Chip FET de 650 V GaN para carga rápida
Ganwafer can offer 650V GaN FETs Chip for fast charge products for the consumer market. GaN FETs advantages in the charger are mainly reflected in: small size, light weight, high power density, high efficiency but not easy to heat. Moreover, mobile phones, notebooks can be charged by the GaN FETs Chip, which is compatible with multiple devices.
1. Hoja de datos del FET GaN de 650 V
Clasificaciones máximas absolutas del chip FET 650 V de 1,1 GaN (TC = 25 °C a menos que se indique lo contrario)
| Símbolo | Parámetro | Valor límite | Unidad | |
| VDSS | Drenar a la fuente de voltaje | 650 | V | |
| VDSS | Puerta a voltaje de fuente | 一 25 ~ + 2 | ||
| Identificación | Corriente de drenaje continua @ TC = 25 ° C | 15 | UNA | |
| Corriente de drenaje continua @ TC = 100 ° C | 10 | |||
| IDM | Corriente de drenaje de pulsos | 65 | UNA | |
| PD | Disipación de potencia máxima @ TC = 25 ° C | 65 | W | |
| TC | Temperatura de funcionamiento | Caso | 一 55 ~ 150 | ° C |
| TJ | Unión | 一 55 ~ 175 | ° C | |
| TS | Temperatura de almacenamiento | 一 55 ~ 150 | ° C | |
1.2 Parámetros eléctricos del chip GaN FET de 650 V (TJ = 25 °C a menos que se indique lo contrario)
| Símbolo | Parámetro | Min | Typ | Max | Unidad | Condiciónes de la prueba |
| Características del dispositivo de reenvío | ||||||
| V (BL) DS | Voltaje de la fuente de drenaje | - | 650 | - | v | Vcs = -25V |
| Vasth) | Voltaje de umbral | - | -18 | - | v | VDs = Vas, IDs = luA |
| RDS (activado) | On-resistencia de la fuente de drenaje | - | 150 | 180 | mQ | Vcs = OV, ID-10A |
| - | - | - | VGs=OV, ID-10A,TJ=150'C | |||
| lDss | Fuga de drenaje a fuente Actual |
- | - | 3 | uA | VDs = 650V, VGs = -25V |
| - | - | 30 | VDs = 400V, VGs = -25V, T=150'c |
|||
| muchacha | Reenvío de puerta a fuente corriente de fuga |
- | 3.7 | 100 | n / A | VG = 2V |
| Inversión de puerta a fuente corriente de fuga |
- | -3.5 | -100 | VGS=-25V | ||
| CIss | Capacitancia de entrada | - | 650 | - | pF | vGs=-25V,VDS=300V,f=1MHz |
| Coss | Capacitancia de salida | - | 40 | - | ||
| CRSS | Capacitancia inversa | - | 10 | - | ||
| QG | Carga total de la puerta | - | 9 | - | Carolina del Norte | VDS=200V,VGS=-25V a ov, ID=10A |
| QGS | Carga de fuente de puerta | - | 2 | - | ||
| QGD | Carga de drenaje de puerta | - | 7 | - | ||
| Tennesse | Tiempo de recuperación inverso | - | 4 | - | ns | Es=0A a 11A,VDD=400V di/dt=1000A/uS |
| q | Cargo de recuperación inversa | - | 17 | - | Carolina del Norte | - |
| TIX (activado) | Retraso de encendido | - | 0.5 | - | - | VDs = 200VVG = -25V a ov, ID=10A |
| tR | Hora de levantarse | - | 9 | - | ||
| tD (apagado) | Retraso de apagado | - | 0.5 | - | ||
| tF | Otoño | - | 10 | - | ||
| Características del dispositivo inverso | ||||||
| CIV | Tensión inversa | - | 7 | - | v | VGS=-25V,Es=10A,Tc=25′C |
2. ¿Por qué el nitruro de galio es la mejor opción para materiales de carga rápida?
Como uno de los materiales centrales de los semiconductores de tercera generación, GaN tiene tres características principales:
- alta frecuencia de conmutación
- brecha de banda grande
- menor resistencia de encendido.
A medida que los teléfonos móviles de pantalla grande se han convertido en la corriente principal y los procesadores se han actualizado continuamente, la tecnología de la batería se ha topado con un cuello de botella. Por lo tanto, cómo cargar más rápido se ha convertido en la clave para resolver el problema de la vida útil de la batería.Nitruro de galio (GaN)ha llamado la atención por dos razones principales: el tamaño de la pantalla continúa aumentando y la capacidad de la batería continúa aumentando. En el futuro, cuanto más grande sea la pantalla del teléfono inteligente, toda la CPU, la radiofrecuencia y los dispositivos electrónicos periféricos utilizarán la parte de energía, y la batería será cada vez más grande.
El cargador fabricado en el chip de alto voltaje GaN FET es muy pequeño, pero con una eficiencia de carga muy alta y baja generación de calor. La velocidad del chip del cargador GaN es dos veces más rápido que el original.
3. ¿Cuál es la diferencia entre GaN (nitruro de galio) y los materiales tradicionales de silicio?
Los dispositivos GaN FET son que tienen una mayor eficiencia, un tamaño más pequeño y un peso más ligero que los de silicio. Específicamente, GaN funciona 20 veces más rápido que el silicio y puede lograr una potencia tres veces mayor y al menos el doble de densidad de energía. En comparación con el método tradicional de administración de energía AC/DC, la eficiencia mejora en al menos 3 puntos.
The appearance of gallium nitride has changed the status quo that the size of the charger continues to increase with the increase of power density. It is currently the fastest power switching device in the world and can maintain a high efficiency level under the premise of high-speed switching. The high switching frequency reduces the size of the transformer, thereby greatly reducing the size of the charger. At the same time, gallium nitride has lower loss. After using GaN FET power chip, it reduces the use of other components and further reduces the size of the charger.
With the development of artificial intelligence and 5G communications, high requirements have been placed on the GaN FET technology in fast charging of 5G mobile phones, notebook computers and other smart terminals. As users demand versatility and portability of chargers, thN e GaN FET market in 650V fast charging market has grown rapidly. As a one of GaN FET manufacturers, Ganwafer is actively deploying GaN FETs chip component design and production capacity.
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