Estructura láser AlGaInP / GaAs de 789nm

GaInAsP / GaInP / AlGaInP laser diode structure materials grown on GaAs substrate with a narrow waveguide is for fabricating laser diodes emitting wavelength at 789 nm. At present, the performance of infrared LD devices prepared by AlGaInP materials has surpassed other material systems. The semiconductor laser structure of AlGaInP / GaAs material system from Ganwafer is listed below for reference. Meanwhile, custom Estructuras epi III-Vpara diodo láser son aceptables.

1. Estructura láser AlGaInP sobre sustrato de GaAs

GANW200426-789nmLD

2. Crecimiento y características de AlGaInP para semiconductores láser

AlGaInP es un material semiconductor compuesto del grupo III-V con la mayor brecha de energía, excepto los nitruros, y pertenece a la fase metaestable. Debido a la incapacidad de obtener su propio sustrato, se debe seleccionar GaAs como material de sustrato. Para cumplir con la combinación de celosía con GaAs, el rango sintonizable del material AlGaInP es muy limitado.

Durante el proceso de crecimiento MOCVD de la estructura del diodo láser AIGalnP, existen principalmente los siguientes problemas que vale la pena señalar:

1) El problema de ordenación de AlGaInP: La estructura ordenada de AlGaInP afecta principalmente a la eficiencia luminosa, el desplazamiento hacia el rojo de la longitud de onda y la estabilidad del dispositivo del material. En general, se debe evitar la generación de estructuras ordenadas. Las principales medidas son: elegir la temperatura de crecimiento adecuada, la relación II/V y la orientación adecuada del sustrato. En general, se utiliza un sustrato de GaAs fuera de ángulo para hacer crecer la estructura del láser de pozo cuántico AlGaInP. El sustrato fuera de ángulo también puede aumentar la concentración de dopaje de tipo p en la capa de confinamiento, lo que aumenta la barrera efectiva de electrones en la región activa, reduce la fuga de portadores y mejora el rendimiento de trabajo a alta temperatura del dispositivo.

2) La incorporación de oxígeno puede aumentar el nivel de energía profunda del material, y la incorporación de oxígeno en la región activa aumenta la recombinación no radiativa. La incorporación de oxígeno en la capa de confinamiento puede reducir la concentración de huecos y dificultar la preparación de materiales tipo P.

3) El problema de coincidencia entre AIGalnP y GaAs es muy importante, pero en el proceso de crecimiento específico, se debe considerar el desajuste térmico de los diferentes componentes para lograr uno de coincidencia y desajuste, y asegurar la confiabilidad y estabilidad de los materiales y dispositivos.

4) Para la tecnología láser, la detección en línea juega un papel importante en la mejora de la calidad y repetibilidad de los materiales AlGaInP.

Además, para mejorar las propiedades de emisión de luz del material AlGaInP, se adopta una nueva estructura de material. Por ejemplo, estructura de tensión de pozo cuántico, estructura de pozo cuántico múltiple y gradiente de estructura de dopaje de modulación y estructura de heterounión moderada, etc., el propósito es mejorar la eficiencia cuántica y reducir la autoabsorción en el dispositivo de estructura epitaxial de diodo láser.

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