急速充電用の650VGaNFETチップ
Ganwafer can offer 650V GaN FETs Chip for fast charge products for the consumer market. GaN FETs advantages in the charger are mainly reflected in: small size, light weight, high power density, high efficiency but not easy to heat. Moreover, mobile phones, notebooks can be charged by the GaN FETs Chip, which is compatible with multiple devices.
1. 650VGaNFETデータセット
1.1 GaN FET 650Vチップの絶対最大定格（特に明記しない限り、TC = 25°C）
| シンボル | パラメーター | 限界値 | ユニット | |
| VDSS | ソース電圧へのドレイン | 650 | V | |
| VDSS | ゲートからソースへの電圧 | 一25〜+ 2 | ||
| ID | 連続ドレイン電流@TC=25°C | 15 | あ | |
| 連続ドレイン電流@TC=100°C | 10 | |||
| IDM | パルスドレイン電流 | 65 | あ | |
| PD | 最大消費電力@TC=25°C | 65 | W | |
| TC | 運転温度 | 場合 | 一55〜150 | C° |
| TJ | 合流 | 一55〜175 | C° | |
| TS | 保存温度 | 一55〜150 | C° | |
1.2 650V GaN FETチップの電気的パラメータ（特に明記しない限り、TJ = 25°C）
| シンボル | パラメーター | ミン | 標準 | マックス | ユニット | 試験条件 |
| フォワードデバイスの特性 | ||||||
| V（BL）DS | ドレイン-ソース間電圧 | — | 650 | — | v | Vcs = -25V |
| Vasth） | ゲート閾値電圧 | — | -18 | — | v | VDs = Vas、IDs = luA |
| RDS（オン） | ドレインソースのオン抵抗 | — | 150 | 180 | mQ | Vcs = OV、ID-10A |
| — | — | — | VGs = OV、ID-10A、TJ = 150'C | |||
| lDss | ドレインからソースへのリーク 現在 |
— | — | 3 | uA | VDs = 650V、VGs = -25V |
| — | — | 30 | VDs = 400V、VGs = -25V、 T = 150'c |
|||
| lass | ゲートからソースへの転送 漏れ電流 |
— | 3.7 | 100 | nAの | VGs = 2V |
| ゲートからソースへのリバース 漏れ電流 |
— | -3.5 | -100 | VGS = -25V | ||
| CIss | 入力キャパシタンス | — | 650 | — | pFの | vGs = -25V、VDS = 300V、f = 1MHz |
| コス | 出力容量 | — | 40 | — | ||
| CRSS | 逆容量 | — | 10 | — | ||
| QG | 総ゲートチャージ | — | 9 | — | nC | VDS = 200V、VGS = -25Vからov、 ID = 10A |
| QGS | ゲート-ソースチャージ | — | 2 | — | ||
| QGD | ゲート-ドレインチャージ | — | 7 | — | ||
| tn | 逆回復時間 | — | 4 | — | NS | Is = 0A〜11A、VDD = 400V di / dt = 1000A / uS |
| Q. | 逆回復電荷 | — | 17 | — | nC | — |
| TIX（オン） | ターンオン遅延 | — | 0.5 | — | — | VDs = 200VVG = -25Vからov、 ID = 10A |
| tR | 立ち上がり時間 | — | 9 | — | ||
| tD（オフ） | ターンオフ遅延 | — | 0.5 | — | ||
| tF | 秋の時間 | — | 10 | — | ||
| リバースデバイスの特性 | ||||||
| VSD | 逆電圧 | — | 7 | — | v | VGS = -25V、Is = 10A、Tc = 25'C |
2.窒化ガリウムが急速充電材料に最適なのはなぜですか？
第3世代半導体のコア材料の1つとして、GaNには3つの主要な特徴があります。
- 高いスイッチング周波数
- 大きなバンドギャップ
- より低いオン抵抗。
大画面携帯電話が主流になり、プロセッサが継続的にアップグレードされるにつれて、バッテリー技術がボトルネックになりました。 したがって、どのように速く充電するかが、バッテリーの寿命の問題を解決するための鍵になりました。窒化ガリウム（GaN）画面サイズが大きくなり続けることと、バッテリー容量が増え続けることの2つの主な理由で注目を集めています。 将来的には、スマートフォンの画面が大きくなるほど、CPU、無線周波数、周辺電子機器全体が電源部分を使用し、バッテリーもどんどん大きくなっていきます。
GaN FET高電圧チップ上に製造された充電器は非常に小さいですが、非常に高い充電効率と低い発熱を備えています。 GaN充電器チップの速度は元のチップの2倍です。
3. GaN（窒化ガリウム）と従来のシリコン材料の違いは何ですか？
GaN FETデバイスは、シリコンよりも効率が高く、サイズが小さく、軽量です。 具体的には、GaNはシリコンの20倍の速度で動作し、3倍の電力を達成でき、少なくとも2倍のエネルギー密度を実現できます。 従来の電力管理方式であるAC/DCと比較して、効率が少なくとも3ポイント向上します。
窒化ガリウムの出現は、充電器のサイズが電力密度の増加とともに増加し続けるという現状を変えました。 現在、世界最速のパワースイッチングデバイスであり、高速スイッチングを前提として高効率レベルを維持することができます。 スイッチング周波数が高いと、トランスのサイズが小さくなり、充電器のサイズが大幅に小さくなります。 同時に、窒化ガリウムの損失は低くなります。 GaN FETパワーチップを使用すると、他のコンポーネントの使用が減り、充電器のサイズがさらに小さくなります。
With the development of artificial intelligence and 5G communications, high requirements have been placed on the GaN FET technology in fast charging of 5G mobile phones, notebook computers and other smart terminals. As users demand versatility and portability of chargers, thN e GaN FET market in 650V fast charging market has grown rapidly. As a one of GaN FET manufacturers, Ganwafer is actively deploying GaN FETs chip component design and production capacity.
詳細については、メールでお問い合わせください。 sales@ganwafer.com と tech@ganwafer.com.
