Indium Gallium Arsenide Fosfid (InGaAsP) tunn film
Indiumgalliumarsenidfosfid (GalnAsP) kvartär legeringshalvledarmaterial matchat med indiumfosfid (InP) enkristallsubstratgitter har ett justerbart bandgapområde på 0,75~1,35eV. Eftersom energigapet indiumgalliumarsenidfosfid täcker lågförlustbanden på 1,33um och 1,55um för kvartsfibersignalöverföring i nuvarande optisk kommunikation, används den ofta i strukturen av indiumfosfid heterogena bipolära övergångstransistorer, vertikal kavitets ytemissionslaser och andra optoelektroniska enheter. Ganwafer kan geIII-V epitaxial waferav InP/InGaAsP och utveckla anpassad struktur. Specifika strukturer är följande:
1. Specifikationer för Indium Gallium Arsenide Phosphide Wafer
Nr 1 InP-baserad InGaAsP Wafer
GANW190513-INGAASP
Epi-lager | Material | dopningsmedel | Tjocklek | |
Epi-lager 7 | I P | odopad | - | |
Epi-lager 6g | InGaAsP | - | 75 nm | - |
Epi-lager 6f | InGaAsP | - | - | - |
Epi-lager 6e | InGaAsP | - | - | - |
Epi-lager 6d | InGaAsP | - | - | gitter matchat, emitterar vid 1275 nm |
Epi-lager 6c | InGaAsP | - | - | - |
Epi-lager 6b | InGaAsP | - | - | - |
Epi-lager 6a | InGaAsP | - | - | - |
Epi-lager 5 | I P | - | - | |
Epi-lager 4g | InGaAsP | - | 75 nm | - |
Epi-lager 4f | InGaAsP | odopad | - | - |
Epi-lager 4e | InGaAsP | - | - | - |
Epi-lager 4d | InGaAsP | - | - | - |
Epi-lager 4c | InGaAsP | - | - | - |
Epi-lager 4b | InGaAsP | - | - | - |
Epi-lager 4a | InGaAsP | - | - | gitter matchat, emitterar vid 1000 nm |
Epi-lager 3 | I P | - | - | |
Epi-lager 2g | InGaAsP | - | - | - |
Epi-lager 2f | InGaAsP | - | - | - |
Epi-lager 2e | InGaAsP | - | - | - |
Epi-lager 2d | InGaAsP | - | - | - |
Epi-lager 2c | InGaAsP | - | 10 nm | - |
Epi-lager 2b | InGaAsP | - | - | |
Epi-lager 2a | InGaAsP | odopad | - | gitter matchat, emitterar vid 1000 nm |
Epi-lager 1 | I P | odopad | 300 nm | |
Substrat | InP:S[100], Nc = (3-8)E18/cc, EPD < 5000/cm2 |
Nr 2 InGaAsP / InP Epiwafers
GANW190709-InGAASP
Epi-lager | Material | dopningsmedel | Tjocklek | |
Epi-lager 7 | I P | odopad | - | |
Epi-lager 6g | InGaAsP | - | - | - |
Epi-lager 6f | InGaAsP | - | 5nm | - |
Epi-lager 6e | InGaAsP | - | - | - |
Epi-lager 6d | InGaAsP | - | - | - |
Epi-lager 6c | InGaAsP | - | - | gitter matchat, emitterar vid 1040 nm |
Epi-lager 6b | InGaAsP | - | - | - |
Epi-lager 6a | InGaAsP | - | - | - |
Epi-lager 5 | InAlAs | - | - | |
Epi-lager 4g | InGaAsP | - | - | - |
Epi-lager 4f | InGaAsP | odopad | 5nm | - |
Epi-lager 4e | InGaAsP | - | - | - |
Epi-lager 4d | InGaAsP | - | - | - |
Epi-lager 4c | InGaAsP | - | - | - |
Epi-lager 4b | InGaAsP | - | - | gitter matchat, emitterar vid 1350 nm |
Epi-lager 4a | InGaAsP | - | 75 nm | - |
Epi-lager 3 | InAlAs | - | - | |
Epi-lager 2g | InGaAsP | - | - | - |
Epi-lager 2f | InGaAsP | - | 5nm | - |
Epi-lager 2e | InGaAsP | - | - | - |
Epi-lager 2d | InGaAsP | - | - | - |
Epi-lager 2c | InGaAsP | - | - | - |
Epi-lager 2b | InGaAsP | - | - | |
Epi-lager 2a | InGaAsP | odopad | - | gitter matchat, emitterar vid 1040 nm |
Epi-lager 1 | I P | odopad | 300 nm | |
Substrat | InP:S[100], Nc = (3-8)E18/cc, EPD < 5000/cm2 |
Nr 3 InGaAsP kvantbrunnsstruktur
GANW190527-INGAASP
Epi-lager | Material | dopningsmedel | Tjocklek | |
Epi-lager 11 | n-InP täckskikt | Si | - | |
Epi-lager 10 | n-1.24Q InGaAsP, delta-dopning | - | - | |
Epi-lager 9 | i-1.24Q InGaAsP | - | - | |
Epi-lager 8 | 1,30Q (-0,5%) InGaAsP-barriär | - | - | λc=1,55um |
Epi-lager 7 | 1,65Q (+0,8%) InGaAsP-brunn | - | - | |
Epi-lager 6 | 1,30Q (-0,5%) InGaAsP-barriär | - | - | |
Epi-lager 5 | i-1.24Q InGaAsP | - | 300A | |
Epi-lager 4 | p-1.24Q InGaAsP | Zn | - | |
Epi-lager 3 | p-InP offerlager | - | - | |
Epi-layer 2 | p-InGaAs etsningsstoppskikt | - | 0,4 um | |
Epi-lager 1 | p-buffert InP | - | - | |
Substrat | p-InP |
2. Vanliga frågor om InGaAsP Wafer
Q1:Jag har en teknisk fråga:
Vet du om InGaAsP med bandgap vid 950 nm är resistent mot koncentrerad HCl (saltsyra)?
A: Korrosionen för indiumgalliumarsenidfosfidkristallskiva kan vara oemotståndlig, men korrosionshastigheten bör vara långsammare.
Q2:Jag har fått din InGaAsP wafer med FWHM 54.5nm (se bifogad). Är det möjligt att förse InGaAsP wafer med smalare FWHM (mindre än 54,5nm)? Möjligt till 30nm? Eller 20nm?
A: Det är inga problem att tillverka GaInAsP epi-wafer med FWHM<54,5nm och vad vi kan garantera är nära 30nm.
Q3:Jag har använt din InGaAsP-heterostruktur såväl som andra wafers för att göra en ljusemitterande källa av nanomaterial. Jämfört med enheten tillverkad InGaAsP wafer från ett annat företag, visades enheten baserad på din wafer att medelspänningen var låg, även om den lade mer effekt (35 vs. 350 μW).
Kan du snälla ge oss en förklaring/åsikt om resultatet av jämförelsetestet?
A: Skillnaden mellan GaInAsP-epitaxi på P-typ InP kan bero på skillnaden i dopningskoncentration mellan P-typ och N-typ. Vi är i enlighet med koncentrationen av dina krav. Det är tydligt att dopningskoncentrationen är för hög, den optiska absorptionsförlusten är mycket stor, inte strukturella problem. PL kan bli mycket starkare om dopningspunkten är lägre. Detta fenomen är uppenbarligen relaterat till dopning.
För mer information, kontakta oss via e-post på sales@ganwafer.com och tech@ganwafer.com.