Estructuras de diodo láser InP de 1240 nm
El sistema de material InP (fosfuro de indio) incluye ternario y cuaternarioMateriales semiconductores III-V, such as InGaAs, InGaAsP, InAlGaAs and InAlAsP, which are lattice matched to InP substrate. Among them, quaternary alloy of InAlGaAs lattice matched to InP is an important material for optoelectronic devices. Ganwafer can provide InP laser wafer of Grinsch (GRIN) structure with InAlGaAs epilayers as follows:
1. Estructuras epi láser InGaAlAs / InP
No.1 Epi Laser en sustrato InP
GANW200729-1240nmLD
| 1 | InP Substrate
(N.º de material: M01*) |
S-Dopded
2~8x1018 |
cm-3 |
| 2 | N-InP Buffer Layer
(Concentración) |
- | um
(cm-3) |
| 3 | N-InAlAs Layer
(Concentración) |
- | um
(cm-3) |
| 4 | U-GRIN AlQ (AlT a 0,96) | 0,1 um | um |
| 5 | 5 x QW / 6 x Barrier
(λPL=1248,5 nanómetro) |
- | nm
(Nuevo Méjico) |
| 6 | U-GRIN AlQ (0,96 a AlT) | - | um |
| 7 | Capa U-InAlAs | - | um |
| 8 | P-InP Layer
(Concentración) |
- | um
(cm-3) |
| 9 | P-1.1um InGaAsP
(Concentración) |
- | um
(cm-3) |
| 10 | P-InP Layer
(Concentración) |
- | um
(cm-3) |
| 11 | P-InGaAsP Layer
(Concentración) |
- | um
(cm-3) |
| 12 | P-InGaAs Layer
(Concentración) |
0.2 um
(>1x1019) |
um
(cm-3) |
| 13 | Desajuste de celosía | <±500 | ppm |
Estructura láser n.º 2 con InAlGaAs QW
GANW200730-1240nmLD
| Capa No. | Materiales | d (nm) | Profundidad (nm) | Dopaje (cm) |
| 1 | n – InP 3″ Sustrato (S-dopado) | n=2-8e18 | ||
| 2 | n-lnP | - | - | - |
| 3 | n – InAlAs | - | - | - |
| 4 | u-GRIN AIQ (0,96 a AIT) | - | - | N / A |
| 5 | 6 x u-InAlGaAs QW (+1% CS)/
5 barreras de u-InAlGaAs (-0,5 % TS) |
- | - | N / A |
| 6 | u-GRIN AIQ (AIT a 0,96) | - | - | N / A |
| 7 | u-InAlAs | - | 962.5 | N / A |
| 8 | p-InP | - | - | - |
| 9 | p+-1,3 um InGaAsP (LM) | - | - | - |
| 10 | p+-1,5 um InGaAsP (LM) | - | - | - |
| 11 | p++- InGaAs- Cap | 100 | - | p>1e19 |
Observación:GRIN AlQ (AlT a 0,96): las capas n.º 4 y n.º 6 son capas graduadas de guía de ondas y la composición cambia de InAlAs a InAlGaAs con una longitud de onda de 0,96 um.
Se ha informado que la estructura láser basada en GRIN-SCH tiene varias ventajas sobre las nanoestructuras basadas en STEP-SCH, como una mayor eficiencia de inyección, una mayor eficiencia de captura, un tiempo de dopaje significativamente más corto y un mejor confinamiento del portador.
2. Material InAlGaAs para diodo láser InP
En términos de heteroestructura InAlGaAs / InAlAs en InP, la energía de banda prohibida se puede revisar entre la de In0.53Georgia0.47como y en0.52Al0.48Como. Además, InAlGaAs es más fácil de cultivar por MBE. Solo hay un elemento del grupo V. Por lo tanto, la composición de la aleación se puede cambiar fácilmente ajustando la relación de presión equivalente del haz del Grupo III, controlando mejor la relación de As/P durante el crecimiento de InGaAsP.
La relación del índice de refracción entre la guía de ondas y el revestimiento de la heteroestructura InAlGaAs/InP es mayor que la de InGaAsP/InP con banda prohibida idéntica, lo que hace que InAlGaAs sea más atractivo que InGaAsP en varias aplicaciones. Además, la banda prohibida de InAlGaAs se puede variar fácilmente, pero la red aún coincide con la oblea de InP durante el crecimiento epitaxial. El sistema de material AlGaInAs / InP se introdujo en la región activa porque se puede obtener la óptica más alta. Por lo tanto, el material InAlGaAs juega un papel cada vez más importante en la fabricación de dispositivos de guía de onda de semiconductores de longitud de onda larga (por ejemplo, fabricación de láser InP).
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