Vergleichstests geben?
A: Der Unterschied der GaInAsP-Epitaxie auf InP vom P-Typ kann auf den Unterschied der Dotierungskonzentration zwischen dem P-Typ und dem N-Typ zurückzuführen sein. Wir richten uns nach der Konzentration Ihrer Anforderungen. Es ist klar, dass die Dotierungskonzentration zu hoch ist, der optische Absorptionsverlust sehr groß ist, kein strukturelles Problem. PL kann viel stärker sein, wenn der Dotierungspunkt niedriger ist. Dieses Phänomen hängt offensichtlich mit Doping zusammen.
Für weitere Informationen kontaktieren Sie uns bitte per E-Mail untersales@ganwafer.com und tech@ganwafer.com.
