Indium Gallium Arsenide Fosfid (InGaAsP) tunn film

indium gallium arsenide phosphide wafer

Indium Gallium Arsenide Fosfid (InGaAsP) tunn film

Indiumgalliumarsenidfosfid (GalnAsP) kvartär legeringshalvledarmaterial matchat med indiumfosfid (InP) enkristallsubstratgitter har ett justerbart bandgapområde på 0,75~1,35eV. Eftersom energigapet indiumgalliumarsenidfosfid täcker lågförlustbanden på 1,33um och 1,55um för kvartsfibersignalöverföring i nuvarande optisk kommunikation, används den ofta i strukturen av indiumfosfid heterogena bipolära övergångstransistorer, vertikal kavitets ytemissionslaser och andra optoelektroniska enheter. Ganwafer kan geIII-V epitaxial waferav InP/InGaAsP och utveckla anpassad struktur. Specifika strukturer är följande:

1. Specifikationer för Indium Gallium Arsenide Phosphide Wafer

Nr 1 InP-baserad InGaAsP Wafer

GANW190513-INGAASP

Epi-lager Material dopningsmedel Tjocklek
Epi-lager 7 I P odopad -
Epi-lager 6g InGaAsP - 75 nm -
Epi-lager 6f InGaAsP - - -
Epi-lager 6e InGaAsP - - -
Epi-lager 6d InGaAsP - - gitter matchat, emitterar vid 1275 nm
Epi-lager 6c InGaAsP - - -
Epi-lager 6b InGaAsP - - -
Epi-lager 6a InGaAsP - - -
Epi-lager 5 I P - -
Epi-lager 4g InGaAsP - 75 nm -
Epi-lager 4f InGaAsP odopad - -
Epi-lager 4e InGaAsP - - -
Epi-lager 4d InGaAsP - - -
Epi-lager 4c InGaAsP - - -
Epi-lager 4b InGaAsP - - -
Epi-lager 4a InGaAsP - - gitter matchat, emitterar vid 1000 nm
Epi-lager 3 I P - -
Epi-lager 2g InGaAsP - - -
Epi-lager 2f InGaAsP - - -
Epi-lager 2e InGaAsP - - -
Epi-lager 2d InGaAsP - - -
Epi-lager 2c InGaAsP - 10 nm -
Epi-lager 2b InGaAsP - -
Epi-lager 2a InGaAsP odopad - gitter matchat, emitterar vid 1000 nm
Epi-lager 1 I P odopad 300 nm
Substrat InP:S[100], Nc = (3-8)E18/cc, EPD < 5000/cm2

 

Nr 2 InGaAsP / InP Epiwafers

GANW190709-InGAASP

Epi-lager Material dopningsmedel Tjocklek
Epi-lager 7 I P odopad -
Epi-lager 6g InGaAsP - - -
Epi-lager 6f InGaAsP - 5nm -
Epi-lager 6e InGaAsP - - -
Epi-lager 6d InGaAsP - - -
Epi-lager 6c InGaAsP - - gitter matchat, emitterar vid 1040 nm
Epi-lager 6b InGaAsP - - -
Epi-lager 6a InGaAsP - - -
Epi-lager 5 InAlAs - -
Epi-lager 4g InGaAsP - - -
Epi-lager 4f InGaAsP odopad 5nm -
Epi-lager 4e InGaAsP - - -
Epi-lager 4d InGaAsP - - -
Epi-lager 4c InGaAsP - - -
Epi-lager 4b InGaAsP - - gitter matchat, emitterar vid 1350 nm
Epi-lager 4a InGaAsP - 75 nm -
Epi-lager 3 InAlAs - -
Epi-lager 2g InGaAsP - - -
Epi-lager 2f InGaAsP - 5nm -
Epi-lager 2e InGaAsP - - -
Epi-lager 2d InGaAsP - - -
Epi-lager 2c InGaAsP - - -
Epi-lager 2b InGaAsP - -
Epi-lager 2a InGaAsP odopad - gitter matchat, emitterar vid 1040 nm
Epi-lager 1 I P odopad 300 nm
Substrat InP:S[100], Nc = (3-8)E18/cc, EPD < 5000/cm2

 

Nr 3 InGaAsP kvantbrunnsstruktur

GANW190527-INGAASP

Epi-lager Material dopningsmedel Tjocklek
Epi-lager 11 n-InP täckskikt Si -
Epi-lager 10 n-1.24Q InGaAsP, delta-dopning - -
Epi-lager 9 i-1.24Q InGaAsP - -
Epi-lager 8 1,30Q (-0,5%) InGaAsP-barriär - - λc=1,55um
Epi-lager 7 1,65Q (+0,8%) InGaAsP-brunn - -
Epi-lager 6 1,30Q (-0,5%) InGaAsP-barriär - -
Epi-lager 5 i-1.24Q InGaAsP - 300A
Epi-lager 4 p-1.24Q InGaAsP Zn -
Epi-lager 3 p-InP offerlager - -
Epi-layer 2 p-InGaAs etsningsstoppskikt - 0,4 um
Epi-lager 1 p-buffert InP - -
Substrat p-InP

 

2. Vanliga frågor om InGaAsP Wafer

Q1:Jag har en teknisk fråga:

Vet du om InGaAsP med bandgap vid 950 nm är resistent mot koncentrerad HCl (saltsyra)?

A: Korrosionen för indiumgalliumarsenidfosfidkristallskiva kan vara oemotståndlig, men korrosionshastigheten bör vara långsammare.

Q2:Jag har fått din InGaAsP wafer med FWHM 54.5nm (se bifogad). Är det möjligt att förse InGaAsP wafer med smalare FWHM (mindre än 54,5nm)? Möjligt till 30nm? Eller 20nm?

FWHM of InGaAsP Wafer

A: Det är inga problem att tillverka GaInAsP epi-wafer med FWHM<54,5nm och vad vi kan garantera är nära 30nm.

Q3:Jag har använt din InGaAsP-heterostruktur såväl som andra wafers för att göra en ljusemitterande källa av nanomaterial. Jämfört med enheten tillverkad InGaAsP wafer från ett annat företag, visades enheten baserad på din wafer att medelspänningen var låg, även om den lade mer effekt (35 vs. 350 μW).

Kan du snälla ge oss en förklaring/åsikt om resultatet av jämförelsetestet?

A: Skillnaden mellan GaInAsP-epitaxi på P-typ InP kan bero på skillnaden i dopningskoncentration mellan P-typ och N-typ. Vi är i enlighet med koncentrationen av dina krav. Det är tydligt att dopningskoncentrationen är för hög, den optiska absorptionsförlusten är mycket stor, inte strukturella problem. PL kan bli mycket starkare om dopningspunkten är lägre. Detta fenomen är uppenbarligen relaterat till dopning.

För mer information, kontakta oss via e-post på sales@ganwafer.com och tech@ganwafer.com.

Dela det här inlägget