1240nmInPレーザーダイオード構造
InP（リン化インジウム）材料システムには、3成分と4成分が含まれますIII-V半導体材料, such as InGaAs, InGaAsP, InAlGaAs and InAlAsP, which are lattice matched to InP substrate. Among them, quaternary alloy of InAlGaAs lattice matched to InP is an important material for optoelectronic devices. Ganwafer can provide InP laser wafer of Grinsch (GRIN) structure with InAlGaAs epilayers as follows:
1. InGaAlAs/InPレーザーエピ構造
InP基板上のNo.1エピレーザー
GANW200729-1240nmLD
| 1 | InP Substrate
（素材番号：M01 *） |
S-Dopded
2〜8 x 1018 |
cm-3 |
| 2 | N-InP Buffer Layer
（集中） |
– | um
（cm-3） |
| 3 | N-InAlAs Layer
（集中） |
– | um
（cm-3） |
| 4 | U-GRIN AlQ（AlTから0.96） | 0.1 um | ええと |
| 5 | 5 x QW / 6 x Barrier
（λPL= 1248.5 nm） |
– | nm
（NM） |
| 6 | U-GRIN AlQ（0.96からAlT） | – | ええと |
| 7 | U-InAlAsレイヤー | – | ええと |
| 8 | P-InP Layer
（集中） |
– | um
（cm-3） |
| 9 | P-1.1um InGaAsP
（集中） |
– | um
（cm-3） |
| 10 | P-InP Layer
（集中） |
– | um
（cm-3） |
| 11 | P-InGaAsP Layer
（集中） |
– | um
（cm-3） |
| 12 | P-InGaAs Layer
（集中） |
0.2 um
（> 1 x 1019） |
um
（cm-3） |
| 13 | 格子の不一致 | <±500 | PPM |
No.2InAlGaAsQWを使用したレーザー構造
GANW200730-1240nmLD
| レイヤー番号 | 材料 | d（nm） | 深さ（nm） | ドーピング（cm） |
| 1 | n – InP 3″基板（Sドープ） | n = 2-8e18 | ||
| 2 | n – lnP | – | – | – |
| 3 | n – InAlAs | – | – | – |
| 4 | u-GRIN AIQ（0.96からAIT） | – | – | N / A |
| 5 | 6 x u-InAlGaAs QW (+1% CS)/
5 x u-InAlGaAsバリア（-0.5％TS） |
– | – | N / A |
| 6 | u-GRIN AIQ（AITから0.96） | – | – | N / A |
| 7 | u- InAlAs | – | 962.5 | N / A |
| 8 | p-InP | – | – | – |
| 9 | p + -1.3 um InGaAsP（LM） | – | – | – |
| 10 | p + -1.5 um InGaAsP（LM） | – | – | – |
| 11 | p++-InGaAs-キャップ | 100 | – | p> 1e19 |
リマーク：GRIN AlQ（AlT〜0.96）：No.4とNo.6の層は傾斜導波路層であり、波長0.96umのInAlAsからInAlGaAsに組成が変化します。
GRIN-SCHに基づくレーザー構造には、STEP-SCHに基づくナノ構造に比べて、注入効率の向上、トラップ効率の向上、ドーピング時間の大幅な短縮、キャリア閉じ込めの強化など、さまざまな利点があることが報告されています。
2.InPレーザーダイオード用のInAlGaAs材料
InP上のInAlGaAs/InAlAsヘテロ構造に関しては、バンドギャップエネルギーをInのバンドギャップエネルギー間で修正できます。0.53ジョージア0.47As and In0.52アル0.48として。 さらに、InAlGaAsはMBEによって成長しやすくなっています。 Vグループ要素は1つだけです。 したがって、III族ビーム当量比を調整することで合金組成を容易に変更でき、InGaAsPの成長中のAs/P比をより適切に制御できます。
InAlGaAs / InPヘテロ構造の導波路とクラッドの屈折率比は、バンドギャップが同じInGaAsP / InPの屈折率比よりも高く、さまざまな用途でInGaAsPよりもInAlGaAsの方が魅力的です。 さらに、InAlGaAsのバンドギャップは簡単に変えることができますが、エピタキシャル成長中、格子はInPウェーハと一致します。 より高い光学性が得られるため、AlGaInAs/InP材料システムがアクティブ領域に導入されました。 したがって、InAlGaAs材料は、長波長半導体導波路デバイスの製造（InPレーザー製造など）においてますます重要な役割を果たします。
詳細については、メールでお問い合わせください。 sales@ganwafer.com と tech@ganwafer.com.
