Màng mỏng LED đỏ
LED epitaxial wafers are located in the upstream link of the LED industry chain, which is the link with the highest technical content in the semiconductor lighting industry and the greatest impact on the quality and cost control of the final product. Ganwafer can supply red LED wafer hình tròntrồng trên giá thể GaAs. Chỉ cung cấp một cấu trúc epi của tấm wafer màng mỏng LED để tham khảo như sau:
1. Cấu trúc trục của đèn LED Wafer đỏ
GANWP19116-RLED
| Lớp Epi | Độ dày |
| P-GaP | - |
| P-AlInP | - |
| MQW | - |
| N-AlInP | 900nm |
| DBR | - |
| Lớp đệm n-GaAs | - |
| GaAs chất nền | 350um |
2. Hỗ trợ kỹ thuật cho GaAs LED Thin Film Epitaxy on Etching
Một trong những khách hàng của chúng tôi mua cấu trúc này để làm thiết bị phát sáng. Trong quá trình chế tạo thiết bị màng mỏng LED, họ đã gặp các vấn đề sau ở bước khắc GaAs, như hình 1 cho thấy:
1) Lớp LED bị hỏng. Các lớp đèn LED bên dưới lớp đệm được khắc;
2) Khắc không đồng nhất của các chip LED trong cùng một tấm lót LED
- Trong một tấm wafer, các chip LED có chiều cao khác nhau;
- Các đèn LED Nhóm A được khắc với các đèn LED p-GaP, các đèn LED Nhóm B vào lớp DBR và các đèn LED Nhóm C vào nền GaAs, như hình bên dưới;
3) Lớp LED quá dày; do đó, họ muốn độ dày lớp LED là 3 um.
Fig.1 Etching of Group A, B, C LEDs
Các kỹ thuật viên của chúng tôi giải thích rằng nó trông giống như một con chip lật. Về mặt cấu trúc, nó là khắc tinh dưới sáp tích cực. Nhưng khi nói đến sự không nhất quán về chiều cao chip, có vẻ như đó là do cách khắc không đồng đều của bạn. Đối với hư hỏng của lớp epitaxy, chúng tôi không chắc chắn nguyên nhân là do quá trình làm thô hoặc hoạt động quy trình khác sau khi cắt phoi. Theo hiểu biết của chúng tôi, nó nên được cắt thành phoi để thực hiện quá trình tạo nhám tương tự. Làm dày lớp đệm để bảo vệ lớp biểu mô, nhưng chúng tôi không nghĩ rằng hiệu quả nhất thiết phải tốt.
Chúng tôi suy đoán về các lý do cụ thể vì công nghệ chip cụ thể chưa được biết đến:
1) Sự không nhất quán cao không phải là vấn đề bên dưới hoặc bề mặt khắc không đồng đều.
2) Nếu lớp đệm bị ăn mòn, nó phải là ăn mòn bên. Nếu dung dịch ăn mòn GaAs, độ dày của ăn mòn bên không nhất thiết sẽ giảm bớt.
Nếu không cố ý giữ đệm GaAs thì việc ăn mòn khô không có vấn đề gì, và vấn đề sẽ là ở chế độ ăn mòn ướt, để giải quyết vấn đề ăn mòn không đồng đều, tại sao không thêm một lớp dừng ăn mòn (etch stop layer) , giống như GaInP? GaInP thường được sử dụng làm lớp dừng khắc. Nó có thể được thêm vào giữa lớp đệm n-GaAs và lớp DBR của tấm mỏng màng mỏng màu đỏ ulta. Thông thường, không có vấn đề gì khi lớp dừng sẽ bảo vệ các lớp LED khỏi sự xâm nhập của GaAs (hỗn hợp axit xitric và hydrogen peroxide) trong quá trình khắc ướt GaAs. Xin lưu ý rằng GaInP còn lại sẽ ảnh hưởng đến điện áp chuyển tiếp, nhưng không quá nhiều và công suất quang học của chip LED sẽ bị giảm sau quá trình khắc ướt GaAs.
3. Các biện pháp để cải thiện tính đồng nhất của khắc ướt của tấm wafer Epi LED màng mỏng
Độ đồng nhất khắc là một thông số khắc đo mức độ của quá trình khắc ướt. Tính đồng nhất của khắc có ảnh hưởng lớn đến chất lượng của tấm bán dẫn, bao gồm cả vật liệu màng mỏng LED. Khắc không hoàn chỉnh hoặc khắc quá nhiều sẽ làm giảm chất lượng của chất bán dẫn màng mỏng LED đỏ GaAs, và thậm chí dẫn đến việc loại bỏ các thiết bị được khắc. Vì vậy, cần phải kiểm soát chặt chẽ độ đồng đều của khắc trong công việc khắc ướt để đảm bảo chất lượng của tấm ăn mòn. Các biện pháp được đề xuất như sau:
1) Trộn thích hợp: Bằng cách lắp đặt một thiết bị khuấy trong bể khắc, việc khuấy liên tục được thực hiện trong quá trình khắc tấm wafer LED GaAs, để đảm bảo rằng nhiệt độ và nồng độ của các tác nhân hóa học có thể được phân phối đồng đều, do đó cải thiện tính đồng nhất của khắc ướt.
2) Lưu thông tràn của etchant hóa chất: Nhiệt độ, nồng độ và trường dòng chảy của dung dịch hóa chất có thể được phân bố đồng đều thông qua tuần hoàn tràn, do đó cải thiện tính đồng nhất của khắc ướt.
3) Xoay wafer trong quá trình khắc: Trong quy trình xử lý dung dịch hóa học của wafer epitaxy LED, bằng cách xoay wafer, một phần của wafer được ngăn không cho luôn ở trong khe của hộp wafer, do đó cải thiện tính đồng nhất của sự ăn mòn dung dịch hóa học trên tấm wafer.
Để biết thêm thông tin, vui lòng liên hệ với chúng tôi qua email sales@ganwafer.com và tech@ganwafer.com.
