650V GaN FETs Chip für Schnellladung
Ganwafer can offer 650V GaN FETs Chip for fast charge products for the consumer market. GaN FETs advantages in the charger are mainly reflected in: small size, light weight, high power density, high efficiency but not easy to heat. Moreover, mobile phones, notebooks can be charged by the GaN FETs Chip, which is compatible with multiple devices.
1. 650-V-GaN-FET-Datenblatt
1.1 GaN FET 650 V Chip Absolute Höchstwerte (TC = 25 ° C, sofern nicht anders angegeben)
| Symbol | Parameter | Grenzwert | Einheit | |
| VDSS | Drain-Source-Spannung | 650 | V. | |
| VDSS | Gate-Source-Spannung | 一25~+2 | ||
| Identifikation | Kontinuierlicher Drainstrom @TC=25°C | 15 | EIN | |
| Kontinuierlicher Drainstrom @TC=100°C | 10 | |||
| IDM | Puls-Drain-Strom | 65 | EIN | |
| PD | Maximale Verlustleistung @ TC=25°C | 65 | W. | |
| TC | Betriebstemperatur | Fall | £55~150 | ° C |
| TJ | Kreuzung | 55~175 | ° C | |
| TS | Lagertemperatur | £55~150 | ° C | |
1.2 Elektrische Parameter des 650-V-GaN-FETs-Chips (TJ = 25 °C, sofern nicht anders angegeben)
| Symbol | Parameter | Min | Typ | Max | Einheit | Test-Bedingungen |
| Eigenschaften des Weiterleitungsgeräts | ||||||
| V(BL)DSs | Drain-Source-Spannung | - - | 650 | - - | v | Vcs=-25V |
| Vasth) | Gate-Schwellenspannung | - - | -18 | - - | v | VDs=Vas,IDs=luA |
| RDS(ein) | Drain-Source-Einschaltwiderstand | - - | 150 | 180 | mQ | Vcs=OV,ID-10A |
| - - | - - | - - | VGs=OV, ID-10A,TJ=150'C | |||
| lDss | Drain-to-Source-Leckage Strom |
- - | - - | 3 | uA | UDs=650V, VGs=-25V |
| - - | - - | 30 | UDs=400V, VGs=-25V, T=150'c |
|||
| Mädel | Gate-to-Source-Weiterleitung Leckstrom |
- - | 3.7 | 100 | n / a | VGs=2V |
| Gate-to-Source-Umkehrung Leckstrom |
- - | -3.5 | -100 | VGS=-25V | ||
| CIss | Eingangskapazität | - - | 650 | - - | pF | vGs=-25V,VDS=300V,f=1MHz |
| Kosten | Ausgangskapazität | - - | 40 | - - | ||
| CRSS | Sperrkapazität | - - | 10 | - - | ||
| QG | Gesamte Gate-Gebühr | - - | 9 | - - | nC | VDS=200V,VGS=-25V bis ov, ID=10A |
| QGS | Gate-Source-Ladung | - - | 2 | - - | ||
| QGD | Gate-Drain-Ladung | - - | 7 | - - | ||
| tn | Reverse-Recovery-Zeit | - - | 4 | - - | ns | Is=0A bis 11A, VDD=400V di/dt=1000A/uS |
| Q. Q. | Reverse-Recovery-Gebühr | - - | 17 | - - | nC | - - |
| TIX(ein) | Einschaltverzögerung | - - | 0.5 | - - | - - | VDs=200VVG=-25V bis ov, ID=10A |
| tR | Aufstehzeit | - - | 9 | - - | ||
| tD(aus) | Ausschaltverzögerung | - - | 0.5 | - - | ||
| tF | Abfallzeit | - - | 10 | - - | ||
| Umgekehrte Geräteeigenschaften | ||||||
| VSD | Sperrspannung | - - | 7 | - - | v | VGS=-25V,Is=10A,Tc=25′C |
2. Warum ist Galliumnitrid die beste Wahl für Schnellladematerialien?
Als eines der Kernmaterialien von Halbleitern der dritten Generation hat GaN drei Haupteigenschaften:
- hohe Schaltfrequenz
- große Bandlücke
- geringerer On-Widerstand.
Da Mobiltelefone mit großem Bildschirm zum Mainstream geworden sind und Prozessoren kontinuierlich aufgerüstet wurden, hat die Batterietechnologie einen Engpass erreicht. Daher ist das schnellere Aufladen zum Schlüssel zur Lösung des Problems der Batterielebensdauer geworden.Galliumnitrid (GaN)hat vor allem aus zwei Gründen Aufmerksamkeit erregt: Die Bildschirmgröße nimmt weiter zu und die Akkukapazität steigt weiter an. Je größer in Zukunft der Smartphone-Bildschirm wird, desto mehr werden die gesamte CPU, Hochfrequenz und periphere elektronische Geräte den Leistungsteil nutzen, und der Akku wird immer größer.
Das auf einem GaN-FET-Hochspannungschip hergestellte Ladegerät ist sehr klein, aber mit einer sehr hohen Ladeeffizienz und geringer Wärmeentwicklung. Die Geschwindigkeit des GaN-Ladechips ist doppelt so hoch wie die des Originals.
3. Was ist der Unterschied zwischen GaN (Galliumnitrid) und herkömmlichen Siliziummaterialien?
GaN-FET-Geräte zeichnen sich dadurch aus, dass sie einen höheren Wirkungsgrad, eine kleinere Größe und ein geringeres Gewicht als auf Silizium aufweisen. Insbesondere läuft GaN 20-mal schneller als Silizium und kann eine dreimal höhere Leistung und mindestens die doppelte Energiedichte erreichen. Verglichen mit dem traditionellen Power-Management-Verfahren AC/DC verbessert sich der Wirkungsgrad um mindestens 3 Punkte.
Das Aufkommen von Galliumnitrid hat den Status quo verändert, dass die Größe des Ladegeräts mit zunehmender Leistungsdichte weiter zunimmt. Es ist derzeit das schnellste Leistungsschaltgerät der Welt und kann unter der Prämisse des Hochgeschwindigkeitsschaltens einen hohen Wirkungsgrad aufrechterhalten. Die hohe Schaltfrequenz reduziert die Größe des Transformators, wodurch die Größe des Ladegeräts stark reduziert wird. Gleichzeitig hat Galliumnitrid einen geringeren Verlust. Nach der Verwendung des GaN-FET-Leistungschips wird die Verwendung anderer Komponenten reduziert und die Größe des Ladegeräts weiter reduziert.
With the development of artificial intelligence and 5G communications, high requirements have been placed on the GaN FET technology in fast charging of 5G mobile phones, notebook computers and other smart terminals. As users demand versatility and portability of chargers, thN e GaN FET market in 650V fast charging market has grown rapidly. As a one of GaN FET manufacturers, Ganwafer is actively deploying GaN FETs chip component design and production capacity.
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