Film sottile indio gallio arseniuro fosfuro (InGaAsP).
Il materiale semiconduttore in lega quaternaria di fosfuro di arseniuro di gallio indio (GalnAsP) abbinato al reticolo del substrato a cristallo singolo di fosfuro di indio (InP) ha un intervallo di gap di banda regolabile di 0,75 ~ 1,35 eV. Poiché il divario di energia del fosfuro di arseniuro di gallio indio copre le bande a bassa perdita di 1,33 um e 1,55 um per la trasmissione del segnale in fibra di quarzo nella comunicazione ottica corrente, viene spesso utilizzato nella struttura del transistor bipolare a giunzione eterogenea al fosfuro di indio, laser a emissione superficiale della cavità verticale e altri dispositivi optoelettronici. Ganwafer è in grado di fornireWafer epitassiale III-Vdi InP/InGaAsP e ampliare la struttura personalizzata. Le strutture specifiche sono le seguenti:
1. Specifiche del wafer di fosfuro di arseniuro di gallio e indio
N. 1 Wafer InGaAsP basato su InP
GANW190513-INGAASP
| Strato epi | Materiale | drogante | Spessore | |
| Strato epi 7 | InP | non drogato | - | |
| Strato epi 6g | InGaAsP | - | 75 nm | - |
| Strato epi 6f | InGaAsP | - | - | - |
| Strato epi 6e | InGaAsP | - | - | - |
| Strato epi 6d | InGaAsP | - | - | reticolo abbinato, emettendo a 1275 nm |
| Strato epi 6c | InGaAsP | - | - | - |
| Strato epi 6b | InGaAsP | - | - | - |
| Strato epi 6a | InGaAsP | - | - | - |
| Strato epi 5 | InP | - | - | |
| Strato epi 4g | InGaAsP | - | 75 nm | - |
| Strato epi 4f | InGaAsP | non drogato | - | - |
| Strato epi 4e | InGaAsP | - | - | - |
| Strato epi 4d | InGaAsP | - | - | - |
| Strato epi 4c | InGaAsP | - | - | - |
| Strato epi 4b | InGaAsP | - | - | - |
| Strato epi 4a | InGaAsP | - | - | reticolo abbinato, emettendo a 1000 nm |
| Strato epi 3 | InP | - | - | |
| Strato epi 2g | InGaAsP | - | - | - |
| Epi-strato 2f | InGaAsP | - | - | - |
| Strato epi 2e | InGaAsP | - | - | - |
| Strato epi 2d | InGaAsP | - | - | - |
| Strato epi 2c | InGaAsP | - | 10 nm | - |
| Strato epi 2b | InGaAsP | - | - | |
| Strato epi 2a | InGaAsP | non drogato | - | reticolo abbinato, emettendo a 1000 nm |
| Strato epi 1 | InP | non drogato | 300 nm | |
| Substrato | InP:S[100], Nc = (3-8)E18/cc, EPD < 5000/cm2 |
N.2 Epiwafer InGaAsP / InP
GANW190709-InGAASP
| Strato epi | Materiale | drogante | Spessore | |
| Strato epi 7 | InP | non drogato | - | |
| Strato epi 6g | InGaAsP | - | - | - |
| Strato epi 6f | InGaAsP | - | 5nm | - |
| Strato epi 6e | InGaAsP | - | - | - |
| Strato epi 6d | InGaAsP | - | - | - |
| Strato epi 6c | InGaAsP | - | - | reticolo abbinato, emettendo a 1040 nm |
| Strato epi 6b | InGaAsP | - | - | - |
| Strato epi 6a | InGaAsP | - | - | - |
| Strato epi 5 | InAlAs | - | - | |
| Strato epi 4g | InGaAsP | - | - | - |
| Strato epi 4f | InGaAsP | non drogato | 5nm | - |
| Strato epi 4e | InGaAsP | - | - | - |
| Strato epi 4d | InGaAsP | - | - | - |
| Strato epi 4c | InGaAsP | - | - | - |
| Strato epi 4b | InGaAsP | - | - | reticolo abbinato, emettendo a 1350 nm |
| Strato epi 4a | InGaAsP | - | 75 nm | - |
| Strato epi 3 | InAlAs | - | - | |
| Strato epi 2g | InGaAsP | - | - | - |
| Epi-strato 2f | InGaAsP | - | 5nm | - |
| Strato epi 2e | InGaAsP | - | - | - |
| Strato epi 2d | InGaAsP | - | - | - |
| Strato epi 2c | InGaAsP | - | - | - |
| Strato epi 2b | InGaAsP | - | - | |
| Strato epi 2a | InGaAsP | non drogato | - | reticolo abbinato, emettendo a 1040 nm |
| Strato epi 1 | InP | non drogato | 300 nm | |
| Substrato | InP:S[100], Nc = (3-8)E18/cc, EPD < 5000/cm2 |
No. 3 Struttura del pozzo quantico InGaAsP
GANW190527-INGAASP
| Strato epi | Materiale | drogante | Spessore | |
| Strato epi 11 | Livello di copertura n-InP | Si | - | |
| Strato epi 10 | n-1.24Q InGaAsP, delta doping | - | - | |
| Strato epi 9 | i-1.24Q InGaAsP | - | - | |
| Strato epi 8 | Barriera InGaAsP 1.30Q (-0.5%). | - | - | λc=1,55um |
| Strato epi 7 | 1.65Q (+0.8%) bene InGaAsP | - | - | |
| Strato epi 6 | Barriera InGaAsP 1.30Q (-0.5%). | - | - | |
| Strato epi 5 | i-1.24Q InGaAsP | - | 300A | |
| Strato epi 4 | p-1.24Q InGaAsP | Zn | - | |
| Strato epi 3 | strato sacrificale p-InP | - | - | |
| Epi-layer 2 | Strato etch-stop p-InGaAs | - | 0,4 um | |
| Strato epi 1 | p-buffer InP | - | - | |
| Substrato | p-InP |
2. FAQ di InGaAsP Wafer
Q1:Ho una domanda tecnica:
Sapete se InGaAsP con bandgap a 950 nm è resistente all'HCl concentrato (acido cloridrico)?
A: La corrosione per il wafer di cristallo di fosfuro di indio gallio arseniuro può essere irresistibile, ma il tasso di corrosione dovrebbe essere più lento.
Q2:Ho ricevuto il tuo wafer InGaAsP con FWHM 54,5 nm (vedi allegato). È possibile fornire wafer InGaAsP con FWHM più stretto (meno di 54,5 nm)? Possibile a 30 nm? O 20 nm?
A: Non è un problema per la produzione di wafer epi GaInAsP con FWHM <54,5 nm e ciò che possiamo garantire è vicino a 30 nm.
Q3:Ho usato la tua eterostruttura InGaAsP e altri wafer per creare una sorgente che emette luce in nanomateriali. Rispetto al dispositivo realizzato in wafer InGaAsP di un'altra azienda, il dispositivo basato sul tuo wafer ha dimostrato che la tensione media era bassa, anche se metteva più potenza (35 contro 350 μW).
Potresti per favore darci una spiegazione/parere sul risultato del test di confronto?
A: La differenza dell'epitassia GaInAsP su InP di tipo P può essere dovuta alla differenza di concentrazione di drogante tra tipo P e tipo N. Siamo in accordo con la concentrazione delle vostre esigenze. È chiaro che la concentrazione di drogante è troppo alta, la perdita di assorbimento ottico è molto grande, non è un problema strutturale. PL può essere molto più forte se il punto di doping è inferiore. Questo fenomeno è ovviamente legato al doping.
Per ulteriori informazioni, si prega di contattarci e-mail a sales@ganwafer.com e tech@ganwafer.com.
