Fosfeto de arseneto de índio e gálio (InGaAsP) Filme fino
O material semicondutor de liga quaternária de fosforeto de gálio e índio (GalnAsP) combinado com a estrutura de substrato de cristal único de fosforeto de índio (InP) tem uma faixa de intervalo de banda ajustável de 0,75 ~ 1,35 eV. Como o intervalo de energia de fosforeto de arseneto de índio e gálio cobre as bandas de baixa perda de 1,33um e 1,55um para transmissão de sinal de fibra de quartzo na comunicação óptica atual, é frequentemente usado na estrutura do transistor bipolar de junção heterogênea de fosforeto de índio, laser de emissão de superfície de cavidade vertical e outros dispositivos optoeletrônicos. A Ganwafer é capaz de fornecerbolacha epitaxial III-Vdo InP/InGaAsP e aumentar a estrutura personalizada. As estruturas específicas são as seguintes:
1. Especificações da bolacha de fosfato de arseneto de índio e gálio
Wafer InGaAsP baseado em InP nº 1
GANW190513-INGAASP
Epicamada | Material | dopante | Espessura | |
Epicamada 7 | InP | não dopado | - | |
Epi-camada 6g | InGaAsP | - | 75nm | - |
Epi-camada 6f | InGaAsP | - | - | - |
Epicamada 6e | InGaAsP | - | - | - |
Epi-camada 6d | InGaAsP | - | - | rede combinada, emitindo a 1275 nm |
Epicamada 6c | InGaAsP | - | - | - |
Epicamada 6b | InGaAsP | - | - | - |
Epicamada 6a | InGaAsP | - | - | - |
Epicamada 5 | InP | - | - | |
Epi-camada 4g | InGaAsP | - | 75nm | - |
Epi-camada 4f | InGaAsP | não dopado | - | - |
Epicamada 4e | InGaAsP | - | - | - |
Epi-camada 4d | InGaAsP | - | - | - |
Epicamada 4c | InGaAsP | - | - | - |
Epicamada 4b | InGaAsP | - | - | - |
Epicamada 4a | InGaAsP | - | - | rede combinada, emitindo a 1000 nm |
Epicamada 3 | InP | - | - | |
Epi-camada 2g | InGaAsP | - | - | - |
Epi-camada 2f | InGaAsP | - | - | - |
Epi-camada 2e | InGaAsP | - | - | - |
Epi-camada 2d | InGaAsP | - | - | - |
Epi-camada 2c | InGaAsP | - | 10nm | - |
Epicamada 2b | InGaAsP | - | - | |
Epicamada 2a | InGaAsP | não dopado | - | rede combinada, emitindo a 1000 nm |
Epi-camada 1 | InP | não dopado | 300nm | |
Substrato | InP:S[100], Nc = (3-8)E18/cc, EPD < 5000/cm2 |
No.2 InGaAsP / InP Epiwafers
GANW190709-InGAASP
Epicamada | Material | dopante | Espessura | |
Epicamada 7 | InP | não dopado | - | |
Epi-camada 6g | InGaAsP | - | - | - |
Epi-camada 6f | InGaAsP | - | 5nm | - |
Epicamada 6e | InGaAsP | - | - | - |
Epi-camada 6d | InGaAsP | - | - | - |
Epicamada 6c | InGaAsP | - | - | rede combinada, emitindo a 1040 nm |
Epicamada 6b | InGaAsP | - | - | - |
Epicamada 6a | InGaAsP | - | - | - |
Epicamada 5 | InAlAs | - | - | |
Epi-camada 4g | InGaAsP | - | - | - |
Epi-camada 4f | InGaAsP | não dopado | 5nm | - |
Epicamada 4e | InGaAsP | - | - | - |
Epi-camada 4d | InGaAsP | - | - | - |
Epicamada 4c | InGaAsP | - | - | - |
Epicamada 4b | InGaAsP | - | - | rede combinada, emitindo a 1350 nm |
Epicamada 4a | InGaAsP | - | 75nm | - |
Epicamada 3 | InAlAs | - | - | |
Epi-camada 2g | InGaAsP | - | - | - |
Epi-camada 2f | InGaAsP | - | 5nm | - |
Epi-camada 2e | InGaAsP | - | - | - |
Epi-camada 2d | InGaAsP | - | - | - |
Epi-camada 2c | InGaAsP | - | - | - |
Epicamada 2b | InGaAsP | - | - | |
Epicamada 2a | InGaAsP | não dopado | - | rede combinada, emitindo a 1040 nm |
Epi-camada 1 | InP | não dopado | 300nm | |
Substrato | InP:S[100], Nc = (3-8)E18/cc, EPD < 5000/cm2 |
Estrutura de poço quântico de InGaAsP nº 3
GANW190527-INGAASP
Epicamada | Material | dopante | Espessura | |
Epicamada 11 | camada de cobertura n-InP | Si | - | |
Epicamada 10 | n-1.24Q InGaAsP, delta doping | - | - | |
Epicamada 9 | i-1.24Q InGaAsP | - | - | |
Epicamada 8 | 1,30Q (-0,5%) barreira InGaAsP | - | - | λc=1,55um |
Epicamada 7 | Poço InGaAsP de 1,65Q (+0,8%) | - | - | |
Epicamada 6 | 1,30Q (-0,5%) barreira InGaAsP | - | - | |
Epicamada 5 | i-1.24Q InGaAsP | - | 300A | |
Epicamada 4 | p-1.24Q InGaAsP | Zn | - | |
Epicamada 3 | camada de sacrifício p-InP | - | - | |
Epi-layer 2 | camada etch-stop p-InGaAs | - | 0,4um | |
Epi-camada 1 | p-buffer InP | - | - | |
Substrato | p-InP |
2. Perguntas frequentes do InGaAsP Wafer
Q1:Tenho uma dúvida técnica:
Você sabe se o InGaAsP com bandgap em 950 nm é resistente ao HCl concentrado (ácido clorídrico)?
UMA: A corrosão para a pastilha de cristal de fosfeto de arseneto de índio e gálio pode ser irresistível, mas a taxa de corrosão deve ser mais lenta.
Q2:Recebi seu wafer InGaAsP com FWHM 54.5nm (veja anexo). É possível fornecer wafer InGaAsP com FWHM mais estreito (menos de 54,5 nm)? Possível para 30nm? Ou 20nm?
UMA: Não há problema em fabricar wafer epi GaInAsP com FWHM<54.5nm e o que podemos garantir é próximo de 30nm.
Q3:Eu usei sua heteroestrutura InGaAsP, bem como outras pastilhas para fazer uma fonte emissora de luz de nanomaterial. Comparado com o dispositivo feito de wafer InGaAsP de outra empresa, o dispositivo baseado em seu wafer mostrou que a voltagem média era baixa, apesar de colocar mais potência (35 vs. 350 μW).
Você poderia nos dar uma explicação/opinião sobre o resultado do teste de comparação?
UMA: A diferença de epitaxia GaInAsP no InP tipo P pode ser devido à diferença de concentração de dopagem entre o tipo P e o tipo N. Estamos de acordo com a concentração de suas necessidades. É claro que a concentração de dopagem é muito alta, a perda de absorção óptica é muito grande, não é um problema estrutural. O PL pode ser muito mais forte se o ponto de dopagem for menor. Este fenômeno está obviamente relacionado ao doping.
Para obter mais informações, entre em contato conosco pelo e-mail sales@ganwafer. com e tech@ganwafer. com.