Film mince de phosphure d'arséniure d'indium et de gallium (InGaAsP)

indium gallium arsenide phosphide wafer

Film mince de phosphure d'arséniure d'indium et de gallium (InGaAsP)

Le matériau semi-conducteur en alliage quaternaire de phosphure d'arséniure de gallium et d'indium (GalnAsP) associé au réseau de substrat monocristallin de phosphure d'indium (InP) a une plage de bande interdite réglable de 0,75 à 1,35 eV. Étant donné que l'écart d'énergie du phosphure d'arséniure de gallium et d'indium couvre les bandes à faible perte de 1,33 um et 1,55 um pour la transmission du signal par fibre de quartz dans les communications optiques actuelles, il est souvent utilisé dans la structure du transistor bipolaire à jonction hétérogène au phosphure d'indium, laser à émission de surface à cavité verticale et autres dispositifs optoélectroniques. Ganwafer est en mesure de fournirplaquette épitaxiale III-Vd'InP/InGaAsP et développer une structure personnalisée. Les structures spécifiques sont les suivantes :

1. Spécifications de la plaquette de phosphure d'arséniure d'indium et de gallium

Plaquette InGaAsP à base d'InP n° 1

GANW190513-INGAASP

Épi-Couche Matériel dopant Épaisseur
Épi-couche 7 InP non dopé -
Épi-couche 6g InGaAsP - 75nm -
Épi-couche 6f InGaAsP - - -
Épi-couche 6e InGaAsP - - -
Épi-couche 6d InGaAsP - - réseau adapté, émettant à 1275 nm
Épi-couche 6c InGaAsP - - -
Épi-couche 6b InGaAsP - - -
Épi-couche 6a InGaAsP - - -
Épi-couche 5 InP - -
Épi-couche 4g InGaAsP - 75nm -
Épi-couche 4f InGaAsP non dopé - -
Épi-couche 4e InGaAsP - - -
Épi-couche 4d InGaAsP - - -
Épi-couche 4c InGaAsP - - -
Épi-couche 4b InGaAsP - - -
Épi-couche 4a InGaAsP - - réseau adapté, émettant à 1000 nm
Épi-couche 3 InP - -
Épi-couche 2g InGaAsP - - -
Épi-couche 2f InGaAsP - - -
Épi-couche 2e InGaAsP - - -
Épi-couche 2d InGaAsP - - -
Épi-couche 2c InGaAsP - 10nm -
Épi-couche 2b InGaAsP - -
Épi-couche 2a InGaAsP non dopé - réseau adapté, émettant à 1000 nm
Épi-couche 1 InP non dopé 300nm
substrat InP:S[100], Nc = (3-8)E18/cc, DEP < 5000/cm2

 

No.2 InGaAsP / InP Epiwafers

GANW190709-InGAASP

Épi-Couche Matériel dopant Épaisseur
Épi-couche 7 InP non dopé -
Épi-couche 6g InGaAsP - - -
Épi-couche 6f InGaAsP - 5 nm -
Épi-couche 6e InGaAsP - - -
Épi-couche 6d InGaAsP - - -
Épi-couche 6c InGaAsP - - réseau adapté, émettant à 1040 nm
Épi-couche 6b InGaAsP - - -
Épi-couche 6a InGaAsP - - -
Épi-couche 5 InAlAs - -
Épi-couche 4g InGaAsP - - -
Épi-couche 4f InGaAsP non dopé 5 nm -
Épi-couche 4e InGaAsP - - -
Épi-couche 4d InGaAsP - - -
Épi-couche 4c InGaAsP - - -
Épi-couche 4b InGaAsP - - réseau adapté, émettant à 1350 nm
Épi-couche 4a InGaAsP - 75nm -
Épi-couche 3 InAlAs - -
Épi-couche 2g InGaAsP - - -
Épi-couche 2f InGaAsP - 5 nm -
Épi-couche 2e InGaAsP - - -
Épi-couche 2d InGaAsP - - -
Épi-couche 2c InGaAsP - - -
Épi-couche 2b InGaAsP - -
Épi-couche 2a InGaAsP non dopé - réseau adapté, émettant à 1040 nm
Épi-couche 1 InP non dopé 300nm
substrat InP:S[100], Nc = (3-8)E18/cc, DEP < 5000/cm2

 

Structure de puits quantique InGaAsP n° 3

GANW190527-INGAASP

Épi-Couche Matériel dopant Épaisseur
Épi-couche 11 Couche de recouvrement n-InP Si -
Épi-couche 10 n-1.24Q InGaAsP, dopage delta - -
Épi-couche 9 i-1.24Q InGaAsP - -
Épi-couche 8 Barrière InGaAsP 1.30Q (-0.5%) - - λc=1.55um
Épi-couche 7 Puits InGaAsP 1.65Q (+0.8%) - -
Épi-couche 6 Barrière InGaAsP 1.30Q (-0.5%) - -
Épi-couche 5 i-1.24Q InGaAsP - 300A
Épi-couche 4 p-1.24Q InGaAsP Zn -
Épi-couche 3 Couche sacrificielle p-InP - -
Epi-layer 2 Couche d'arrêt de gravure p-InGaAs - 0.4um
Épi-couche 1 p-tampon InP - -
substrat p-InP

 

2. FAQ de la plaquette InGaAsP

Q1 :J'ai une question technique :

Savez-vous si InGaAsP avec une bande interdite à 950 nm est résistant à l'HCl concentré (acide chlorhydrique) ?

A: La corrosion de la tranche de cristal de phosphure d'arséniure d'indium et de gallium peut être irrésistible, mais la vitesse de corrosion devrait être plus lente.

Q2 :J'ai reçu votre plaquette InGaAsP avec FWHM 54.5nm (voir pièce jointe). Est-il possible de fournir une plaquette InGaAsP avec une FWHM plus étroite (moins de 54,5 nm) ? Possible à 30nm ? Ou 20nm ?

FWHM of InGaAsP Wafer

A: Ce n'est pas un problème pour fabriquer une plaquette épi GaInAsP avec FWHM <54,5 nm et ce que nous pouvons garantir est proche de 30 nm.

Q3 :J'ai utilisé votre hétérostructure InGaAsP ainsi que d'autres plaquettes pour fabriquer une source d'émission de lumière nano-matériau. Comparé à l'appareil fabriqué avec une plaquette InGaAsP d'une autre société, l'appareil basé sur votre plaquette a montré que la tension moyenne était faible, même s'il mettait plus de puissance (35 contre 350 μW).

Pourriez-vous, s'il vous plaît, nous donner une explication/opinion sur le résultat du test de comparaison ?

A: La différence d'épitaxie de GaInAsP sur l'InP de type P peut être due à la différence de concentration de dopage entre le type P et le type N. Nous sommes en accord avec la concentration de vos exigences. Il est clair que la concentration de dopage est trop élevée, la perte d'absorption optique est très importante, pas de problème structurel. PL peut être beaucoup plus fort si le point de dopage est plus bas. Ce phénomène est évidemment lié au dopage.

Pour plus d'informations, veuillez nous contacter par e-mail à sales@ganwafer.com et tech@ganwafer.com.

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