Fosfeto de arseneto de índio e gálio (InGaAsP) Filme fino

indium gallium arsenide phosphide wafer

Fosfeto de arseneto de índio e gálio (InGaAsP) Filme fino

O material semicondutor de liga quaternária de fosforeto de gálio e índio (GalnAsP) combinado com a estrutura de substrato de cristal único de fosforeto de índio (InP) tem uma faixa de intervalo de banda ajustável de 0,75 ~ 1,35 eV. Como o intervalo de energia de fosforeto de arseneto de índio e gálio cobre as bandas de baixa perda de 1,33um e 1,55um para transmissão de sinal de fibra de quartzo na comunicação óptica atual, é frequentemente usado na estrutura do transistor bipolar de junção heterogênea de fosforeto de índio, laser de emissão de superfície de cavidade vertical e outros dispositivos optoeletrônicos. A Ganwafer é capaz de fornecerbolacha epitaxial III-Vdo InP/InGaAsP e aumentar a estrutura personalizada. As estruturas específicas são as seguintes:

1. Especificações da bolacha de fosfato de arseneto de índio e gálio

Wafer InGaAsP baseado em InP nº 1

GANW190513-INGAASP

Epicamada Material dopante Espessura
Epicamada 7 InP não dopado -
Epi-camada 6g InGaAsP - 75nm -
Epi-camada 6f InGaAsP - - -
Epicamada 6e InGaAsP - - -
Epi-camada 6d InGaAsP - - rede combinada, emitindo a 1275 nm
Epicamada 6c InGaAsP - - -
Epicamada 6b InGaAsP - - -
Epicamada 6a InGaAsP - - -
Epicamada 5 InP - -
Epi-camada 4g InGaAsP - 75nm -
Epi-camada 4f InGaAsP não dopado - -
Epicamada 4e InGaAsP - - -
Epi-camada 4d InGaAsP - - -
Epicamada 4c InGaAsP - - -
Epicamada 4b InGaAsP - - -
Epicamada 4a InGaAsP - - rede combinada, emitindo a 1000 nm
Epicamada 3 InP - -
Epi-camada 2g InGaAsP - - -
Epi-camada 2f InGaAsP - - -
Epi-camada 2e InGaAsP - - -
Epi-camada 2d InGaAsP - - -
Epi-camada 2c InGaAsP - 10nm -
Epicamada 2b InGaAsP - -
Epicamada 2a InGaAsP não dopado - rede combinada, emitindo a 1000 nm
Epi-camada 1 InP não dopado 300nm
Substrato InP:S[100], Nc = (3-8)E18/cc, EPD < 5000/cm2

 

No.2 InGaAsP / InP Epiwafers

GANW190709-InGAASP

Epicamada Material dopante Espessura
Epicamada 7 InP não dopado -
Epi-camada 6g InGaAsP - - -
Epi-camada 6f InGaAsP - 5nm -
Epicamada 6e InGaAsP - - -
Epi-camada 6d InGaAsP - - -
Epicamada 6c InGaAsP - - rede combinada, emitindo a 1040 nm
Epicamada 6b InGaAsP - - -
Epicamada 6a InGaAsP - - -
Epicamada 5 InAlAs - -
Epi-camada 4g InGaAsP - - -
Epi-camada 4f InGaAsP não dopado 5nm -
Epicamada 4e InGaAsP - - -
Epi-camada 4d InGaAsP - - -
Epicamada 4c InGaAsP - - -
Epicamada 4b InGaAsP - - rede combinada, emitindo a 1350 nm
Epicamada 4a InGaAsP - 75nm -
Epicamada 3 InAlAs - -
Epi-camada 2g InGaAsP - - -
Epi-camada 2f InGaAsP - 5nm -
Epi-camada 2e InGaAsP - - -
Epi-camada 2d InGaAsP - - -
Epi-camada 2c InGaAsP - - -
Epicamada 2b InGaAsP - -
Epicamada 2a InGaAsP não dopado - rede combinada, emitindo a 1040 nm
Epi-camada 1 InP não dopado 300nm
Substrato InP:S[100], Nc = (3-8)E18/cc, EPD < 5000/cm2

 

Estrutura de poço quântico de InGaAsP nº 3

GANW190527-INGAASP

Epicamada Material dopante Espessura
Epicamada 11 camada de cobertura n-InP Si -
Epicamada 10 n-1.24Q InGaAsP, delta doping - -
Epicamada 9 i-1.24Q InGaAsP - -
Epicamada 8 1,30Q (-0,5%) barreira InGaAsP - - λc=1,55um
Epicamada 7 Poço InGaAsP de 1,65Q (+0,8%) - -
Epicamada 6 1,30Q (-0,5%) barreira InGaAsP - -
Epicamada 5 i-1.24Q InGaAsP - 300A
Epicamada 4 p-1.24Q InGaAsP Zn -
Epicamada 3 camada de sacrifício p-InP - -
Epi-layer 2 camada etch-stop p-InGaAs - 0,4um
Epi-camada 1 p-buffer InP - -
Substrato p-InP

 

2. Perguntas frequentes do InGaAsP Wafer

Q1:Tenho uma dúvida técnica:

Você sabe se o InGaAsP com bandgap em 950 nm é resistente ao HCl concentrado (ácido clorídrico)?

UMA: A corrosão para a pastilha de cristal de fosfeto de arseneto de índio e gálio pode ser irresistível, mas a taxa de corrosão deve ser mais lenta.

Q2:Recebi seu wafer InGaAsP com FWHM 54.5nm (veja anexo). É possível fornecer wafer InGaAsP com FWHM mais estreito (menos de 54,5 nm)? Possível para 30nm? Ou 20nm?

FWHM of InGaAsP Wafer

UMA: Não há problema em fabricar wafer epi GaInAsP com FWHM<54.5nm e o que podemos garantir é próximo de 30nm.

Q3:Eu usei sua heteroestrutura InGaAsP, bem como outras pastilhas para fazer uma fonte emissora de luz de nanomaterial. Comparado com o dispositivo feito de wafer InGaAsP de outra empresa, o dispositivo baseado em seu wafer mostrou que a voltagem média era baixa, apesar de colocar mais potência (35 vs. 350 μW).

Você poderia nos dar uma explicação/opinião sobre o resultado do teste de comparação?

UMA: A diferença de epitaxia GaInAsP no InP tipo P pode ser devido à diferença de concentração de dopagem entre o tipo P e o tipo N. Estamos de acordo com a concentração de suas necessidades. É claro que a concentração de dopagem é muito alta, a perda de absorção óptica é muito grande, não é um problema estrutural. O PL pode ser muito mais forte se o ponto de dopagem for menor. Este fenômeno está obviamente relacionado ao doping.

Para obter mais informações, entre em contato conosco pelo e-mail sales@ganwafer. com e tech@ganwafer. com.

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