Hızlı Şarj için 650V GaN FETs Chip
Ganwafer can offer 650V GaN FETs Chip for fast charge products for the consumer market. GaN FETs advantages in the charger are mainly reflected in: small size, light weight, high power density, high efficiency but not easy to heat. Moreover, mobile phones, notebooks can be charged by the GaN FETs Chip, which is compatible with multiple devices.
1. 650V GaN FET Veri Sayfası
1.1 GaN FET 650V Çip Mutlak Maksimum Derecelendirmeleri (aksi belirtilmedikçe TC=25°C)
| sembol | Parametre | sınır değer | birim | |
| VDSS | Kaynak voltajına boşaltın | 650 | V | |
| VDSS | Kaynak voltajı kapısı | 一25~+2 | ||
| Kimlik | Sürekli boşaltma akımı @TC=25°C | 15 | A | |
| Sürekli boşaltma akımı @TC=100°C | 10 | |||
| IDM | Darbe boşaltma akımı | 65 | A | |
| PD | Maksimum güç kaybı @ TC=25°C | 65 | W | |
| TC | Çalışma sıcaklığı | dava | 一55~150 | ° C |
| TJ | Kavşak noktası | 一55~175 | ° C | |
| TS | Depolama sıcaklığı | 一55~150 | ° C | |
1.2 650V GaN FETs Chip Elektrik Parametreleri (aksi belirtilmedikçe TJ=25°C)
| sembol | Parametre | Min | Typ | maksimum | birim | Test Koşulları |
| İleri Cihaz Özellikleri | ||||||
| V(BL)DS'ler | Drenaj kaynağı voltajı | - | 650 | - | v | Vcs=-25V |
| geniş) | Kapı Eşik Voltajı | - | -18 | - | v | VDs=Vas,IDs=luA |
| RDS(açık) | Drenaj kaynağına karşı direnç | - | 150 | 180 | mQ | Vcs=OV,ID-10A |
| - | - | - | VG'ler=OV, ID-10A,TJ=150'C | |||
| kimlik | Drenajdan kaynağa sızıntı akım |
- | - | 3 | uA | VDs=650V,VGs=-25V |
| - | - | 30 | VDs=400V,VGs=-25V, T=150'c |
|||
| kız | Kapıdan kaynağa ileri kaçak akım |
- | 3.7 | 100 | nA | VG = 2V |
| Kapıdan kaynağa ters kaçak akım |
- | -3.5 | -100 | VGS=-25V | ||
| CIss | Giriş kapasitansı | - | 650 | - | pF | vGs=-25V,VDS=300V,f=1MHz |
| çünkü | Çıkış kapasitansı | - | 40 | - | ||
| CRSS | Ters kapasitans | - | 10 | - | ||
| QG | Toplam kapı ücreti | - | 9 | - | nC | VDS=200V,VGS=-25V ila ov, kimlik=10A |
| QGS | Geçit kaynağı ücreti | - | 2 | - | ||
| QGD | Kapı tahliye ücreti | - | 7 | - | ||
| tn | Ters kurtarma süresi | - | 4 | - | ns | = 0A - 11A, VDD=400V di/dt=1000A/uS |
| Q. | Ters kurtarma ücreti | - | 17 | - | nC | - |
| TIX(açık) | Açma gecikmesi | - | 0.5 | - | - | VDs=200VVG=-25V ila ov, kimlik=10A |
| tR | Yükselme zamanı | - | 9 | - | ||
| tD(kapalı) | Kapanma gecikmesi | - | 0.5 | - | ||
| tF | sonbahar zamanı | - | 10 | - | ||
| Ters Cihaz Karakteristikleri | ||||||
| VSD | Ters akım | - | 7 | - | v | VGS=-25V,Is=10A,Tc=25′ C |
2. Hızlı Şarj Malzemeleri için Neden Galyum Nitrür En İyi Seçimdir?
Üçüncü nesil yarı iletkenlerin temel malzemelerinden biri olan GaN'nin üç ana özelliği vardır:
- yüksek anahtarlama frekansı
- büyük bant boşluğu
- daha düşük direnç.
Geniş ekranlı cep telefonları ana akım haline geldiğinden ve işlemciler sürekli olarak yükseltildiğinden, pil teknolojisi bir darboğaza ulaştı. Bu nedenle, nasıl daha hızlı şarj edileceği, pil ömrü sorununu çözmenin anahtarı haline geldi.Galyum nitrür (GaN)iki ana nedenden dolayı dikkat çekti: ekran boyutu artmaya devam ediyor ve pil kapasitesi artmaya devam ediyor. Gelecekte, akıllı telefon ekranı büyüdükçe, tüm CPU, radyo frekansı ve çevresel elektronik cihazlar güç kısmını kullanacak ve pil daha büyük ve daha büyük hale gelecektir.
GaN FET yüksek voltaj çipinde üretilen şarj cihazı çok küçüktür, ancak çok yüksek şarj verimliliği, düşük ısı üretimi ile. GaN şarj çipinin hızı, orijinalinden iki kat daha hızlıdır.
3. GaN (Galyum Nitrür) ve Geleneksel Silikon Malzemeler Arasındaki Fark Nedir?
GaN FET cihazları, silikona göre daha yüksek verimliliğe, daha küçük boyuta ve daha hafif ağırlığa sahip olmalarıdır. Spesifik olarak, GaN silikondan 20 kat daha hızlı çalışır ve üç kat daha yüksek güç elde edebilir ve enerji yoğunluğunu en az iki katına çıkarabilir. Geleneksel güç yönetimi yöntemi olan AC/DC ile karşılaştırıldığında, verimlilik en az 3 puan artırılmıştır.
Galyum nitrürün görünümü, güç yoğunluğunun artmasıyla şarj cihazının boyutunun artmaya devam ettiği statükoyu değiştirdi. Şu anda dünyadaki en hızlı güç anahtarlama cihazıdır ve yüksek hızlı anahtarlama öncülüğünde yüksek verimlilik seviyesini koruyabilir. Yüksek anahtarlama frekansı, transformatörün boyutunu küçültür, böylece şarj cihazının boyutunu büyük ölçüde azaltır. Aynı zamanda, galyum nitrür daha düşük kayba sahiptir. GaN FET güç çipini kullandıktan sonra, diğer bileşenlerin kullanımını azaltır ve şarj cihazının boyutunu daha da azaltır.
With the development of artificial intelligence and 5G communications, high requirements have been placed on the GaN FET technology in fast charging of 5G mobile phones, notebook computers and other smart terminals. As users demand versatility and portability of chargers, thN e GaN FET market in 650V fast charging market has grown rapidly. As a one of GaN FET manufacturers, Ganwafer is actively deploying GaN FETs chip component design and production capacity.
Daha fazla bilgi için lütfen adresinden bize e-posta gönderin sales@ganwafer.com ve tech@ganwafer.com.
