GaAs Epi Wafer của MBE dành cho Laser phát ra cạnh (EEL)
808nm, 980nm or 9XXnm GaAs (gallium arsenide) epi wafer is used in edge emitting laser (EEL) for industrial welding, photolithography, medical applications, distance measurement offered by Ganwafer, one of leading epitaxial wafer manufacturers.
1. Chế tạo EEL trên GaAs Epi Wafer
Tấm wafer biểu mô EEL dựa trên GaAs có thể sử dụng epitaxy chùm phân tử (MBE) để sản xuất laser diode phát xạ cạnh. Khi lớp bao phủ được lắng đọng theo chiều dọc để tạo thành cấu trúc, các màng GaAs biểu mô bán dẫn có hình dạng và độ dày được kiểm soát chính xác.
Sau khi tạo hình các lớp biểu mô MBE dựa trên GaAs và lắng đọng MBE, các tiếp điểm trên cùng được lắng đọng cho cả hai cấu trúc. Bước tiếp theo là cắtepi wafer. Đối với điốt phát quang, tia laser chỉ có thể được tạo ra hoàn toàn sau khi cắt tấm wafer. Do đó, không thể kiểm tra laser phát ra cạnh trong quá trình tăng trưởng. Quá trình cắt của GaAs epiwafer là rất quan trọng đối với laser phát ra cạnh, và sự không đều của các tấm wafer biểu mô GaAs EEL có thể làm giảm năng suất và độ tin cậy. Nói chung, dị cấu trúc kép EEL GaAs sẽ giới hạn các hạt tải điện được hình thành (điện tử và lỗ trống) trong một vùng hẹp và đóng vai trò như ống dẫn sóng cho trường quang học. Cấu trúc này sẽ tạo ra công suất bơm ngưỡng thấp và hiệu quả cao cho tia laser.
2. Giới thiệu về máy phát tia laser cạnh
Có hai loại EEL chính: a) Laser FP; b) Laser DFB:
Trong laser FP, diode laser là một tia laser, và gương phản chiếu của nó chỉ là một bề mặt nứt phẳng ở phần cuối của chip laser. Laser FP chủ yếu được sử dụng cho tốc độ dữ liệu thấp và truyền khoảng cách ngắn. Khoảng cách truyền nói chung là trong vòng 20 km, và tốc độ trong khoảng 1,25G;
Diode laser DFB dựa trên wafer GaAs biểu mô là một laser có cấu trúc cách tử trong khoang, tạo ra nhiều phản xạ trong toàn bộ khoang. Các tia laser DFB trên wafer epi laser tinh thể quang tử chủ yếu được sử dụng để truyền đường dài với tốc độ dữ liệu cao.
Các tia laser phát ra cạnh trên tấm wafer GaAs epi đã thay đổi hoàn toàn hệ thống laser và mang lại cho nó những tính chất đặc biệt mới, chẳng hạn như thu nhỏ, ánh sáng kết hợp ổn định và bước sóng phát xạ hẹp. Trong thực tế, EEL dựa trên GaAs có thể được sử dụng như một tia laser trực tiếp, nhưng nó cũng có thể được kết hợp với sợi quang hoặc tinh thể để tạo thành tia laser sợi quang hoặc DPSSL. Công nghệ laser tiên tiến này cung cấp những ưu điểm cụ thể, chẳng hạn như chất lượng chùm tia tốt hơn, cải thiện độ ổn định nhiễu laser và sản lượng điện cao hơn.
Để biết thêm thông tin, xin vui lòng liên hệ với chúng tôi email tạisales@ganwafer.comvàtech@ganwafer.com.
