Puce 650V GaN FETs pour une charge rapide
Ganwafer can offer 650V GaN FETs Chip for fast charge products for the consumer market. GaN FETs advantages in the charger are mainly reflected in: small size, light weight, high power density, high efficiency but not easy to heat. Moreover, mobile phones, notebooks can be charged by the GaN FETs Chip, which is compatible with multiple devices.
1. Fiche technique FET GaN 650V
1.1 GaN FET 650V Chip Absolute Maximum Ratings (TC=25°C sauf indication contraire)
| symbole | Paramètre | Valeur limite | Unité | |
| VDSS | Tension de vidange à la source | 650 | V | |
| VDSS | Tension porte à source | 一25~+2 | ||
| ID | Courant de drain continu @TC=25°C | 15 | UNE | |
| Courant de drain continu @TC=100°C | 10 | |||
| IDM | Courant de drain d'impulsion | 65 | UNE | |
| PD | Puissance dissipée maximale @ TC=25°C | 65 | W | |
| CT | Température de fonctionnement | Cas | 一55~150 | ° C |
| TJ | Jonction | 一55~175 | ° C | |
| TS | Température de stockage | 一55~150 | ° C | |
1.2 Paramètres électriques des puces GaN FET 650V (TJ=25°C sauf indication contraire)
| symbole | Paramètre | Min | Typ | Max | Unité | Conditions d'essai |
| Caractéristiques de l'appareil de transfert | ||||||
| V(BL)DS | Tension drain-source | - | 650 | - | v | Vcs=-25V |
| Vaste) | Tension de seuil de porte | - | -18 | - | v | VDs=Vas,IDs=luA |
| RDS (activé) | Drain-source sur-résistance | - | 150 | 180 | mQ | Vcs=OV,ID-10A |
| - | - | - | VGs=OV, ID-10A,TJ=150'C | |||
| lDss | Fuite drain-source courant |
- | - | 3 | uA | VD=650V,VG=-25V |
| - | - | 30 | VD=400V,VG=-25V, T=150'c |
|||
| fille | Transfert de la porte à la source Courant de fuite |
- | 3.7 | 100 | n / a | VGs=2V |
| Inversion de porte à source Courant de fuite |
- | -3.5 | -100 | VGS=-25V | ||
| CIss | Capacité d'entrée | - | 650 | - | pF | vGs=-25V,VDS=300V,f=1MHz |
| Coss | Capacité de sortie | - | 40 | - | ||
| CRSS | Capacité inverse | - | 10 | - | ||
| QG | Charge totale de la porte | - | 9 | - | NC | VDS=200V,VGS=-25V à ov, ID=10A |
| SGQ | Charge source-portail | - | 2 | - | ||
| QGD | Charge de vidange | - | 7 | - | ||
| tn | Temps de récupération inversé | - | 4 | - | ns | Est = 0A à 11A, VDD = 400V di/dt=1000A/uS |
| Q | Frais de recouvrement inversés | - | 17 | - | NC | - |
| TIX (activé) | Délai d'activation | - | 0.5 | - | - | VDs=200VVG=-25V à ov, ID=10A |
| tR | Temps de montée | - | 9 | - | ||
| tD(désactivé) | Délai d'extinction | - | 0.5 | - | ||
| tF | Temps d'automne | - | 10 | - | ||
| Inverser les caractéristiques de l'appareil | ||||||
| VSD | Tension inverse | - | 7 | - | v | VGS=-25V,Is=10A,Tc=25′ C |
2. Pourquoi le nitrure de gallium est-il le meilleur choix pour les matériaux à charge rapide ?
En tant que l'un des matériaux de base des semi-conducteurs de troisième génération, le GaN présente trois caractéristiques principales :
- haute fréquence de commutation
- grande bande interdite
- résistance à l'état passant plus faible.
Alors que les téléphones mobiles à grand écran sont devenus le courant dominant et que les processeurs ont été continuellement mis à niveau, la technologie des batteries a atteint un goulot d'étranglement. Par conséquent, comment charger plus rapidement est devenu la clé pour résoudre le problème de la durée de vie de la batterie.Nitrure de gallium (GaN)a attiré l'attention pour deux raisons principales : la taille de l'écran continue d'augmenter et la capacité de la batterie continue d'augmenter. À l'avenir, plus l'écran du téléphone intelligent sera grand, plus l'unité centrale, la fréquence radio et les appareils électroniques périphériques utiliseront la partie alimentation, et la batterie deviendra de plus en plus grande.
Le chargeur fabriqué sur une puce haute tension GaN FET est très petit, mais avec une efficacité de charge très élevée et une faible génération de chaleur. La vitesse de la puce du chargeur GaN est deux fois plus rapide que celle d'origine.
3. Quelle est la différence entre le GaN (nitrure de gallium) et les matériaux traditionnels en silicium ?
Les dispositifs GaN FET ont une efficacité supérieure, une taille plus petite et un poids plus léger que ceux sur silicium. Plus précisément, le GaN fonctionne 20 fois plus vite que le silicium et peut atteindre une puissance trois fois plus élevée et au moins doubler la densité d'énergie. Par rapport à la méthode traditionnelle de gestion de l'alimentation AC/DC, l'efficacité est améliorée d'au moins 3 points.
L'apparition du nitrure de gallium a changé le statu quo selon lequel la taille du chargeur continue d'augmenter avec l'augmentation de la densité de puissance. Il s'agit actuellement du dispositif de commutation de puissance le plus rapide au monde et peut maintenir un niveau d'efficacité élevé dans le cadre d'une commutation à grande vitesse. La fréquence de commutation élevée réduit la taille du transformateur, réduisant ainsi considérablement la taille du chargeur. Dans le même temps, le nitrure de gallium a une perte plus faible. Après avoir utilisé la puce d'alimentation GaN FET, cela réduit l'utilisation d'autres composants et réduit encore la taille du chargeur.
With the development of artificial intelligence and 5G communications, high requirements have been placed on the GaN FET technology in fast charging of 5G mobile phones, notebook computers and other smart terminals. As users demand versatility and portability of chargers, thN e GaN FET market in 650V fast charging market has grown rapidly. As a one of GaN FET manufacturers, Ganwafer is actively deploying GaN FETs chip component design and production capacity.
Pour plus d'informations, veuillez nous contacter par e-mail à sales@ganwafer.com et tech@ganwafer.com.
