Película delgada de fosfuro de arseniuro de indio y galio (InGaAsP)
El material semiconductor de aleación cuaternaria de fosfuro de arseniuro de indio y galio (GalnAsP) combinado con una red de sustrato monocristalino de fosfuro de indio (InP) tiene un rango de banda prohibida ajustable de 0,75~1,35 eV. Debido a que la brecha de energía del fosfuro de arseniuro de indio y galio cubre las bandas de baja pérdida de 1.33um y 1.55um para la transmisión de señales de fibra de cuarzo en la comunicación óptica actual, a menudo se usa en la estructura del transistor bipolar de unión heterogénea de fosfuro de indio, láser de emisión de superficie de cavidad vertical y otros dispositivos optoelectrónicos. Ganwafer puede proporcionarOblea epitaxial III-Vde InP/InGaAsP y hacer crecer la estructura personalizada. Las estructuras específicas son las siguientes:
1. Especificaciones de la oblea de fosfuro de arseniuro de indio y galio
Oblea InGaAsP basada en InP n.º 1
GANW190513-INGAASP
| Epi-capa | Materiales | dopante | Espesor | |
| Epi-capa 7 | En p | sin dopar | - | |
| Epi-capa 6g | InGaAsP | - | 75nm | - |
| Epi-capa 6f | InGaAsP | - | - | - |
| Epi-capa 6e | InGaAsP | - | - | - |
| Epi-capa 6d | InGaAsP | - | - | celosía emparejada, emitiendo a 1275 nm |
| Epi-capa 6c | InGaAsP | - | - | - |
| Epi-capa 6b | InGaAsP | - | - | - |
| Epi-capa 6a | InGaAsP | - | - | - |
| Epi-capa 5 | En p | - | - | |
| Epi-capa 4g | InGaAsP | - | 75nm | - |
| Epi-capa 4f | InGaAsP | sin dopar | - | - |
| Epi-capa 4e | InGaAsP | - | - | - |
| Epi-capa 4d | InGaAsP | - | - | - |
| Epi-capa 4c | InGaAsP | - | - | - |
| Epi-capa 4b | InGaAsP | - | - | - |
| Epi-capa 4a | InGaAsP | - | - | celosía emparejada, emitiendo a 1000 nm |
| Epi-capa 3 | En p | - | - | |
| Epi-capa 2g | InGaAsP | - | - | - |
| Epi-capa 2f | InGaAsP | - | - | - |
| Epi-capa 2e | InGaAsP | - | - | - |
| Epi-capa 2d | InGaAsP | - | - | - |
| Epi-capa 2c | InGaAsP | - | 10nm | - |
| Epi-capa 2b | InGaAsP | - | - | |
| Epi-capa 2a | InGaAsP | sin dopar | - | celosía emparejada, emitiendo a 1000 nm |
| Epi-capa 1 | En p | sin dopar | 300 nm | |
| Sustrato | InP:S[100], Nc = (3-8)E18/cc, DEP < 5000/cm2 |
No.2 InGaAsP / InP Epiwafers
GANW190709-InGAASP
| Epi-capa | Materiales | dopante | Espesor | |
| Epi-capa 7 | En p | sin dopar | - | |
| Epi-capa 6g | InGaAsP | - | - | - |
| Epi-capa 6f | InGaAsP | - | 5 nm | - |
| Epi-capa 6e | InGaAsP | - | - | - |
| Epi-capa 6d | InGaAsP | - | - | - |
| Epi-capa 6c | InGaAsP | - | - | celosía emparejada, emitiendo a 1040 nm |
| Epi-capa 6b | InGaAsP | - | - | - |
| Epi-capa 6a | InGaAsP | - | - | - |
| Epi-capa 5 | InAlAs | - | - | |
| Epi-capa 4g | InGaAsP | - | - | - |
| Epi-capa 4f | InGaAsP | sin dopar | 5 nm | - |
| Epi-capa 4e | InGaAsP | - | - | - |
| Epi-capa 4d | InGaAsP | - | - | - |
| Epi-capa 4c | InGaAsP | - | - | - |
| Epi-capa 4b | InGaAsP | - | - | celosía emparejada, emitiendo a 1350 nm |
| Epi-capa 4a | InGaAsP | - | 75nm | - |
| Epi-capa 3 | InAlAs | - | - | |
| Epi-capa 2g | InGaAsP | - | - | - |
| Epi-capa 2f | InGaAsP | - | 5 nm | - |
| Epi-capa 2e | InGaAsP | - | - | - |
| Epi-capa 2d | InGaAsP | - | - | - |
| Epi-capa 2c | InGaAsP | - | - | - |
| Epi-capa 2b | InGaAsP | - | - | |
| Epi-capa 2a | InGaAsP | sin dopar | - | celosía emparejada, emitiendo a 1040 nm |
| Epi-capa 1 | En p | sin dopar | 300 nm | |
| Sustrato | InP:S[100], Nc = (3-8)E18/cc, DEP < 5000/cm2 |
Estructura de pozo cuántico de InGaAsP n.º 3
GANW190527-INGAASP
| Epi-capa | Materiales | dopante | Espesor | |
| Epi-capa 11 | capa de cobertura n-InP | Si | - | |
| Epicapa 10 | n-1.24Q InGaAsP, dopaje delta | - | - | |
| Epi-capa 9 | i-1.24Q InGaAsP | - | - | |
| Epi-capa 8 | 1.30Q (-0.5%) Barrera InGaAsP | - | - | λc=1.55um |
| Epi-capa 7 | Pozo InGaAsP 1.65Q (+0.8%) | - | - | |
| Epi-capa 6 | 1.30Q (-0.5%) Barrera InGaAsP | - | - | |
| Epi-capa 5 | i-1.24Q InGaAsP | - | 300A | |
| Epi-capa 4 | p-1.24Q InGaAsP | Zn | - | |
| Epi-capa 3 | capa de sacrificio p-InP | - | - | |
| Epi-layer 2 | capa de parada de grabado de p-InGaAs | - | 0.4um | |
| Epi-capa 1 | entrada de tampón p | - | - | |
| Sustrato | p-InP |
2. Preguntas frecuentes sobre la oblea InGaAsP
Q1:Tengo una pregunta técnica:
¿Sabes si el InGaAsP con banda prohibida a 950 nm es resistente al HCl concentrado (ácido clorhídrico)?
A: La corrosión de la oblea de cristal de fosfuro de arseniuro de indio y galio puede ser irresistible, pero la velocidad de corrosión debería ser más lenta.
P2:Recibí su oblea InGaAsP con FWHM 54.5nm (ver adjunto). ¿Es posible proporcionar una oblea InGaAsP con un FWHM más estrecho (menos de 54,5 nm)? Posible a 30nm? O 20nm?
A: No hay problema para la fabricación de oblea GaInAsP epi con FWHM<54.5nm y lo que podemos garantizar es cerca de 30nm.
Q3:He usado su heteroestructura InGaAsP así como otras obleas para hacer una fuente de emisión de luz de nanomaterial. En comparación con el dispositivo fabricado con una oblea de InGaAsP de otra empresa, el dispositivo basado en su oblea demostró que el voltaje promedio era bajo, aunque puso más potencia (35 frente a 350 μW).
¿Podría darnos una explicación/opinión sobre el resultado de la prueba de comparación?
A: La diferencia de epitaxia de GaInAsP en InP de tipo P puede deberse a la diferencia de concentración de dopaje entre el tipo P y el tipo N. Estamos de acuerdo con la concentración de sus requerimientos. Está claro que la concentración de dopaje es demasiado alta, la pérdida de absorción óptica es muy grande, no es un problema estructural. PL puede ser mucho más fuerte si el punto de dopaje es más bajo. Este fenómeno obviamente está relacionado con el dopaje.
Para obtener más información, contáctenos por correo electrónico a sales@ganwafer.com y tech@ganwafer.com.
